AI需求推高存储五大厂业绩:HBM4与企业级SSD拉动增收增益
新闻摘要
- 在AI需求与销售价格上涨推动下,存储五大厂实现大幅增收增益。
- DRAM由HBM4和服务器DDR5拉动,NAND由数据中心SSD拉动。
- 长期合约与大型投资持续推进,但PC和智能手机端的价格上涨成为风险。
Kioxia(铠侠)、SK hynix、Samsung Electronics(三星电子)、Micron Technology(美光科技)和Sandisk(闪迪)近期财报均已出炉。各公司决算期、会计准则和货币不同,不能简单比较金额,但共同点是AI数据中心存储需求扩大和销售价格上涨大幅推高了营收与利润。
- Kioxia:2026财年第二季度营收为2.48万亿日元,环比增长40.3%;营业利润为1.9947万亿日元,营业利润率达到80.4%。旺盛的数据中心需求和销售价格上涨推动业绩。
- SK hynix:2026年第三季度营收为104.6155万亿韩元,营业利润为83.3338万亿韩元,营业利润率达到80%。HBM4出货全面展开,搭载321层TLC NAND的企业级SSD销售也出现扩大。
- Samsung Electronics:负责半导体业务的DS部门营收为147.1万亿韩元,营业利润为106.5万亿韩元。通过扩大HBM4、服务器DRAM和SSD销售,存储业务营收和营业利润均创历史新高。
- Micron Technology:2026财年第四季度(2026年6—8月)营收从上一季度的414.56亿美元增至542.29亿美元,GAAP营业利润率为80.7%。
- Sandisk:2027财年第一季度(2026年7—9月)营收为110亿美元,环比增长23%;GAAP净利润为81亿美元。公司预计第二季度营收为122亿—126亿美元,并表示以数据中心业务为中心的增长将持续。
上述五家存储大厂近期财报概要由编辑部根据各公司发布资料整理;按1美元=159.23日元、1美元=1417.42韩元换算。
AI引发存储市场结构性转变
五家公司的财报显示,存储市场正从受PC和智能手机出货量左右的传统产业结构,转向与AI基础设施投资强联动的结构。
DRAM方面,不仅GPU和AI加速器连接的HBM需求扩大,AI服务器CPU侧使用的大容量DDR5、以低功耗为特点的SOCAMM等需求也在增长。SK hynix预计第四季度HBM4出货量和营收将超过HBM3E。Samsung也在扩大HBM4销售,并将面向新CPU/GPU平台的HBM、服务器DRAM和高速DDR5定位为重点产品。Micron除HBM外,还布局大容量DDR5 RDIMM和SOCAMM。AI服务器单台存储搭载金额正呈增长趋势,不仅包括HBM,也包括系统内存。
NAND专营两厂利润率因AI需求急升
此次财报中值得关注的是,AI需求红利不仅波及DRAM,也明显传导至NAND闪存市场。生成式AI的训练和推理需要保存AI模型、训练数据、检查点(checkpoint)、向量数据和KV缓存等。随着模型和处理对象规模化,高性能、大容量企业级SSD需求扩大。
Kioxia营业利润率超过80%,Sandisk营收环比增长23%,表明数据中心SSD增长和NAND价格上涨带动NAND专营企业盈利改善。Sandisk自上一财年起持续向高收益的数据中心产品转移结构。在2026财年第四季度财报时,公司营收环比增长51%至89.65亿美元,其中增收部分约三分之二来自价格上涨,约三分之一来自销量增加。
2026财年全年,Sandisk数据中心营收同比增长437%;2027财年第一季度数据中心业务继续以高于全公司的速度增长,第二季度预计进一步增收。NAND市场盈利改善不仅限于Kioxia,也扩展至Sandisk。两家公司共同运营四日市工厂,但产品结构、客户战略和销售合同的差异将左右各自盈利能力。
NAND从单纯存储介质进化为支撑AI处理的部件
AI数据中心中NAND的角色也在变化。传统上,SSD主要被定位为保存数据的设备,但在AI系统中,还需要无延迟地向计算装置供应所需数据,并补足有限的DRAM容量。可低成本存储大量数据的QLC SSD,以及支持高速读写的PCIe 5.0/6.0 SSD需求扩大。在推理处理中,将KV缓存分层保存到SSD的用途也在探讨。
