电子技术基础：电阻
电阻是表示导体对电流阻碍作用的大小，符号是&ldquo;R&rdquo;。电阻是一种使用得最多的电子元件，我几乎没有看到过一种没有内含电阻的电子设备。顾名思义电阻的作用主要是阻碍电流，下面我们对这个问题详细分析一下，看看电阻的具体作用。
为使通过用电器的电流不超过额定值或实际工作需要的规定值，以保证用电器的正常工作，通常可在电路中串联一个可变电阻。当改变这个电阻的大小时，电流的大小也随之改变。我们把这种可以限制电流大小的电阻叫做限流电阻。这是电阻的作用之一。
如图1所示，在给蓄电池充电的电路中，为了使充电电流不超过规定值，可在电路中接入限流的电阻。在充电过程中，适当调节接入电阻的大小，可使电流的大小保持稳定。再如在可调光台灯的电路中，为了控制灯泡的亮度，也可在电路中接入一个限流电阻，通过调节接入电阻的大小，来控制电路中电流的大小，这都是电阻的作用，从而控制灯泡的亮度。
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&nbsp;图1〈电阻的作用〉
电阻的分压作用 一般用电器上都标有额定电压值，若电源比用电器的额定电压高，则不可把用电器直接接在电源上。在这种情况下，可给用电器串接一个合适阻值的电阻，让它分担一部分电压，用电器便能在额定电压下工作。我们称这样的电阻为分压电阻。如图4所示的电路，当接入合适的分压电阻后，额定电压为3V的电灯便可接入电压为12V的电源上。又如我们常用的测电笔里有一个阻值很大的高电阻，它也是一个分压电阻。人体的电阻一般为高电阻的 ，这样人站在地面上用测电笔接触220的电源，那么测电笔中高电阻分压约为200V，人体承受的电压就只有20V，低于36V，这样就没有触电的危险了。再如在缺电流表测待测电阻的实验设计中，也常使用分压电阻与待测电阻串联，再利用分压公式，便可求出待测电阻的阻值了。（电路图设计如图5所示）
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&nbsp;图4
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电阻还有将电能转化为内能的作用 电流通过电阻时，会把电能全部（或部分）转化为内能。用来把电能转化为内能的用电器叫电热器。如电烙铁、电炉、电饭煲、取暖器等等
0欧姆电阻的作用: 1,在电路中没有任何功能，只是在PCB上为了调试方便或兼容设计等原因。 2,可以做跳线用，如果某段线路不用，直接不贴该电阻即可（不影响外观） 3,在匹配电路参数不确定的时候，以0欧姆代替，实际调试的时候，确定参数，再以具体数值的元件代替。 4,想测某部分电路的耗电流的时候，可以去掉0ohm电阻，接上电流表，这样方便测耗电流。 5,在布线时,如果实在布不过去了,也可以加一个0欧的电阻 6,在高频信号下，充当电感或电容。（与外部电路特性有关）电感用，主要是解决EMC问题。如地与地，电源和IC Pin间 7,单点接地（指保护接地、工作接地、直流接地在设备上相互分开,各自成为独立系统。） 8,熔丝作用
电阻的分流作用 当在电路的干路上需同时接入几个额定电流不同的用电器时，可以在额定电流较小的用电器两端并联接入一个电阻，这个电阻的作用是&ldquo;分流&rdquo;。例如：有甲、乙两个灯泡，额定电流分别是0.2A和0.4A，显然两灯泡不能直接串联接入同一电路。但若我们在甲灯两端并联一个合适的分流电阻（如图2所示），则当开关S闭合时，甲、乙两灯便都能正常工作了。
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&nbsp;图2 再如，在缺电压表测电阻的实验设计中，可设计如图3所示的实验电路，利用分流电阻R与待测电阻并联，借助于电流表测干路电流和分流电阻R中的电流，利用并联分流公式，可求出待测电阻 的阻值。如果只有一个电流表，可将电流表先后接在干路或不同的支路中测出I和 （或 和 或 和 ），也可求出 。
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图3
电阻的单位： 国际单位：欧姆，简称：欧（&Omega;）。
常用单位：兆欧（M&Omega;），千欧（k&Omega;）。
1&Omega;的含义：当导体两端电压为1V，通过的电流为1A，这段导体的电阻为1&Omega;
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电阻是表示导体对电流阻碍作用的大小，符号是“R”。电阻是一种使用得最多的电子元件，我几乎没有看到过一种没有内含电阻的电子设备。

