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<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">英飞凌与Wolfspeed签署200mm SiC晶圆多年供应协议</h2>
英飞凌科技（Infineon Technologies）与Wolfspeed于10月15日宣布，双方已签署针对200mm SiC（碳化硅）晶圆的多年供应协议。两家公司已建立20多年的SiC晶圆供应关系，并于2024年1月扩大并延长了150mm SiC晶圆的长期供应协议。此次新协议将200mm SiC晶圆纳入供应范围，将加速英飞凌从150mm向200mm制造的迁移。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">200mm化提升SiC功率半导体制造效率</h2>
与150mm晶圆相比，200mm晶圆可增加单片晶圆上可用的芯片面积，因此有望提升功率半导体制造效率并降低单位衬底成本。不过，SiC晶圆在晶体缺陷控制和加工方面难度较高，随着晶圆直径扩大，还需要能够稳定质量和良率的技术，因此量产级别的大口径化此前进展缓慢。
英飞凌正在推进从多家供应商采购SiC衬底的多源战略。此次从Wolfspeed采购200mm SiC晶圆，将拓宽其基于200mm晶圆量产功率半导体所需的供应基础，并增强应对需求波动的能力和供应链灵活性。
英飞凌首席运营官（COO）Alexander Gorski表示，要履行对客户的长期供应责任，确保高质量且稳健的200mm衬底供应不可或缺。此次协议将在强化稳定供应的同时，提升未来增长所需的灵活性和可扩展性。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">为马来西亚居林200mm SiC工厂提供原料保障</h2>
英飞凌正在奥地利菲拉赫工厂和马来西亚居林工厂推进200mm SiC功率半导体的生产。公司于2025年2月宣布开始供应基于200mm SiC晶圆的功率半导体产品。此次与Wolfspeed的协议，将为英飞凌扩大200mm SiC制造能力提供更强的原材料SiC晶圆供应保障。
对Wolfspeed而言，长期合同有助于确保200mm SiC晶圆的供货对象，并强化其作为SiC材料供应商的业务基础。Wolfspeed首席执行官（CEO）Robert Feurle表示，此次合同扩展建立在与英飞凌牢固关系的基础上；增加200mm晶圆供应将支持英飞凌长期的SiC需求。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">AI数据中心成为SiC新需求来源</h2>
SiC功率半导体能够在抑制开关损耗的同时，在高温、高压环境下工作，因此正在电动汽车（EV）驱动系统、光伏发电逆变器、储能系统、工业电机驱动等领域得到采用。
两家公司还将AI数据中心定位为SiC功率半导体新的需求增长领域。随着GPU等计算设备的功耗上升，AI数据中心对包括电源系统在内的整体转换效率提出了更高要求，SiC被期待成为替代传统硅基方案的有力选择。
据Yole Group调查，全球SiC功率器件市场预计将从2024年的34亿美元扩大至2031年的111亿美元。电动汽车充电、可再生能源、储能系统、AI数据中心等预计将推动市场增长。Wolfspeed也于2026年6月设立面向AI数据中心电源解决方案的专职团队，并加强面向高密度、高效率电力转换的SiC器件布局。英飞凌将在扩大200mm SiC晶圆供应来源的同时，强化以居林为中心的生产体制；Wolfspeed则计划在衬底供应和功率器件两方面把握SiC市场扩张机会。两家公司通过将20多年的供应关系扩展至200mm，应对SiC功率半导体需求扩大和大口径化趋势。

英飞凌与Wolfspeed签署200mm SiC晶圆多年供应协议，加速从150mm向200mm制造迁移，为马来西亚居林工厂提供原料保障，并瞄准AI数据中心等新增需求。