SK hynix扩大采用321层TLC NAND的企业级SSD销售,并表示第四季度计划将321层产品提升至韩国NAND产能的一半以上。Samsung除服务器SSD外,还预计随着个人AI代理(personal AI agent)普及,QLC SSD需求将增加。Micron也通过支持PCIe 5.0/6.0的SSD等,强化面向AI数据中心的产品布局。
长期合约给存储市场带来变化
传统存储市场反复出现周期:需求扩大促使各公司增加设备投资,数年后导致供过于求和价格下跌。此次AI需求持续增长,存储厂商与云服务商等签订长期供应合约(LTA),在确认未来需求后再进行设备投资的动向正在各公司蔓延。例如,SK hynix表示已与包括大型云服务提供商在内的14家公司签署LTA,确保相当于2027年和2028年总产能50%以上的数量。
Samsung也表明通过多年合约稳定销售基础,Micron称战略客户合约提高未来业绩确定性。Sandisk扩大名为“New Business Model”的合约,将多年客户关系与财务承诺结合;截至2026财年第四季度已签署10项合约,推进向高附加值市场供应和收益稳定化。
此类合约普及可降低未确认需求就扩大设备投资的风险。另一方面,如果AI基础设施投资减速,对特定客户或特定用途的依赖可能同时影响多家公司业绩。
扩大供应能力需要时间
各公司都在推进增产投资,但短期内增加先进存储供应能力并不容易。HBM不仅需要DRAM晶圆,还涉及堆叠、键合、检测、先进封装等复杂工序。若将先进DRAM产能转向HBM,就会影响服务器、PC、智能手机等传统DRAM,这被认为是当前存储短缺原因之一。
SK hynix以先进工艺技术难度和新工厂建设前置周期为由,预测供不应求状态将持续到2030年。Samsung也认为2027年AI需求将大幅超过行业整体供应量。NAND方面,导入增加堆叠层数的新一代产品需要改变制造工艺、改善良率、开发SSD控制器和固件、通过客户认证,因此仅增加晶圆产量并不能提升数据中心SSD供应能力。
存储价格上涨成为PC和智能手机的逆风
AI需求成为存储市场推力,同时PC和智能手机市场受到影响。存储厂商越优先HBM、服务器DDR5、企业级SSD等高附加值产品,流向一般消费者的DRAM和NAND供应量就相对收紧;若必要数量无法获得,必然出现争夺,价格随之高涨,这是当前状况。
若PC和智能手机厂商能将所有涨价转嫁到产品价格当然好,但产品价格上涨会使消费者推迟换机。若厂商自行吸收,将挤压最终产品利润率,形成持续棘手局面。AI需求扩大存储厂商利润,而其价格上涨削弱一般设备需求,这一动向在预计持续紧缺的2027年也将成为主要风险。
竞争轴从产量转向产品与客户结构
基于五家财报,当前存储市场在DRAM和NAND双方均出现AI需求超过供应、销售价格和利润率上升的局面。不过各公司并非一律增加产量,而是将投资集中于HBM4、服务器DDR5、SOCAMM、企业级SSD、QLC SSD等高附加值产品,通过长期合约确保客户和数量后再扩大产能。
未来竞争力不仅取决于晶圆产能大小,还取决于HBM堆叠与键合技术、服务器平台认证、SSD控制器和固件、与客户共同开发、长期供应能力等综合实力,以及能否作为解决方案提供。同时经营DRAM和NAND的Samsung、SK hynix、Micron,与将经营资源集中于NAND的Kioxia、Sandisk,投资战略可能不同。尤其NAND专营两厂需要从外部采购DRAM,还必须考虑采购伙伴的产能和产出时机。业内也可见一些推进有望替代DRAM的技术开发的动向,但这些技术是否实际纳入产品、若搭载又在何时仍不透明;一旦此类动向显性化,也可能引发进一步市场变化。
半导体存储在AI需求背景下处于“只要生产就能获利”的状况,但随着AI进一步高功能化,存储被应用的领域也在扩大,正迈向在提供什么产品、面向什么客户、以何种形式和合约供应等方面展开竞争的时代。