电子技术基础：电阻

&nbsp;&nbsp;&nbsp; 保险丝管也叫保险丝，保险丝也被称为熔断器，IEC127标准将它定义为&ldquo;熔断体（fuse-link)&rdquo;。它是一种安装在电路中，保证电路安全运行的电器元件。保险丝的作用是：当电路发生故障或异常时，伴随着电流不断升高，并且升高的电流有可能损坏电路中的某些重要器件或贵重器件，也有可能烧毁电路甚至造成火灾。若电路中正确地安置了保险丝，那么，保险丝就会在电流异常升高到一定的高度和一定的时候，自身熔断切断电流，从而起到保护电路安全运行的作用。 &nbsp;&nbsp;&nbsp; 保险丝管的分类： &nbsp;&nbsp;&nbsp; 按使用范围分，可分为：电力保险丝、机床保险丝、电器仪表保险丝（电子保险丝）、汽车保险丝。 &nbsp;&nbsp;&nbsp; 按体积分，可分为：大型、中型、小型及微型。 &nbsp;&nbsp;&nbsp; 按额定电压分，可分为：高压保险丝、低压保险丝和安全电压保险丝。 &nbsp;&nbsp;&nbsp; 按分断能力分，可分为：高、低分断能力保险丝。 &nbsp;&nbsp;&nbsp; 按形状分，可分为：平头管状保险丝（又可分为内焊保险丝与外焊保险丝）、尖头管状保险丝、铡刀式保险丝、螺旋式保险丝、插片式保险丝、平板式保险丝、裹敷式保险丝、贴片式保险丝。 &nbsp;&nbsp;&nbsp; 按熔断速度分，可分为：特慢速保险丝（一般用TT表示）、慢速保险丝（一般用T表示）、中速保险丝（一般用M表示）、快速保险丝（一般用F表示）、特快速保险丝（一般用FF表示）。 &nbsp;&nbsp;&nbsp; 按品牌分，可以分为：胜名保险丝，力特保险丝，华德保险丝 &nbsp;&nbsp;&nbsp; 按标准分，可分为：欧规保险丝（VDE）、美规保险丝（UL）、日规保险丝（PSE）。 &nbsp;&nbsp;&nbsp; 按尺寸分可以分为：尺寸，3.6X10，3X10，5X20，6X30，6X32，6X25，10*38，2.4X7，2.5X6，3X8，2.5X9，8.5X8，8.5X8X4，3.5X10，3.5X9 &nbsp;&nbsp;&nbsp; 按电流分可以分为：32ma,63ma,100mA,150mA,200mA,250mA,300mA,400mA,500mA,600mA,800mA,1A,1.25A,1.6A,2A,2.5A,3A,3.5A,4A,5A,6A,7A,8A,9A,10A,12A,15A,20A,25A,30A &nbsp;&nbsp;&nbsp; 按材质分可以分为：玻璃电流保险丝，陶瓷电流保险丝 &nbsp;&nbsp;&nbsp; 保险丝管的选型： &nbsp;&nbsp;&nbsp; a)确定安全标志：根据产品将销售的市场要求，选定保险丝管的安全认证标志及安全标准（UL标准或IEC标准保险丝管）。 &nbsp;&nbsp;&nbsp; b)确定外型尺寸：根据安装空间和确定的安全认证标志及安全标准，选定保险丝管的外型尺寸。 &nbsp;&nbsp;&nbsp; c)确定型号：根据被保护回路的电流特性，选定保险丝管的型号。例如，被保护回路的电流特性为恒定电流，则选用快速熔断型。 &nbsp;&nbsp;&nbsp; d)确定额定电压：根据被保护回路的输入电压及使用要求，确定保险丝管的额定电压。例如，被保护回路的输入电压为220V，则须选用额定电压220V以上的保险丝管，可选250V、300V、350V等；但考虑成本因素，不必选用过高的额定电压。 &nbsp;&nbsp;&nbsp; e)确定最小额定电流：根据被保护回路的稳太工作电流及相关的使用折损系数，初步确定保险丝管的额定电流。例如，被保护回路的稳太工作电流为1A，选用UL标准延时保险丝管，工作环境温度约80℃，则保险丝管的额定电流最小选：1A&times;1.25&divide;0.5=2.5A。 &nbsp;&nbsp;&nbsp; f)确定保险丝管的最小I2T：根据被保护回路的浪涌I2T，确定保险丝管的I2T。例如，被保护回路的浪涌I2T为1（A2S），为保证保险丝管能承受10万次以上的冲击，保险丝管的I2T应大于：1&divide;0.2=5（A2S）。 &nbsp;&nbsp;&nbsp; g)确定保险丝管的额定电流：根据最小额定电流和最小I2T值，查产品目录中对应型号规格，取既大于最小额定电流值且其I2T值也大于最小I2T值的初级额定电流规格为选用保险丝管的额定电流。例如，依据以上最小值，（1）如额定电流2.5A的I2T为4.3 A2S，3A的I2T为5.4A2S，则取3A为选用保险丝管的额定电流；（2）如额定电流2A的I2T为5.3 A2S，2.5A的I2T为7.6A2S，则取2.5A为选用保险丝管的额定电流。

