英伟达Vera Rubin溢出效应由HBM扩散至NAND：CMX推动TLC现货价自6月低点反弹

随着英伟达Vera Rubin平台的量产节奏加快，AI服务器对存储器件拉货的溢出效应已不再局限于HBM，而是逐步传导至NAND闪存。近期供应链反馈，Rubin相关机型的存储配置明显向高容量TLC NAND倾斜，带动现货市场供需持续收敛。

数据显示，512Gb TLC NAND现货价格在6月经历阶段性回调后重新走强，8月17日已回升至21.125美元。业内分析认为，这一变化与Rubin产量提升带来的备货需求直接相关，尤其是CMX方案对大容量NAND颗粒的消耗速度快于预期。

从趋势看，AI基础设施扩建仍在延续，HBM与NAND之间的需求联动可能进一步加深。若Rubin后续放量顺利，TLC NAND现货价格仍有支撑，市场对存储原厂调价能力的预期也在升温。