英飞凌与Wolfspeed签署200mm SiC晶圆多年供应协议

尼康10月13日宣布，将于2027年4月发售面向半导体先进封装的数字曝光设备“DSP-110”。该设备在510mm×515mm基板上的处理能力达到每小时72片，超过最初设定的每小时65片以上目标，较现有设备“DSP-100”提升约40%。
尼康曾于2026年6月披露，正在开发支持1.5μm线宽/间距（Line and Space，L/S）的数字曝光设备。当时计划在2027年度内发售，目标是在510mm×515mm基板上实现每小时65片以上处理能力，并较支持1.0μm分辨率的现有设备DSP-100提升30%以上生产率。此次尼康正式将产品命名为DSP-110，并确定2027年4月上市，同时公布其处理能力为每小时72片。其吞吐量较DSP-100提升约40%，将以高于开发披露时目标的性能实现产品化。
DSP-110的分辨率为1.5μm，套刻精度（overlay）为±0.3μm以下。尼康称，该设备兼顾高套刻精度与处理能力，有助于提升先进封装的生产效率并降低总成本。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">兼顾1.5μm分辨率与高生产率</h2>
随着生成式AI普及，GPU、高带宽存储器（HBM）等需求不断扩大，将多颗芯片高密度集成到一个封装中的先进封装技术重要性日益上升。
大型中介层（interposer）和多层FC-BGA基板要求连接芯片之间的RDL（再配线层）实现更高密度，同时在量产工序中必须在确保必要分辨率的同时，平衡处理能力与制造成本。
尼康将通过产品线布局满足不同需求：支持1.0μm分辨率的DSP-100，以及兼顾1.5μm分辨率和每小时72片处理能力的DSP-110。客户可根据封装结构和生产计划分别选用设备。
DSP-110采用不使用光掩模（photomask）的数字曝光方式，基于设计数据直接曝光电路图案，因此无需为每种产品准备光掩模，也能灵活应对设计变更和多品种生产。
光源采用与i线（i-line）相当的光源。支持基板尺寸包括310mm×310mm、510mm×515mm、600mm×600mm、730mm×920mm等方形基板，同时也支持300mm晶圆等。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">重新设计光学系统，处理能力提升约40%</h2>
DSP-110针对1.5μm分辨率用途重新设计光学系统，使吞吐量较DSP-100提升约40%。尼康表示，公司利用在半导体曝光设备、FPD（平板显示）曝光设备和相机等领域积累的光学技术，优化了分辨率与生产率之间的平衡。
光学系统重新设计还使DSP-110的焦深余量（focus margin）较DSP-100扩大。焦深余量指基板表面高度或焦点位置出现偏差时，仍能保持正确电路尺寸的容许范围。
先进封装使用的大型基板比晶圆更容易发生翘曲和表面高度不均。扩大焦深余量后，设备可在多种基板条件下稳定形成电路图案，从而提高良率和量产稳定性。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">更换光学系统可支持1.0μm分辨率</h2>
DSP-110还可在导入后通过更换光学系统，升级为支持1.0μm分辨率的设备。
导入初期可利用1.5μm分辨率和每小时72片的处理能力投入量产；未来RDL微细化推进时，无需更换整台设备，仅通过更换光学系统即可支持1.0μm工艺。尼康希望以可跨多代使用的成本优势促进客户导入。在前道工序领域，ASML在2026年第三季度财报说明中报告称，针对已交付设备提升生产率的升级需求超出预期，这表明客户希望长期使用设备的趋势正在增强。
尼康于2025年7月发布DSP-100，并于2026年6月披露正在开发重视生产率的1.5μm支持设备。此次将该设备作为DSP-110产品化，正式公布发售时间和量产规格。尼康计划对更重视微细RDL形成的工序推荐DSP-100，对在确保1.5μm分辨率的同时要求高处理能力的工序推荐DSP-110，以扩大面向先进封装的数字曝光设备业务。

