SanDisk 突破 HBF 架构：新专利将处理器绑定至 NAND 瓦片，共享中介层叠堆 HBM

SanDisk 正加速高带宽闪存（HBF）的研发，这是一种通过垂直堆叠 NAND 闪存来提升带宽和能效的下一代架构。但该公司并未止步，还同步探索了更进一步的存储方案，从结构层面突破容量限制。

根据最新公开的美国专利（US 12,430,274 B2），SanDisk 提出了一种激进的集成方式：将处理器直接绑定在 NAND 瓦片（tile）之上，同时在同一块共享硅中介层（interposer）上堆叠高带宽内存（HBM）。该设计将计算单元与闪存阵列物理融合，极大缩短数据路径，有望显著降低延迟并提升系统吞吐量。

通过将处理器嵌入 NAND 层，并利用中介层连接 HBM 堆栈，这一架构实现了存储与逻辑的紧密耦合，打破了传统分离式设计带来的带宽瓶颈和容量扩展障碍。业内分析指出，该专利体现出 SanDisk 在高密度存储与异构集成领域的持续创新，也为未来数据中心和 AI 加速器提供了全新的互连范式。