三星开发三款zNAND：zNAND-O拟2028年供样

随着 AI 工作负载推动对更专用存储解决方案的需求，据称三星电子正在扩大其下一代 NAND 闪存产品组合，以满足不同性能要求。据 ZDNet 援引行业消息人士称，该公司正处于开发三款 zNAND 产品的早期阶段：zNAND-O、zNAND-T 和 zNAND-I，分别面向不同的 AI 应用。

虽然三星尚未正式公布 zNAND-T 和 zNAND-I，但据报道两者均处于开发之中。zNAND-T 着眼于为高容量、高性能 AI 数据中心最大化吞吐量和带宽。报道称，与 zNAND-O 类似，它采用通过硅通孔（TSV）连接的垂直堆叠 NAND 裸片，这种架构通常与高带宽闪存（HBF）相关联。

与此同时，zNAND-I 旨在最大化每秒输入/输出操作次数（IOPS），该指标衡量存储设备每秒可完成的读写操作数量。与衡量特定时间段内可传输多少数据的带宽不同，IOPS 反映的是单个操作可执行的频率。报道指出，这使得高 IOPS NAND 特别适合需要频繁访问少量临时数据的 AI 推理工作负载，例如键值（KV）缓存。

三星目标 2028 年提供采用 TSV 设计的 zNAND-O 样品

报道称，三星此前于 8 月在美国一场存储行业活动上展示了 zNAND-O 的模型。zNAND-O 面向端侧 AI 设计，利用 TSV 垂直堆叠 4 或 8 颗 NAND 裸片，缩短数据传输路径，以提升速度和功耗效率。

据 NewsPim 报道，在此基础上，三星希望 zNAND-O 实现 DRAM 的 10 倍位密度，以及传统 NAND 的 7 倍读取带宽和 7 倍功耗效率。该产品旨在将类似 DRAM 的速度与 NAND 的高存储容量相结合，以应对生成式 AI 和大语言模型（LLM）不断增长的数据处理需求。NewsPim 的报道还称，三星计划于 2028 年开始供应 zNAND-O 样品。

SK hynix 开发三款 AI-NAND 产品，分别瞄准性能、密度和带宽

三星并非唯一针对不同 AI 工作负载开发 NAND 产品的公司。据 ZDNet 报道，SK hynix 于 2025 年下半年建立了 AI-NAND（AIN）系列，包含三类：AIN P（Performance，性能）、AIN D（Density，密度）和 AIN B（Bandwidth，带宽）。AIN P 聚焦性能，SK hynix 正在开发目标最高达 1 亿 IOPS 的产品。AIN D 优先提升 SSD 存储密度，目标容量最高达 PB（petabyte，拍字节）级。AIN B 则专注于提升带宽，与 HBF 颇为相似。