尼康宣布2027年4月发售面向半导体先进封装的数字曝光设备DSP-110，处理能力达每小时72片，较现有设备DSP-100提升约40%，分辨率1.5μm。

尼康发布DSP-110数字曝光设备，先进封装处理能力提升40%

据MacRumors援引彭博社记者马克·古尔曼（Mark Gurman）在其播客中的说法，苹果据传正将重心转向M7芯片系列，跳过M6 Pro、M6 Max和M6 Ultra等高端版本，转而优先布局面向AI工作负载的技术。古尔曼称，苹果已在Mac mini中推出基础版M6芯片，并计划推出搭载M6的iMac和入门级MacBook Pro；但公司打算跳过M6 Pro、M6 Max和M6 Ultra，从上一代M5系列直接过渡到M7系列。
古尔曼表示，搭载M7 Pro和M7 Max的高端触屏MacBook Pro预计在2027年底前推出，搭载标准版M7的入门级MacBook Pro也计划于2027年发布。据MacRumors报道，M7 Ultra计划于2028年上半年推出，这意味着Mac Studio在2027年更新的可能性不大。
MacRumors还称，即将推出的OLED MacBook Pro预计继续采用当前机型使用的M5 Pro和M5 Max芯片，2027年前不计划进行处理器升级。另据ZDNet报道，新款OLED机型可能采用更轻的设计，以Dynamic Island（灵动岛）取代刘海，并提供可选5G连接。
此外，据MacRumors另一篇报道，马克·古尔曼在X上表示，苹果已开始邀请部分媒体代表参加10月28日（周三）在洛杉矶举行的产品发布体验活动。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">与Meta合作在Mac Studio本地运行Muse Spark Open</h2>
在芯片策略传出调整之外，苹果还通过与Meta的新合作扩展AI能力。据CNBC报道，双方宣布计划让开发者在苹果高端Mac Studio台式机上本地运行Meta的Muse Spark Open模型。
Meta称，Muse Spark Open是其能力最强的美国开放权重（open-weight）模型，总参数量达8160亿，激活参数为420亿，上下文窗口为100万token。该模型基于混合专家（mixture-of-experts）架构，设计为通过苹果MLX框架在搭载M5 Ultra的Mac Studio上本地运行。据Meta介绍，每颗M5 Ultra支持最高512GB统一内存和1.2TB/s内存带宽，两台互联的Mac Studio即可容纳整个模型。
Meta AI负责人Alexandr Wang指出，许多强大的开放权重模型体积过大，难以在多数个人电脑上运行，但Mac Studio的内存容量使运行Muse Spark Open变得可行。据CNBC报道，Wang表示双方合作将先进智能体（agent）能力带到搭载苹果M5 Ultra芯片的桌面设备上。
不过，硬件要求也带来高昂成本。据CNBC报道，配备所需M5 Ultra芯片和256GB内存的Mac Studio起售价为10,799美元，512GB配置预计本月晚些时候推出。

古尔曼称苹果将跳过M6 Pro、Max和Ultra，重心转向M7系列，高端触屏MacBook Pro预计2027年底前推出；苹果还与Meta合作，让开发者在M5 Ultra版Mac Studio本地运行Muse Spark Open模型。

