南亚科技公布5A厂长期投资计划：2029年前投资上限达107亿美元，瞄准10纳米级DRAM并导入EUV

南亚科技正式将目光锁定在下一代DRAM制造领域，宣布一项规模空前的5A厂长期投资计划。根据规划，2026年至2029年间，该公司对5A厂的总投资上限将达到新台币3466亿元，折合约107亿美元。这一数字不仅刷新了南亚科技自身的资本支出纪录，也反映出其决心在先进存储器制程竞赛中抢占一席之地。

据了解，5A厂将肩负南亚科技制程迈入10纳米级DRAM的重任，并计划在关键生产环节导入极紫外光（EUV）光刻技术。这是南亚科技首次将EUV纳入DRAM量产路线图，标志着其制程布局从过去的20纳米世代直接向更先进节点跨越。业界分析认为，EUV的采用有助于大幅提升晶圆良率与效能，是南亚科技缩短与国际一线大厂技术差距的关键一步。

南亚科技目前仍以成熟制程DRAM产品为主力，面对三星、SK海力士、美光等竞争者已大规模量产1X、1Y、1Z纳米级DRAM的压力，此次5A厂投资计划展现了该公司全力追赶的企图心。公司内部评估，借由新厂导入10纳米级制程，将能进一步优化成本结构，并为DDR5及未来存储器接口升级打下稳固基础。

该计划资金来源将以自有资金与银行联贷为主，并依市场需求与进度分阶段执行。南亚科技表示，5A厂的产能将在2027年后逐步开出，初期目标锁定服务器与资料中心等高成长应用，后续再视情况扩产。整个投资计划显示南亚科技对全球DRAM需求长期看多的信心，同时也将带动台湾半导体上下游供应链的另一波扩产动能。