SK海力士印第安纳封装厂破土动工：2029年Q3拟量产HBM4E，CEO称供应紧张持续至2030年

SK海力士在美国印第安纳州的先进半导体封装工厂已于8月27日正式破土动工。这是该公司在美国建立的第一座先进封装基地，投产后将重点承担高带宽存储器相关产品的封装任务。

按照规划，工厂洁净室将在2028年10月完工，随后进入设备安装和工艺调试。据目前披露的信息，该工厂计划于2029年第三季度启动HBM4E大规模量产，届时将成为SK海力士在美国本土推进新一代高带宽存储器封装的关键环节。

HBM4E面向下一代AI加速器和高性能计算系统，对封装密度、互连效率和散热能力都有更高要求。SK海力士在印第安纳州新建专用封装厂，有助于把先进封装工艺部署到更靠近客户和AI基础设施集群的位置。

SK海力士首席执行官表示，随着AI服务器对高带宽存储器的需求持续上升，HBM供应紧张状态预计将延续到2030年。公司正在同步推进产能扩张与工艺升级，以应对未来几年的中长期需求。