苹果据传跳过M6高端芯片 转向M7系列并加码AI合作

台积电在财报电话会上释放乐观信号，将2026年营收增长预期上调至同比增长44%，并预计2026年第四季度（4Q26）将再创季度新高。外资券商随后给出整体偏乐观的评估：各项业务均显强劲，唯独毛利率面临压力。
值得注意的是，在台积电暗示未来三年支出将显著提高后，分析师已上修2027—2028年资本开支预测，最乐观的估算达到1050亿美元。以下为券商最新报告中的五大要点，涵盖资本开支、2nm动能、毛利率、定价与CoWoS。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">券商上调资本开支预测；摩根士丹利预计2027年EUV设备订单翻倍</h2>
台积电维持2026年资本开支指引在600亿至640亿美元，同时释放加速2nm量产、扩充3nm产能的信号，并计划为3nm新建四座晶圆厂。在半导体设备价格走高的报道背景下，台积电也承认“tool inflation is real”（设备通胀确实存在），为资本开支进一步上行埋下伏笔。
在此背景下，外资券商纷纷上调台积电资本开支预测，其中瑞银最为乐观。该行预计2027年支出将同比大增约45%至900亿美元，2028年进一步升至1050亿美元。
摩根士丹利援引对设备供应商的初步调查称，EUV设备订单在2027年可能翻倍，2028年再增长25%—30%。据此，该行将2027年和2028年资本开支预测分别上调至830亿美元和920亿美元。高盛与美银证券也预计台积电2027年支出将达到850亿美元。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">2nm势头增强，毛利率压力仍在</h2>
台积电2nm营收占比在3Q26跃升至8%，上一季度为3%。外资券商引用管理层预期称，2nm产能将在2027年“增长一倍以上”。但快速扩张并非没有代价。券商评估认为，台积电4Q26毛利率指引为65%—67%，较3Q26的66.4%上行空间有限，原因是2nm爬坡拖累盈利能力。
花旗、瑞银和高盛均预测台积电2026年毛利率为66.6%。尽管2nm生产与海外扩张带来稀释，分析师仍预计毛利率将在2027年升至66.7%—68.9%，并在2028年达到67.1%—68.9%。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">定价能力支撑毛利率，ASP升势有望延续至2028年</h2>
在台积电寻求未来几年维持毛利率增长之际，券商将定价能力视为关键支撑。瑞银尤其指出，这家晶圆代工龙头有能力将上升的成本转嫁给客户，从而帮助保持盈利能力。
这一优势叠加更丰富的产品组合，预计也将推高平均售价（ASP）。大和资本市场预测，以8英寸等效晶圆计算，台积电的综合ASP（blended ASP）将从2026年的3,513美元升至2027年的4,034美元，并在2028年达到4,231美元。
瑞银在财务模型中给出更乐观的价格路径，预计台积电8英寸等效综合ASP将在2026年升至3,691美元，2027年升至4,417美元，2028年升至5,177美元。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">CoWoS产能预计2027年翻倍</h2>
台积电誓言“不把桌上的食物留给别人”，在CoWoS产能受限、英特尔EMIB竞争加剧的情况下，仍加码先进封装。
这一推进可能带来可观增长。Aletheia预计，台积电先进制程晶圆收入将在2026年至2028年间翻倍，先进封装收入同期则可能增至四倍。
高盛则预计，台积电CoWoS产能2026年将达到127.5万片，约合每月10.6万片；2027年将同比大增114%至273万片（每月22.75万片）；2028年再增长27%至348万片，约合每月近29万片。

台积电上调2026年营收增长预期至44%，预计4Q26创新高；外资券商看好其业务表现，上调2027—2028年资本开支预测至最高1050亿美元，并关注2nm爬坡、毛利率压力与CoWoS扩产。

台积电2026营收预增44% 券商看高资本开支1050亿美元

随着 AI 负载对存储系统提出更高要求，传统 SSD 控制器在不过度增加功耗的前提下提升性能正面临越来越大的压力。据 ZDNet 报道，SK 海力士公布了超轻量级 Hynix Transaction Processing Unit（H-TPU）架构，旨在将存储控制任务分配到专用处理器上，从而提升效率。
负责 SoC 设计的 SK 海力士副总裁 Koo In-jae 表示，GPU 性能和 PCIe 带宽每一代都会翻倍，但 SSD 控制器中的通用 CPU 在运行频率和控制能力上难以跟上。传统 CPU 架构在处理存储控制所涉及的约 100 项功能时效率正在下降。Koo In-jae 解释称，通过增加 CPU 核心来提升性能也会推高功耗，并带来不可预测的流水线延迟。
为应对这些限制，SK 海力士开发了 H-TPU——一种专用于事务处理的超轻量级可编程处理器。与用于 AI 计算的张量加速器不同，H-TPU 负责 SSD 数据平面控制和事务处理。报道指出，该架构不依赖单个大型 CPU，而是把存储控制任务分配到数十个紧凑的 H-TPU 集群中。
据 Koo In-jae 介绍，H-TPU 去掉了超标量、乱序执行等复杂 CPU 特性，采用简化的四级流水线，使处理器面积降至传统 CPU 核心的约 4%，功耗降至约 2.5%。报道称，它还会仅激活每次操作所需的模块，让未使用模块保持低功耗状态，以进一步提升效率。
展望未来，报道强调，SK 海力士预计其基于 H-TPU 的控制器架构将与高带宽闪存（high-bandwidth flash，HBF）形成互补。HBF 是一种面向 AI 负载的新兴存储技术。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">SSD 控制器技术演进瞄准 AI 负载更高能效</h2>
AI 推理具有高度读密集型特征，常呈现一次写入、多次读取（write-once-read-many，WORM）的访问模式，读写比可达约 300,000:1。Koo In-jae 解释称，AI 编译器和运行时可以提前将即将到来的数据处理需求告知 HBF SoC，使控制器能够提前管理缓冲区并预取数据。报道指出，通过让 NAND 数据访问与计算并行推进，这一方法有望减少数据访问延迟并提升 AI 处理效率。
据 ZDNet 报道，在 H-TPU 基础上，SK 海力士计划推出硬件自动化（hardware automation，HWA），将指令处理、数据地址查找、临时缓冲区复制等重复性存储控制任务交给专用硬件电路。
与此同时，三星也在推进面向 AI 基础设施的 SSD 控制器技术。据 Yonhap News 报道，该公司于 2026 年 7 月开始量产基于 PCIe 6.0 的 PM1763 企业级 SSD，采用新开发的 4nm 控制器和第九代 V-NAND。三星表示，该硬盘的性能达到前代产品的两倍以上，能效超过前代的 1.8 倍。

