英飞凌与Wolfspeed签署200mm SiC晶圆多年供应协议
英飞凌与Wolfspeed签署200mm SiC晶圆多年供应协议
英飞凌科技（Infineon Technologies）与Wolfspeed于10月15日宣布，双方已签署针对200mm SiC（碳化硅）晶圆的多年供应协议。两家公司已建立20多年的SiC晶圆供应关系，并于2024年1月扩大并延长了150mm SiC晶圆的长期供应协议。此次新协议将200mm SiC晶圆纳入供应范围，将加速英飞凌从150mm向200mm制造的迁移。
200mm化提升SiC功率半导体制造效率
与150mm晶圆相比，200mm晶圆可增加单片晶圆上可用的芯片面积，因此有望提升功率半导体制造效率并降低单位衬底成本。不过，SiC晶圆在晶体缺陷控制和加工方面难度较高，随着晶圆直径扩大，还需要能够稳定质量和良率的技术，因此量产级别的大口径化此前进展缓慢。
英飞凌正在推进从多家供应商采购SiC衬底的多源战略。此次从Wolfspeed采购200mm SiC晶圆，将拓宽其基于200mm晶圆量产功率半导体所需的供应基础，并增强应对需求波动的能力和供应链灵活性。
英飞凌首席运营官（COO）Alexander Gorski表示，要履行对客户的长期供应责任，确保高质量且稳健的200mm衬底供应不可或缺。此次协议将在强化稳定供应的同时，提升未来增长所需的灵活性和可扩展性。
为马来西亚居林200mm SiC工厂提供原料保障
英飞凌正在奥地利菲拉赫工厂和马来西亚居林工厂推进200mm SiC功率半导体的生产。公司于2025年2月宣布开始供应基于200mm SiC晶圆的功率半导体产品。此次与Wolfspeed的协议，将为英飞凌扩大200mm SiC制造能力提供更强的原材料SiC晶圆供应保障。
对Wolfspeed而言，长期合同有助于确保200mm SiC晶圆的供货对象，并强化其作为SiC材料供应商的业务基础。Wolfspeed首席执行官（CEO）Robert Feurle表示，此次合同扩展建立在与英飞凌牢固关系的基础上；增加200mm晶圆供应将支持英飞凌长期的SiC需求。
AI数据中心成为SiC新需求来源
SiC功率半导体能够在抑制开关损耗的同时，在高温、高压环境下工作，因此正在电动汽车（EV）驱动系统、光伏发电逆变器、储能系统、工业电机驱动等领域得到采用。
两家公司还将AI数据中心定位为SiC功率半导体新的需求增长领域。随着GPU等计算设备的功耗上升，AI数据中心对包括电源系统在内的整体转换效率提出了更高要求，SiC被期待成为替代传统硅基方案的有力选择。
据Yole Group调查，全球SiC功率器件市场预计将从2024年的34亿美元扩大至2031年的111亿美元。电动汽车充电、可再生能源、储能系统、AI数据中心等预计将推动市场增长。Wolfspeed也于2026年6月设立面向AI数据中心电源解决方案的专职团队，并加强面向高密度、高效率电力转换的SiC器件布局。英飞凌将在扩大200mm SiC晶圆供应来源的同时，强化以居林为中心的生产体制；Wolfspeed则计划在衬底供应和功率器件两方面把握SiC市场扩张机会。两家公司通过将20多年的供应关系扩展至200mm，应对SiC功率半导体需求扩大和大口径化趋势。