  保险丝管也叫保险丝，保险丝也被称为熔断器，IEC127标准将它定义为“熔断体（fuse-link)”。

保险丝管

1、检测前要了解集成电路及其相关电路的工作原理 　　检查和修理集成电路前首先要熟悉所用集成电路的功能、内部电路、主要电气参数、各引脚的作用以及引脚的正常电压、波形与外围元件组成电路的工作原理。如果具备以上条件，那么分析和检查会容易许多。
　　2、测试不要造成引脚间短路 　　电压测量或用示波器探头测试波形时，表笔或探头不要由于滑动而造成集成电路引脚间短路，最好在与引脚直接连通的外围印刷电路上进行测量。任何瞬间的短路都容易损坏集成电路，在测试扁平型封装的CMOS集成电路时更要加倍小心。
　　3、严禁在无隔离变压器的情况下，用已接地的测试设备去接触底板带电的电视、音响、录像等设备 　　严禁用外壳已接地的仪器设备直接测试无电源隔离变压器的电视、音响、录像等设备。虽然一般的收录机都具有电源变压器，当接触到较特殊的尤其是输出功率较大或对采用的电源性质不太了解的电视或音响设备时，首先要弄清该机底盘是否带电，否则极易与底板带电的电视、音响等设备造成电源短路，波及集成电路，造成故障的进一步扩大。
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　　4、要注意电烙铁的绝缘性能 　　不允许带电使用烙铁焊接，要确认烙铁不带电，最好把烙铁的外壳接地，对MOS电路更应小心，能采用6~8V的低压电路铁就更安全。
　　5、要保证焊接质量 　　焊接时确实焊牢，焊锡的堆积、气孔容易造成虚焊。焊接时间一般不超过3秒钟，烙铁的功率应用内热式25W左右。已焊接好的集成电路要仔细查看，最好用欧姆表测量各引脚间有否短路，确认无焊锡粘连现象再接通电源。
　　6、不要轻易断定集成电路的损坏 　　不要轻易地判断集成电路已损坏。因为集成电路绝大多数为直接耦合，一旦某一电路不正常，可能会导致多处电压变化，而这些变化不一定是集成电路损坏引起的，另外在有些情况下测得各引脚电压与正常值相符或接近时，也不一定都能说明集成电路就是好的。因为有些软故障不会引起直流电压的变化。
　　7、测试仪表内阻要大 　　测量集成电路引脚直流电压时，应选用表头内阻大于20K&Omega;/V的万用表，否则对某些引脚电压会有较大的测量误差。
　　8、要注意功率集成电路的散热 　　功率集成电路应散热良好，不允许不带散热器而处于大功率的状态下工作。
　　9、引线要合理 　　如需要加接外围元件代替集成电路内部已损坏部分，应选用小型元器件，且接线要合理以免造成不必要的寄生耦合，尤其是要处理好音频功放集成电路和前置放大电路之间的接地端。