SK海力士公布超轻量级H-TPU架构，将存储控制任务分配至专用处理器，面积降至传统CPU核心约4%、功耗约2.5%，以应对AI负载对SSD控制器的能效挑战。

SK海力士发布H-TPU架构，提升AI存储控制器能效

据Wccftech报道，一名韩国半导体工程师近日指控特斯拉对三星施加不公平合同条款，并称埃隆·马斯克（Elon Musk）的Terafab项目从三星位于得克萨斯州的晶圆厂挖角人才。该工程师在X平台使用账号@TTHUEONE，称特斯拉在AI5与AI6芯片合同中要求获取三星内部晶圆厂信息及审计权，同时大幅压低代工价格。他还称，Terafab已从三星得州Taylor晶圆厂挖走大量员工；特斯拉之所以转向三星晶圆代工（Samsung Foundry）代工AI5与AI6芯片，是因为台积电（TSMC）不愿满足其要求。
这些指控出现在马斯克近期就存储芯片价格发表评论之后。Wccftech指出，马斯克本周早些时候称赞美光（Micron），称其“对未来存储芯片价格一直很合理，而其他一些公司则是在漫天要价”（has been reasonable regarding future memory prices, while others have been extortionate）；这一表态被广泛解读为对三星的批评。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">Terafab引发三星人才与技术担忧</h2>
上述指控与韩国媒体Business Post在3月提出的担忧相呼应。该媒体当时警告，Terafab可能加剧其与三星在半导体人才和设备方面的竞争。报道指出，Terafab规划厂址距离三星Taylor晶圆厂仅30分钟车程，因而可能利用同一地区的劳动力和供应商网络。特斯拉当时已开始为该项目的半导体开发工程师岗位招聘。
更近的消息是，Financial News 10月12日报道称，三星已开始从韩国向Taylor晶圆厂派遣先进制程良率工程师，并在2027年按计划量产2nm之前扩大当地招聘。公司目标是2026年底让该晶圆厂投入运营，特斯拉是其关键客户之一。另外，Seoul Economic Daily 9月报道，三星已在该厂开始试产特斯拉AI5芯片，并在2027年全面量产前进行良率验证。
Business Post还提示了三星知识产权和制造诀窍可能面临的风险。报道强调，马斯克直接参与AI6芯片生产，包括计划在三星Taylor晶圆厂设立私人办公室；这暗示此类接触可能让其了解三星2nm运营情况，从而有利于Terafab的开发。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">特斯拉订单与台积电在Terafab中的潜在角色</h2>
特斯拉仍是三星晶圆代工业务的重要客户。根据韩国媒体AsiaToday此前的报道，特斯拉的AI5和AI6芯片订单预计将支撑三星Taylor晶圆厂的初期产能利用率。报道还指出，台积电若参与Terafab，可能使三星争取未来芯片订单的努力复杂化。
与此同时，台积电董事长C.C. Wei证实，公司正就Terafab进行讨论，但结果仍不确定。他强调，任何涉及台积电的晶圆厂都必须由台积电自己运营。根据路透社报道，这与马斯克10月7日的表态形成对比：马斯克称其公司将建设并运营Terafab，台积电可能转租部分设施，而非承担运营角色。

