瑞萨发布首款100V增强型GaN FET，进军低压GaN市场
新闻摘要
- 瑞萨电子发布公司首款100V耐压增强型（E-mode）GaN FET，正式进入低压GaN市场。
- 产品采用从EPC获得授权的低压eGaN技术，同时由瑞萨自主完成产品化。
- 可将开关损耗降低40%～70%，并使系统功率密度最高提升至2倍。
瑞萨电子发布了公司首款100V耐压增强型（E-mode）GaN分立功率晶体管，共4款产品，从而将GaN产品组合扩展至低压应用领域。
新产品型号为RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC、RTP100E1P2G1FL-DSC，面向AI数据中心、人形机器人、工厂自动化（FA）、工业电机驱动、电动工具和光伏微型逆变器等场景。
借助EPC技术进入低压GaN市场
瑞萨在2025年6月举行的资本市场日上曾表示，除基于美国Transphorm技术、耐压超过600V的高压GaN外，还将把产品群拓展至40～200V的低压E-mode GaN。对于低压GaN，公司提出“LV GaN with external foundry and internal IP”方针，计划将外部代工与自有IP相结合。
此后在2026年2月，瑞萨与从事低压E-mode GaN业务的美国Efficient Power Conversion（EPC）签署了全面技术授权协议和第二供应商协议。公司表示将利用EPC的低压eGaN技术及供应链，同时开展合作，以建立低压GaN自有晶圆制造体系。
此次的100V耐压GaN FET使用了从EPC获得授权的技术，但产品规格、封装和散热结构等均由瑞萨自主开发。
开关损耗最高降低70%
新产品通过抑制总栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），缩短电压与电流重叠的时间，从而降低开关损耗。反向恢复电荷（Qrr）为零。
与同等GaN器件相比，硬开关性能指数（FOM）最高降低35%，软开关FOM最高降低63%。根据应用和功率转换方式不同，开关损耗可降低40%～70%，系统层面功率密度最高可提升至2倍。与基于Si的设计相比，效率也可提高1～3个百分点。
导通电阻（RDS(on)）覆盖1.2mΩ～5mΩ范围。散热方式可选底部冷却和双面冷却，以满足AI电源单元、DC/DC转换器和电机驱动电路等需求。
面向AI数据中心48V电源与机器人应用
AI数据中心正在推进向800V高压直流（HVDC）配电和48V总线架构迁移。利用GaN实现数MHz高频开关，可缩小变压器、电感等磁性元件以及基板面积，推动电源高效率和功率密度提升。
在人形机器人和工业电机中，新产品可用于减少多个驱动电路的损耗、发热和安装面积。为支持同步整流电路、多相降压转换器和电机驱动电路，瑞萨准备了导通电阻和封装不同的4款产品。
新产品采用与Si MOSFET兼容的封装尺寸（footprint），其特点之一是无需对现有基板进行大幅修改即可迁移至GaN。
从高压到低压完善GaN产品布局
瑞萨还提出将新产品与MCU、栅极驱动器和控制器等组合的“获胜组合”（Winning Combination），包括面向AI数据中心的“800V-48V DCX电力转换系统解决方案”和面向电机控制的“DC伺服系统解决方案”。
在基于Transphorm技术的650V级高压GaN基础上，再增加采用EPC技术的100V级低压GaN，可覆盖从AI数据中心电源输入到负载附近低压转换的环节。
此次新产品将2025年提出的进入低压GaN市场方针具体化，瑞萨表示将以AI数据中心、机器人和工业电机等为目标推进业务扩张。