检查和修理集成电路前首先要熟悉所用集成电路的功能、内部电路、主要电气参数、各引脚的作用以及引脚的正常电压、波形与外围元件组成电路的工作原理。

集成电路(IC)的检测常识

半导体基础知识（详细篇）
2.1.1 概念
　　根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。
<ol>
<li>导体：容易导电的物体。如：铁、铜等</li>
<li>绝缘体：几乎不导电的物体。如：橡胶等</li>
<li>半导体：半导体是导电性能介于导体和半导体之间的物体。在一定条件下可导电。 半导体的电阻率为10-3～109 &Omega;&middot;cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。</li>
</ol>
半导体特点： 　　 1) 在外界能源的作用下，导电性能显著变化。光敏元件、热敏元件属于此类。 　　 2) 在纯净半导体内掺入杂质，导电性能显著增加。二极管、三极管属于此类。
2.1.2 本征半导体
1.本征半导体&mdash;&mdash;化学成分纯净的半导体。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为&ldquo;九个9&rdquo;。它在物理结构上呈单晶体形态。电子技术中用的最多的是硅和锗。 　　硅和锗都是4价元素，它们的外层电子都是4个。其简化原子结构模型如下图：
　　外层电子受原子核的束缚力最小，成为价电子。物质的性质是由价电子决定的 。
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2.本征半导体的共价键结构
　　本征晶体中各原子之间靠得很近，使原分属于各原子的四个价电子同时受到相邻原子的吸引，分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有，并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。如下图所示：
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硅晶体的空间排列与共价键结构平面示意图
3.共价键
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　　共价键上的两个电子是由相邻原子各用一个电子组成的，这两个电子被成为束缚电子。束缚电子同时受两个原子的约束，如果没有足够的能量，不易脱离轨道。因此，在绝对温度T=0&deg;K（-273&deg;C）时，由于共价键中的电子被束缚着，本征半导体中没有自由电子，不导电。只有在激发下，本征半导体才能导电。
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4.电子与空穴
　　当导体处于热力学温度0&deg;K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。这一现象称为本征激发，也称热激发。
　　自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，原子的电中性被破坏，呈现出正电性，其正电量与电子的负电量相等，人们常称呈现正电性的这个空位为空穴。
电子与空穴的复合
　　可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合，如图所示。本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡。
空穴的移动
　　由于共价键中出现了空穴，在外加能源的激发下，邻近的价电子有可能挣脱束缚补到这个空位上，而这个电子原来的位置又出现了空穴，其它电子又有可能转移到该位置上。这样一来在共价键中就出现了电荷迁移&mdash;电流。
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　　电流的方向与电子移动的方向相反，与空穴移动的方向相同。本征半导体中，产生电流的根本原因是由于共价键中出现了空穴。由于空穴数量有限，所以其电阻率很大。
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空穴在晶体中的移动（动画）
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2.1.3 杂质半导体
 　　在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。
<ol>
<li>N型半导体</li>
</ol>
　　在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，可形成 N型半导体,也称电子型半导体。因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。k在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由杂质原子提供；另外，硅晶体由于热激发会产生少量的电子空穴对，所以空穴是少数载流子。
　　在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由杂质原子提供；另外，硅晶体由于热激发会产生少量的电子空穴对，所以空穴是少数载流子。
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N型半导体结构
　　提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。N型半导体的结构示意图如图所示。
<img src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-19/f0219793fd0c47828efc3fbe874c0750-mceu_190277047111605751923795.png" />
空穴&mdash;&mdash;少数载流子
所以，N型导体中的导电离子有两种：自由电子&mdash;&mdash;多数载流子（由两部分组成）；
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<ol start="2">
<li>P型半导体</li>
</ol>
　　在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓、铟等形成了P型半导体，也称为空穴型半导体。 　　 因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。当相邻共价键上的电子因受激发获得能量时，就可能填补这个空穴，而产生新的空穴。空穴是其主要载流子。
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P型半导体结构
　　在P型半导体中，硼原子很容易由于俘获一个电子而成为一个带单位负电荷的负离子，三价杂质 因而也称为受主杂质。 而硅原子的共价键由于失去一个电子而形成空穴。所以P型半导体的结构示意图如图所示。
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-19/1f79d29923744272aeb8ed00d745409c-mceu_602825957131605751975568.png" />
　　P型半导体中空穴是多数载流子，主要由掺杂形成；电子是少数载流子，由热激发形成。
<ol start="3">
<li>杂质对半导体导电性的影响</li>
</ol>
　　掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大的影响，一些典型的数据如下: 　　1.T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.4&times;1010/cmз
　　2.本征硅的原子浓度: 4.96&times;1022/cmз 　　3.掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度: n=5&times;1016/cmз
　　以上三个浓度基本上依次相差1000000/cmз 。
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　根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。