韩国半导体工程师指控特斯拉在AI5、AI6芯片合同中要求三星提供晶圆厂内部信息与审计权，并大幅压低代工价格；他还称Terafab从三星得州Taylor晶圆厂挖走大量人才。

特斯拉被指施压三星压低代工价 Terafab挖角得州晶圆厂人才

成熟制程晶圆代工产能持续收紧，可能促使三星电子为其智能手机显示芯片寻找更多供应商。据ZDNet引述行业消息，三星正考虑把格芯（GlobalFoundries）纳入OLED Galaxy智能手机显示驱动芯片（DDI）的代工体系，作为第二家合作伙伴。此举一旦落地，联电（UMC）在该类芯片制造中的独家角色可能结束。由格芯生产的DDI最早有望于2027年底应用于Galaxy智能手机。
首批采用这类芯片的机型，可能包括部分定位中低端的Galaxy A系列。报道称，三星正在评估格芯的22nm或28nm制程用于DDI生产，格芯在新加坡和德国拥有可匹配的制造设施。
这一潜在调整的背景是，自2025年下半年以来，成熟制程需求超过供给，限制了联电承接更多订单的能力。据ZDNet报道，Galaxy Z Fold8在7月发布后需求超出预期，三星曾要求联电加快DDI生产。但联电22nm DDI产能已触顶，无法满足这一请求。
若要满足三星要求，联电需要调整其他客户的生产排程。报道称，三星因此将9月Galaxy Z Fold8零部件计划产量下调10%，并把延后的产量转移至10月。
<h2 style="font-size:16px;font-weight:bold;color:#333;margin:20px 0 10px;line-height:1.4">联电产能趋紧，成熟制程价格压力上升</h2>
联电更广泛的产能前景也显示供应正在收紧。据《经济日报》报道，机构投资者预计，到2026年底，联电12英寸产能利用率将达到93%。这一预期受到三星System LSI与联咏（Novatek）22/28nm DDI订单增长，以及采用55/65nm制程的苹果Mac相关芯片需求的支撑。
供应趋紧反映出成熟制程制造领域的更广泛转变。TrendForce指出，晶圆代工厂正越来越多地将产能分配给利润率更高的AI相关应用，包括电源管理IC、功率器件、中介层（interposer）和光通信组件，同时减少对显示驱动IC、CMOS图像传感器等利润率较低产品的产能配置。
这一转变也在加大晶圆代工定价压力。TrendForce称，2026年第二季度至第三季度，部分产能受限的12英寸成熟制程已出现5%至10%的涨价迹象，2027年预计将有更广泛的涨价。

