三安光电携手西安电子科技大学、杭州镓仁半导体，实现氧化镓同质外延关键技术突破

近日，三安光电股份有限公司联合西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心及杭州镓仁半导体有限公司，在氧化镓同质外延技术研发中取得关键性突破。研究团队采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法，成功在氧化镓单晶衬底上生长出高质量的同质外延薄膜，晶体缺陷密度大幅降低，表面粗糙度与膜厚均匀性均达到器件级要求。

氧化镓作为超宽禁带半导体材料，因其约4.8 eV的带隙和高临界击穿场强，被认为是制备高压功率器件、深紫外探测器和射频开关的理想选择。然而，氧化镓同质外延长期面临层错、位错及界面态密度高等难题，制约了材料性能的充分释放。此次合作攻克了界面成核控制和台阶流优化等工艺瓶颈，外延薄膜的迁移率和载流子浓度精确可调，为垂直功率二极管和横向晶体管结构的开发提供了坚实的材料基础。

该成果标志着我国在氧化镓材料工程化领域迈出重要一步，有望加速新一代高能效、小型化电力电子系统的商用落地。三安光电表示，后续将围绕该技术布局中高压功率器件的中试验证，并与产业链上下游合作伙伴协同推进氧化镓产业生态建设。