从平面到碳化硅 各代功率半导体工艺适配场景详解

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从平面工艺到沟槽工艺 然后到SGT啊 超结啊 再到第三代碳化硅 那么我们MDD的技术平台 是怎么样一步一步 盘出来的 每一代的升级主要是 解决客户什么样的痛点 确实是每一代它 都是有一些差异点 但是从平面到沟槽 屏蔽栅这些 只是应用的不一样 比如说像平面 你不能说现在超结出来了 平面就不用了 平面工艺它毕竟 是比较成熟的 一般现在应用于 这些高速吹风筒 它可以做到成本 比较关注的一个点 还有一个沟槽工艺 对一些开关速度比较高的 一般用在 信号类MOS比较多 像那些SOT-23的一些 23系列 34系列这些 还有像SGT工艺的话 它目前来说 首先第一个是内阻低 还有就是一个电荷量 开关速度 以及开关损耗比较低 一般应用于 高速的中低压电机 一般都是100伏以下为主 像超结工艺的话 比较应用一些大功率 对内阻要求比较高的 它可以把导通电阻给做低 当然它这个成本 也是会比较高的 到了第三代碳化硅的话 目前来说一个高频 高温以及高耐压 三方面的一个特点 它之前是由于 成本上的问题 现在可能成本做下来的话 有望和超结 一些性能的替代 目前来说 这个与驱动IC 相关性是比较高的 因为碳化硅的驱动电压 和传统的MOS 还是不一样的 20伏左右的一个开启电压 所以说每一个都是 针对不同的应用场景 这个我们会解决的痛点 是不一样的 所以不是说每个出来之后 就把以前的淘汰 它是针对不同的应用 做一个最合适的适配