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达林顿晶体管阵列
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描述：达林顿晶体管阵列 七路复制库存：194010复制
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描述：达林顿晶体管阵列 七路复制库存：20复制
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描述：达林顿晶体管阵列 -40℃~+85℃ 50V 七路 30V复制库存：88960复制
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描述：IC 通道复制库存：64265复制
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描述：达林顿晶体管阵列 50V 七路 30V 500mA复制库存：61725复制
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集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
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描述：达林顿晶体管阵列 50V 八路 30V 500mA复制库存：44817复制
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集电极电流(Ic)：500mA复制
最大输入电压(VI)：30V复制
工作温度：-20℃~+85℃复制
描述：达林顿晶体管阵列 七路复制库存：43851复制
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集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
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描述：达林顿管 ULN2402A复制库存：35151复制
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集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
最大输入电压(VI)：30V复制
描述：达林顿晶体管阵列 50V 七路 30V 500mA复制库存：33269复制
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通道数：七路复制
集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
最大输入电压(VI)：30V复制
描述：达林顿晶体管阵列 50V 七路复制库存：23635复制
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描述：-
库存：22450复制
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集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
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描述：达林顿晶体管阵列 50V 三路 500mA复制库存：20105复制
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集电极电流(Ic)：500mA复制
最大输入电压(VI)：30V复制
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描述：达林顿晶体管阵列 七路复制库存：18425复制
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通道数：七路复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
最大输入电压(VI)：30V复制
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描述：达林顿晶体管阵列 七路复制库存：103复制
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描述：IC PWR RELAY 7NPN 1:1复制
库存：2644复制
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集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
最大输入电压(VI)：30V复制
描述：达林顿晶体管阵列 -40℃~+85℃ 50V 七路 30V复制库存：10100复制
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集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
最大输入电压(VI)：30V复制
描述：达林顿晶体管阵列 -40℃~+105℃ 50V 七路 30V复制库存：9377复制
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集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
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描述：达林顿晶体管阵列 -40℃~+105℃ 50V 七路 30V复制库存：255复制
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集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
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描述：达林顿晶体管阵列 七路复制库存：9428复制
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集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
最大输入电压(VI)：30V复制
描述：达林顿晶体管阵列 七路复制库存：23复制
最小包 : 2500复制
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集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
最大输入电压(VI)：30V复制
描述：其他晶体管复制库存：8905复制
最小包 : 2500复制
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集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
最大输入电压(VI)：30V复制
描述：其他晶体管复制库存：2复制
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批次：五年外
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集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
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描述：晶体管-双极-BJT-阵列-7-NPN-达林顿-50V-500mA-表面贴装型-16-SO复制库存：8281复制
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集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
最大输入电压(VI)：30V复制
描述：其他晶体管复制库存：8260复制
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集电极漏电流(Icex)：50uA复制
描述：达林顿晶体管阵列 八路复制库存：8004复制
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集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
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描述：达林顿晶体管阵列 ULN2003AIPWR复制库存：6861复制
最小包 : 2000复制
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集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
最大输入电压(VI)：30V复制
描述：达林顿晶体管阵列 ULN2003 SOP-16复制库存：6733复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 1复制
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通道数：七路复制
集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
最大输入电压(VI)：30V复制
描述：SOP-16复制库存：6526复制
最小包 : 4000复制
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增量 : 1复制
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4000+￥0.277
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通道数：七路复制
集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
最大输入电压(VI)：30V复制
描述：达林顿晶体管阵列 50V 七路 30V 500mA复制库存：5720复制
最小包 : 2500复制
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增量 : 1复制
批次：两年内
1+￥0.298
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通道数：七路复制
集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
最大输入电压(VI)：30V复制
描述：达林顿晶体管阵列 50V 七路 30V 500mA复制库存：5405复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥0.509
3000+￥0.475
量大可议价
合计￥0.51
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通道数：七路复制
集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
最大输入电压(VI)：30V复制
描述：达林顿晶体管阵列 -40℃~+85℃ 50V 七路 30V复制库存：5000复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥1.37
2500+￥1.3
量大可议价
合计￥1.37
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通道数：八路复制
集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
最大输入电压(VI)：30V复制
描述：达林顿晶体管阵列 50V 八路 30V 500mA复制库存：4959复制
最小包 : 1500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：25+
1+￥0.875
50+￥0.672
1500+￥0.62
量大可议价
合计￥0.88
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描述：达林顿阵列功率驱动集成电路复制
库存：4873复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥0.406
5000+￥0.383
量大可议价
合计￥0.41
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数据手册复制
通道数：八路复制
集射极击穿电压(Vceo)：50V复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
最大输入电压(VI)：30V复制
描述：达林顿晶体管阵列 0℃~+70℃ 50V 八路 30V复制库存：4732复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.9126
2000+￥0.84132
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