中国闪存发布28nm第二代NOR Flash，单芯片容量达2Gb

中国的存储器产业正在加速突破，除长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC）等龙头企业外，更多中小厂商也在向先进制程迈进。据经济日报援引快科技（MyDrivers）报道，中国存储器开发商China Flash（中国闪存）已推出基于28nm工艺的第二代NOR Flash产品。

28nm制程的落地，使China Flash在NOR Flash主流竞争对手中占据明显制程优势。经济日报指出，台湾华邦电子（Winbond）目前采用46nm、58nm和65nm制程，旺宏电子（Macronix）则采用48nm、55nm和75nm制程。报道补充说，China Flash的第二代NOR Flash据称是首款突破40nm制程大关的NOR Flash产品。

除制程外，该公司还在冲击更高容量。快科技指出，其第二代NOR Flash单芯片容量最高可达2Gb，较第一代提升256倍。经济日报补充称，这是目前全球NOR Flash市场中已知的最大单芯片容量。

这一技术飞跃背后，是China Flash自研的二次电子倍增注入浮栅架构。快科技解释称，该架构利用二次电子效应提升浮栅的电荷注入效率，相比传统的热电子注入方式，具备更高的编程效率和更低的功耗。

关键挑战依然存在

China Flash的第二代NOR Flash在纸面上表现亮眼，但技术领先尚未在量产中得到验证。经济日报报道称，尽管该公司第一代8Mb NOR Flash累计出货量已超过6亿颗，但第二代产品目前才刚进入认证和量产阶段，其可靠性、良率以及大规模量产稳定性将是后续关注的重点。

市场体量是另一道门槛。据经济日报，全球NOR Flash市场仍由华邦电子、旺宏电子、英飞凌（Infineon）、美光（Micron）和兆易创新（GigaDevice）主导，而China Flash第一代产品（容量范围4Mb至512Mb）主要面向智能家居、物联网和智能控制平台等中低容量应用。报道指出，该公司因此仍属于全球前五名之外的利基型玩家。