半导体基础知识（详细篇）

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<section>今日早晨，多家企业发布联合声明完成对荣耀的全面收购工作，今后华为不再持有新荣耀公司的任何股份。</section>
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<section><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-17/df63ece9a3e54e598aa1f8e9831be8e0-微信截图_20201117150149.png" alt="圣禾堂" width="534" height="774" /></section>
<section>随即华为回应了出售荣耀：一场自救行为，不占股经营，只为荣耀延续！双方的官宣也终结了业界的各种传闻。华为发表声明还表示，整体出售荣耀业务资产。对于交割后的荣耀，华为不占有任何股份，也不参与经营管理与决策。声明如下：</section>
<section><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-17/d3d92f83cf3a42239d42eb07358e716a-mceu_88974804251605596782152.png" width="756" height="398" /></section>
关于荣耀：
<section>荣耀（HONOR），是面向年轻人群的科技潮牌，主打潮流设计和极致性能。荣耀不断推出不同系列产品，致力于打造手机+IoT产品生态圈。荣耀的使命，是创造一个属于年轻人的智慧新世界。荣耀将持续为全球年轻人提供潮酷的全场景智能化体验，打造年轻人向往的先锋文化和潮流生活方式。</section>
<section></section>
<section><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-17/78d9663ea22d4aff869a1c5872307a7e-mceu_52874103161605596806151.png" /></section>
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<section>华为出售荣耀事件最终尘埃落定，此次收购事件彰显了产业链自救决心，同时也是市场化的投资行为。希望华为不再持股后的新荣耀能够一如既往的为消费者提供高品质，高性价比的智能终端，再次赢得消费者信任和青睐！</section>
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今日早晨，多家企业发布联合声明完成对荣耀的全面收购工作，今后华为不再持有新荣耀公司的任何股份。

