GaN专利战升温：商业秘密争端后纳微半导体起诉瑞萨

化合物半导体市场的竞争持续升温，专利争端成为新的战场。纳微半导体已在得克萨斯州联邦法院对日本竞争对手瑞萨电子提起诉讼，指控其侵犯与下一代芯片技术相关的多项专利。

此次法律行动发生在瑞萨电子此前对纳微半导体提起商业秘密诉讼之后。双方争议围绕氮化镓功率器件展开，这类器件在高效电源转换中扮演关键角色。

随着AI数据中心对更高能效和功率密度的需求快速增长，氮化镓技术的商业价值进一步凸显，相关知识产权争夺预计将更加激烈。