湖南泰坦未来研发出中国首片12英寸多晶SiC衬底

据《长沙晚报》10月26日报道，湖南泰坦未来科技已研发出中国首片12英寸多晶碳化硅（SiC）衬底。

该公司位于长沙望城经济技术开发区，其衬底面向需要高导热性能的应用场景，包括AI计算芯片和先进封装。当前，高功率芯片的散热问题日益突出。

该衬底的热导率超过280 W/(m·K)，设计用作半导体封装结构中的导热基座，以缓解高功率芯片运行过程中的热量积聚。报道称，该产品目前正处于样品验证和小批量试产阶段，并已通过头部企业验证。

泰坦未来的技术基于中南大学粉末冶金研究院的研究成果，核心团队包括多名该校博士毕业生。此前，公司已完成6英寸和8英寸多晶SiC衬底的国产化开发。

与主要用于功率器件外延生长的单晶SiC衬底不同，泰坦未来的多晶SiC衬底主要定位于热管理，也可用作晶体生长载体和高温半导体加工的基底。

9月28日，由泰坦未来半导体（江苏）投资的项目在江苏省金湖经济开发区开工。该项目将建设高纯度、高密度SiC部件及多晶衬底的一体化制造基地。

该基地将主要生产面向半导体应用的高性能SiC部件和碳化钽（TaC）涂层产品。全面投产后，预计上述产品年产能达20万件，年销售额达6亿元，并新增税收3000万元。

泰坦未来计划在长沙、厦门和江苏金湖布局设施，各自承担不同职能。长沙将作为其技术开发与应用孵化中心；厦门基地则规划形成年产50万片复合SiC衬底的能力。