华为官宣出售，今后再无持股，请让“荣耀”延续！

苹果苹果发布了他们全新的MacBook系列产品，很多人都在关注其使用的M1芯片，有的朋友甚至说古往今来只此一家，M1重新搭建生态，英特尔看到都得绕着走！下面我们深度剖析一下M1究竟有什么过人之处！
<div class="pgc-img"><img src="https://p26-tt.byteimg.com/img/pgc-image/2c57722dc0be42c9ba374d2c516f0bbe~tplv-tt-shrink:640:0.image" data-ic="false" data-width="640" data-height="360" data-ic-uri="" /></div>
<h3 class="pgc-h-arrow-right" spellcheck="false">一、 M1制作工艺：</h3>
苹果 M1芯片所采用的制作工艺是5nm 制程工艺，有购买了苹果12系列手机的小伙伴，一定都为同样采用5nm 制程工艺的A14处理器所折服了吧?相信同样采用了5nm 制程工艺的苹果 M1芯片的性能也是非常优异的。
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<div class="pgc-img"><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://p1-tt-ipv6.byteimg.com/img/pgc-image/302d5764599144fba05dd17b08ab1e26~tplv-tt-shrink:640:0.image" data-ic="false" data-width="1174" data-height="626" data-ic-uri="" /></div>
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<h3 class="pgc-h-arrow-right" spellcheck="false">二、 M1的晶体管</h3>
这次苹果公司带来的苹果 M1芯片的晶体管个数高达160 亿个，这和传统的笔记本芯片多了一倍以上，自然而然性能相较于市面上的其他笔记本有了更强的性能，根据发布会资料来看，这次苹果 M1的性能是传统笔记本的一倍以上。
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除此之外，苹果 M1在SOC中还将CPU、GPU、缓存和众多芯片集成在一起，并做到了将大部分的电脑接口和总线集合在一起。这一点传统电脑或者笔记本暂时是无法做到的。
<h3 class="pgc-h-arrow-right" spellcheck="false">三、苹果 M1芯片的GPU性能</h3>
苹果 M1芯片的GPU通用采用的是8核心设计，并采用了苹果公司目前所掌握的最先进的2.6 teraflops 的浮点运算能力。另外这款芯片的GPU功耗比是传统电脑GPU的两倍以上。完全可以说，苹果 M1芯片的GPU性能是全球最好的集成显卡了。所以说，苹果 M1芯片的CPU性能完全是能够吊打目前市面上的所有电脑和笔记本的。
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由于 M1 芯片与苹果 iPhone 和 iPad 中的芯片具有相同的 ARM 架构，因此为它们创建的应用程序可以在新的 Mac 产品上运行。这使得 macOS 成为目前应用生态最丰富的桌面操作系统。
借助于 M1 的强大性能，苹果打造了三款新的 Mac 产品&mdash;&mdash;MacBook Pro、MacBook Air、和 Mac mini。
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<div class="pgc-img"><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://p1-tt-ipv6.byteimg.com/img/pgc-image/885353dc775d40daaaa9a5f288a3fe9a~tplv-tt-shrink:640:0.image" data-ic="false" data-width="1190" data-height="564" data-ic-uri="" /></div>
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换了 Arm 架构都是好处没有坏处？细心的人可以发现这些新电脑上 USB C 接口的数量变少了，可能是由于 Arm 架构芯片带宽的限制，13 英寸的 MacBook Pro 竟只有两个 USB 接口，内存的最大配置也被限制在 16G。苹果操刀的 Arm 芯片，并没有在所有指标上和 X86 平齐，要想获得更完整的体验或许要等下一代。
因此，Mac 产品线正式向苹果芯片过渡，预计会花费两年时间！

苹果苹果发布了他们全新的MacBook系列产品，很多人都在关注其使用的M1芯片，有的朋友甚至说古往今来只此一家，M1重新搭建生态，英特尔看到都得绕着走！下面我们深度剖析一下M1究竟有什么过人之处！

从内到外，深度剖析让英特尔绕道走的苹果M1芯片

&nbsp;电阻器的规格标志方法目前，我国生产的电阻器品种繁多，要想、正确识别、使用电阻器，必须了解电阻器的规格标志方法。
1、直标法：用数字和单位符号在自电阻器表面标出阻值，其允许误差直接用百分数表示，若电阻上未注偏差，则均为&plusmn;20%。
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2、文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，其允许偏差也用文字符号表示。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值。
表示允许误差的文字符号
文字符号
D、F、G、J、K、M
允许偏差
&plusmn;0.5%、&plusmn;1%、&plusmn;2%、&plusmn;5%、&plusmn;10%、&plusmn;20%
3、数码法：在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。数码从左到右，第一、二位为有效值，第三位为指数，即零的个数，单位为欧。偏差通常采用文字符号表示。
4、色标法：用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。国外电阻大部分采用色标法。
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黑-0、棕-1、红-2、橙-3、黄-4、绿-5、蓝-6、紫-7、灰-8、白-9、金-&plusmn;5%、银-&plusmn;10%、无色-&plusmn;20%
当电阻为四环时，最后一环必为金色或银色，前两位为有效数字，第三位为乘方数，第四位为偏差。当电阻为五环时，最後一环与前面四环距离较大。前三位为有效数字，第四位为乘方数，第五位为偏差。