成熟制程产能持续收紧，三星考虑将格芯纳入OLED显示驱动芯片代工体系，联电独家供应局面或于2027年底被打破，部分Galaxy A系列机型可能率先采用。

三星拟引入格芯代工OLED显示驱动芯片，联电独家供应或终结

当地时间15日，特斯拉（Tesla）在美国得克萨斯州麦格雷戈的SpaceX测试场发布Roadster电动跑车，并展示其空中飞行能力。演示中，这辆车以倒置姿态冲上坡道，还一次性跃过五辆汽车。Roadster早在2017年就以原型车身份亮相，但九年来一直未推出；此次它借助太空公司SpaceX的推进技术再度登场。
当天，特斯拉在SpaceX位于得克萨斯州麦格雷戈的测试场演示了新款Roadster。特斯拉首席执行官埃隆·马斯克在开始前开玩笑说：“我无法保证成功，但可以保证100%有趣。”不过，两场未搭载驾驶员的演示均取得成功。
演示中，白色Roadster冲上一条像过山车一样向上弯曲的坡道，并在车身翻转倒置时保持稳定。离开坡道后，它在空中旋转并平稳落地。现场，Model 3、Model Y、Cybertruck、Semi卡车和Cybercab五辆特斯拉汽车排成一列，行驶中的Roadster跃入空中，一次性越过全部车辆。马斯克表示：“飞行汽车已成为现实。”
这辆车之所以能倒置行驶，甚至在空中改变方向，得益于特斯拉与SpaceX共同开发的两套装置。车身下方的强力风扇吸入空气，将车辆压向路面；在空中，则将高压储存的压缩空气作为推进器喷出，以抬升车身或改变方向。马斯克强调：“我们造出了一辆比詹姆斯·邦德电影里的车更好的车。”
压缩空气推进器还能在加速时提供额外推力。根据特斯拉的测试记录，Roadster从静止加速至60英里/小时（约97公里/小时）仅需0.81秒。特斯拉称其最高时速超过370公里，目标单次充电续航超过约480公里，较2017年发布时提出的约1000公里大幅缩水。
并非所有Roadster都具备跃入空中的能力。特斯拉推出三种版本：双座基础版“Performance”、增加加速推进器的“Thrust”，以及可进行空中机动的单座“Rocket”。其中，Rocket版本仅限受邀者预订。Performance和Thrust的预约费分别为5万美元（约6600万韩元）和25万美元（约3.3亿韩元），实际购车时将从车价中扣除。最终售价尚未公布。
此次演示中的空中机动功能能否用于公共道路尚不确定。Rocket版本尚未获准在一般道路上使用。
实际交付还要更久。特斯拉2017年首次发布新款Roadster时，曾承诺自2020年起交付，基础售价为20万美元（约2.6亿韩元）。但随着热门电动车量产、零部件短缺，以及自动驾驶和机器人业务被优先推进，该车上市多次推迟。最新给出的量产启动时间为2028年。
马斯克暗示，从长远看，新Roadster将成为特斯拉旗下唯一由人亲自驾驶的车型。正在加大无人驾驶（driverless）自动驾驶（Autonomous Driving）汽车和人形机器人（Humanoid Robot）研发力度的特斯拉，借这款作为公司起点的跑车再次炫示前沿技术。不过，除了炫目的演示之外，所展示技术有多少能进入实际量产车仍不清楚。

