英特尔先进封装锁定EMIB-T，2029年或迎规模化放量；排除重返DRAM制造
英特尔先进封装业务近期传出积极信号。在台积电CoWoS先进封装产能持续供不应求的情况下，越来越多系统大厂开始评估第二供应来源，英特尔的EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）技术成为关注焦点。谷歌等科技巨头据传正对英特尔的EMIB方案表达兴趣，试图在高性能计算、AI加速器等产品中导入更多元化的封装供应。
EMIB是英特尔提出的2.5D封装方案之一，通过将硅桥嵌入封装基板实现多颗芯片之间的高密度互连。与台积电CoWoS采用的硅中介层路线相比，EMIB在面积扩展、成本和良率控制方面具备一定灵活度，但在生态成熟度、产能规模与客户验证上仍处于追赶阶段。此次大客户表现出兴趣，反映出市场对先进封装第二供应来源的需求相当迫切。
英特尔首席财务官David Zinsner在德意志银行2026年科技会议上对外释放了更明确的路线信号。据其表述，英特尔先进封装将围绕EMIB-T这一技术主轴推进，预计到2029年才有望进入真正的规模化放量阶段。这一时间点表明，虽然客户意愿升温，但先进封装从验证、导入到大规模量产仍需数年周期。
与此同时，针对外界关于英特尔是否可能重新进入DRAM制造的猜测，Zinsner在会议中给予明确排除。英特尔当前战略仍聚焦于逻辑制程、代工服务与先进封装等核心方向，DRAM制造回归并不在规划之内。这也意味着，英特尔在先进封装上的投入将更加集中，EMIB-T被寄予厚望，成为后续代工业务差异化竞争的重要支点。