 电阻器的规格标志方法目前，我国生产的电阻器品种繁多，要想、正确识别、使用电阻器，必须了解电阻器的规格标志方法。

电阻器的规格标志方法

稳定性是表示电感线圈参数随环境条件变化而改变的程度。通常用电感温度系数&alpha;L 来评定线圈的稳定程度，它表示电感量相对泪度的稳定性，其用下式计算:
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-11-10/c40ca40c6df94afe985bbf7e41de756f-微信截图_20201110172059.png" alt="" width="392" height="132" />
电感温度系数主要是由于线圈导线受热作用后膨胀，使线圈产生几何变形而引起的。为了提高线圈温度的稳定性，可以采用热绕方法制作线圈:将绕制线圈的导线通上电流，使导线变热后再绕制线圈，这样可以使线圈冷却后收缩而紧贴在骨架上，不再容易发生受热后变形，相应地提高了稳定性。
 除了温度外，温度也会引起电感线圈参数的变化。例如，湿度增大时会使线圈的分布电容和损耗增大，使线圈的稳定性降低。为了防止湿度对线圈参数的影响，在制作电感线圈时，通常均要采取防潮措施，例如采用环氧树脂封装或进行浸渍处理。
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稳定性是表示电感线圈参数随环境条件变化而改变的程度。通常用电感温度系数αL 来评定线圈的稳定程度，它表示电感量相对泪度的稳定性

电阻的稳定性

前言：芯片产业链环节众多，分工程度极高，其中芯片制造是产业链核心环节。半导体产业链主要包括以下三大环节：IC 设计、晶圆制造加工以及封装测试、应用；
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半导体的蝴蝶效应，上游IC集成电路的价格上涨，带动其制造的原材料晶圆和覆铜板增长，终端产品带动原材料上涨情有可原，可今天要讲的是上游价格上涨带动中间技术操作封装测试的价格上涨？这是怎么一回事呢？让我们来一起看看吧！
<img class="img" style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://mp.dayu.com/dayu/image?t=1604997881136&amp;s=19cf8a019ceca424c4484dd49e40d7f1&amp;p=95a1f4676e59df62512298bbc5fd7f4ed0372e3c8bffc14f54833e09b46de4ef162f7ff7a067021c4cd12f9dd721eddbda2cd2bb69c773220f9d7fb78cb3f576e0cf4b0f4e20fdb7906014668db99b98&amp;w=3310df90a8c3abf931c10418091945e4" width="612" height="427" data-md5="c3e566a19a96f6109dccf4655566464c" data-alt="&nbsp;" data-infoed="1" data-width="641" data-height="447" data-format="jpeg" data-size="95244" data-phash="E427113BFC24A5DA" data-source="outsite" />
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一、随着芯片不断向微型化发展,工艺制程开始向着更小的5nm、3nm推进,已经越来越逼近物理极限,付出的代价也将越来越大；
以5G智能型手机为例，因为支援Sub-6GHz及mmWave（毫米波）多频段，手机核心处理器运算效能提升及增加AI核心，导致芯片需要设计更大的静态随机存取记忆体（SRAM）面积，芯片尺寸虽因制程微缩而缩小，但面积仅小幅缩减，所以需要更多的投片量来应用手机出货需求。
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另外，5G手机因功能增加而需要搭载的射频元件及功率放大器（PA）呈现倍增情况，电源管理IC及金氧半场效电晶体（MOSFET）搭载数量也大幅增加3成至5成，对相关搭配芯片数量增加也需要更多晶圆代工产能支援；同时需要更先进的封装技术支持；先进封装技术能够相对轻松地实现芯片的高密度集成、体积的微型化和更低的成本等需求,符合高端芯片向尺寸更小、性能更高、功耗更低演进的趋势。因此技术的提升与优化使得封测价格上涨；
二、由于5G局端及终端装置、人工智能及高效能运算强劲需求，加上疫情带来的宅经济，持续带动笔记本电脑及平板、网通设备等出货动能，造成晶圆代工厂下半年接单全线满载。不仅晶圆代工厂接单强劲，带动下游封测端同步受惠；
由于第三季来自手机厂、ODM／OEM厂的订单只增不减，包括意法（ST）、赛灵思（XILINX ）等业者已上调部分芯片价格，而且芯片交期拉长。虽然供应链的库存水位提高不少，但芯片厂接单量仍明显大于供给，且晶圆代工及封测产能供不应求，业界对于芯片价格在未来两个季度将涨价已有共识。从来使得晶圆代工及封测价格调涨；
<img class="img" style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://mp.dayu.com/dayu/image?t=1604997882040&amp;s=9d69a3a89892e3a04d50eda19e7dda1f&amp;p=95a1f4676e59df62512298bbc5fd7f4ed0372e3c8bffc14f54833e09b46de4ef91344bbf9ee41f4788cdcd617daffa1be77c9f02a214cdefd4a3145031c6540972ae1cceac75573b1391223fcf78ce97&amp;w=3310df90a8c3abf931c10418091945e4" data-md5="f392ef3edf161ed45f9cbc9f40fc163b" data-alt="&nbsp;" data-infoed="1" data-width="641" data-height="245" data-format="jpeg" data-size="42726" data-phash="9936E94D7222A9E9" data-source="outsite" />
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​总结：
一、是由于5G科技技术的提升需要更先进的封测技术，技术的提升加上设备要求更高，使得封测自然上涨；
二、是因为市场需求增大，订单增大，需求厂商价格的上涨带动封测价格的上涨！