特斯拉在得州SpaceX测试场发布新款Roadster，演示倒置行驶、跃过五车等空中机动，搭载双方联合开发推进装置，推出三种版本，量产启动定于2028年。

特斯拉发布新款Roadster 演示空中机动 2028年量产

韩国电池企业正加快将LFP（磷酸铁锂）电池正极材料的采购来源从中国厂商转向韩国本土企业。业界认为，这一变化既是对美国《通胀削减法案》（IRA）下先进制造生产税收抵免（AMPC）所涉禁止外国实体（PFE）规则的回应，也有助于在韩国国内ESS（储能系统）中央合同市场招标中提高国内产业贡献评分。
据电池行业16日消息，LG Energy Solution（LG新能源）正与POSCO FUTURE M和L&amp;F就签署LFP正极材料供应合同进行最后阶段谈判。若能从上述两家公司获得LFP正极材料，LG Energy Solution将得以把原本依赖中国材料的供应链多元化。2024年，LG Energy Solution曾与中国公司ShangzhuliYuan签署LFP正极材料长期供应合同；如今又寻求与韩国材料企业签订供应合同，正式推进正极材料采购来源多元化。
在LG Energy Solution之前，Samsung SDI和SK On已分别与POSCO FUTURE M和L&amp;F签署LFP正极材料采购合同。10月6日，Samsung SDI与POSCO FUTURE M签约，将在2027年至2032年期间获得价值6万亿韩元的LFP正极材料。3月，Samsung SDI还与L&amp;F签署合同，将从2027年起三年内获得约1万亿韩元LFP正极材料。SK On决定从POSCO FUTURE M采购价值1万亿韩元的LFP正极材料，并从L&amp;F采购价值1600亿韩元的LFP正极材料。
电池电芯企业转向韩国材料供应商，是因为其即将扩大LFP电池生产。LG Energy Solution目前在中国和美国的工厂生产ESS用LFP电池，明年将在忠清北道梧仓（Ochang）生产年产能1吉瓦时（GWh）的ESS用LFP电池。Samsung SDI将于今年第四季度在美国印第安纳州开始量产ESS用LFP电池，并计划从明年起供应LFP电池。SK On正将忠清南道瑞山工厂的部分设施改造为ESS用LFP生产线，还计划利用美国佐治亚州工厂的部分设施生产ESS用LFP电池。SK On的ESS用LFP电池预计明年开始量产。
电池电芯企业推动确保韩国产LFP正极材料的背后，是美国关于禁止外国实体的规则。AMPC规则对与PFE相关的供应链设限；若使用由被指定为PFE的国家补贴的零部件，企业可能失去获得税收抵免的资格。
POSCO FUTURE M计划今年年底在其浦项工厂开始量产LFP正极材料。由POSCO FUTURE M与中国前驱体企业CNGR及其韩国子公司Fino共同设立的合资公司C&amp;P New Material Technology，正在浦项迎日湾第四一般产业园区建设LFP正极材料工厂。L&amp;F则通过全资子公司L&amp;F Plus扩大大邱的LFP正极材料产能。L&amp;F Plus已于5月完成工厂建设，并宣布计划在今年第三季度末实现年产3万吨（t）的规模化量产，随后到2027年上半年建立年产6万吨的生产体系。
ESS中央合同市场招标也被视为推动采用韩国产LFP正极材料的因素。韩国气候能源环境部和韩国电力交易所9月公布了总规模1180兆瓦（MW）的第三次ESS中央合同市场招标。在招标评估中，价格与非价格指标权重各占50%。在非价格指标的100分中，有25分分配给产业与经济贡献，用于评估材料与零部件国内生产、供应链贡献等因素。
一位电池行业相关人士表示：“不仅在美国，欧洲也在推动制定针对电池材料的监管规则，因此确保包括LFP正极材料在内的关键材料实现平衡供应，并将韩国产品纳入其中，具有意义。”

LG新能源正与浦项未来M和L&F谈判LFP正极材料供应，三星SDI、SK On已签约。韩企加快采购本土化，以应对美国IRA禁止外国实体规则，并提升ESS招标产业贡献评分。

韩国电池企业加速LFP正极材料采购本土化，应对IRA规则

晓星重工业（Hyosung Heavy Industries）在庆尚南道昌原新建出口专用超高压断路器工厂，以扩大全球供应链。此举遵循会长赵显俊（Cho Hyun-joon）的特别指示，旨在应对人工智能（AI）市场扩张导致的电力基础设施短缺加剧，并拓宽供应链。据公司16日介绍，新竣工工厂面积约18,996平方米，专门生产420kV（千伏）、550kV和800kV出口型断路器。新厂投产后，昌原园区的超高压断路器产能较此前翻倍。
晓星重工业进入超高压断路器市场已48年，1978年以开发170kV气体断路器起步；2024年成为韩国首家断路器累计产值突破10万亿韩元的电力设备企业。
公司计划依托出口专用工厂以及印度、美国及其他地区的本地生产设施，扩大在主要电力市场的供应。在欧洲，将以荷兰研发（R&amp;D）中心为核心，加强与当地电力技术机构的合作。
美国方面，晓星重工业6月与美国第一基础设施解决方案公司Quanta成立合资企业，成为韩国首家拥有本土超高压断路器生产能力的电力设备企业；公司还向孟菲斯超高压变压器工厂累计投资3亿美元（约4400亿韩元）。待正在进行的扩建完成后，该厂将具备美国最大变压器产能之一。
晓星重工业表示，新工厂基于赵显俊的判断：随着AI市场扩张，全球市场对电力基础设施的需求将持续增长。近期，全球市场“AI基础设施瓶颈”日益严重，电网难以跟上大型科技公司扩张AI数据中心的速度。
赵显俊表示：“AI产业发展必然给全球电网带来过载”，“我们必须通过对供应链的先发制人投资，成为解决AI瓶颈的关键合作伙伴。”

晓星重工业在昌原建成出口专用超高压断路器工厂，产能较此前翻倍，生产420kV至800kV产品，以应对AI扩张带来的电力基础设施短缺并扩大全球供应链。