芯片产业链环节众多，分工程度极高，其中芯片制造是产业链核心环节。半导体产业链主要包括以下三大环节：IC 设计、晶圆制造加工以及封装测试、应用；

半导体行业什么都涨价？芯片涨完晶圆涨，封装测试也要涨？

据外媒消息称，台积电可能已经被批准向华为继续供货了，不过供货的货源是被严格限制的，并不是恢复了所有。
<div class="img-mod" align="center"><img src="https://inews.gtimg.com/newsapp_bt/0/12747501725/641" width="501" height="310" data-width="400" data-height="263" /></div>
报道中提到，台积电获得许可是 28nm 等成熟的工艺，不包括 16nm、10nm、7nm、5nm 这些先进的制程工艺，这也就意味着台积电依旧不能为华为代工最新的麒麟 9000 处理器，这一处理器采用的是台积电目前最先进的 5nm 工艺。
<div class="img-mod" align="center"><img src="https://inews.gtimg.com/newsapp_bt/0/12747501666/641" width="571" height="397" data-width="400" data-height="263" /></div>
另外，像麒麟990、麒麟990 5G等7nm工艺芯片，台积电也是不允许生产的。
对于这个情况，有行业人士表示，如果台积电目前只是被允许上述条件跟华为供货的话，那么对华为手机业务并没有太多的意义。
<div class="img-mod" align="center"><img src="https://inews.gtimg.com/newsapp_bt/0/12747501797/641" width="546" height="317" data-width="400" data-height="263" /></div>
之前有消息称，在禁令开始前，华为已低调囤积了数月的 5G 基站核心芯片，至少到 2021 年都确保可用。
据靠近台积电的知情人士爆料，台积电自 2019 年底起开始扩大华为 5G 基站核心通讯芯片天罡的生产。在9月禁令生效前，台积电应华为要求共交付 200 多万颗 7 nm 天罡芯片。订单规模之大，一度让台积电高层质疑是否低估了 5G 的全球需求。
<div class="img-mod" align="center"><img src="https://inews.gtimg.com/newsapp_bt/0/12747501716/641" width="514" height="307" data-width="400" data-height="263" /></div>
知情人士称，华为已告知三大运营商，其零部件仍可支持 2021 年及以后的基站建设。华为方面至少从去年年底就已经开始交付未使用美国技术的 5G 基站。
据悉，台积电从9月15日以后，就无法再与华为有业务往来。华为具备芯片设计的自研能力，不具备生产能力，所以一直以来都由台积电等厂商代工。
<div class="img-mod" align="center"><img src="https://inews.gtimg.com/newsapp_bt/0/12747501770/641" width="527" height="332" data-width="400" data-height="263" /></div>
今年9月15日起，新禁令显示凡是使用了任何美国技术的芯片公司，都不能继续跟华为有任何合作，这也从根本上让华为失去了芯片的供应，
无芯可用的华为，现在更多的还是等待。之前，华为轮值董事长郭平曾表示，高通一直是华为重要的合作伙伴，过去十几年华为一直在采购高通芯片，而一旦他们获得美国许可，华为愿意使用高通芯片。
不过目前的情况是，高通、联发科等芯片厂商提出向华为申请供货的请愿，还没有被批准，何时批准也不得而知。

据外媒消息称，台积电可能已经被批准向华为继续供货了，不过供货的货源是被严格限制的，并不是恢复了所有。

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