SK海力士美国首个HBM生产基地动工，总投资超40亿美元

SK海力士今天宣布，已于当地时间27日在美国印第安纳州西拉法叶的普渡大学霍洛韦体育馆，为其AI存储器的先进封装生产设施举行动工仪式。该工厂是SK海力士在美国设立的首个HBM（高带宽存储器）生产基地。

动工仪式上，印第安纳州州长迈克·布劳恩、美国参议员托德·扬、普渡大学校长米奇·丹尼尔斯、韩美同盟基金会主席罗伯特·艾布拉姆斯等美国政界和重要人士出席。韩国驻美大使康京和也到场。SK集团方面，副会长刘正俊、李亨熙，SK海力士CEO郭鲁正出席。

据SK海力士介绍，该工厂预计总投资超过40亿美元，计划于2028年10月启用洁净室，并于2029年下半年开始量产下一代HBM。在预期的商业化运营期间，该工厂预计将拥有约1000名员工，成为美国重要的HBM生产枢纽。

值得注意的是，这座印第安纳工厂是SK海力士在美国的首个HBM生产基地，其运营模式与韩国生产紧密协同。SK海力士在韩国生产的先进晶圆将运至印第安纳州，在那里完成先进封装和测试后，以‘美国制造’产品供应给美国客户。

此外，工厂还将配套建设“先进封装研发（R&D）测试平台”，供客户、大学和商业伙伴共同开发下一代封装技术，并快速推进原型制造与性能验证。

随着AI基础设施扩展竞争日趋激烈，这座连接SK海力士韩国与美国HBM生产的工厂，预计不仅有助于稳定美国半导体供应链，也将为强化美国在AI时代的经济与安全作出贡献。

美国参议员托德·扬表示：“SK海力士对西拉法叶的历史性投资进一步证明，印第安纳州正引领美国半导体产业的重建。该项目将创造高薪就业，加强我们的国家和经济安全，并确保未来技术在美国研发和制造。我很自豪能通过《芯片与科学法案》帮助促成这项投资，期待它未来数十年对印第安纳州民众和国家产生的影响。”

印第安纳州州长迈克·布劳恩表示：“这一项目将开启美国创新的新篇章，为印第安纳州带来数千个高薪工作，并强力推动区域经济发展。这对印第安纳州民众是一大胜利，对我们的经济是一大胜利，也是印第安纳州在未来产业竞赛中迈向顶尖的一大步。”

SK海力士对印第安纳州的投资预计将形成加强美国半导体生态系统、促进韩美经济合作的良性循环。当前，已有超过100家企业被考虑作为西拉法叶工厂的材料、零部件和设备供应商，这将支持该工厂的稳定运营，并进一步巩固美国AI生态系统。SK海力士还计划在先进封装设施建设及后续商业化运营期间，与当地和全国企业共同创造约7000个直接和间接就业岗位。

韩国驻美大使康京和表示：“SK海力士对印第安纳州的投资不仅是建设半导体制造设施，更是在美国建立首个AI存储器生产设施和研发中心，为培养半导体人才及加强与政府和外部组织的合作创造了独特模式。”

动工仪式上，SK海力士还与普渡大学签署了先进封装领域研发合作的谅解备忘录（MOU）。双方将加强研发合作，共同研究包括HBM在内的系统集成和先进封装技术。此外，SK海力士计划扩大在美国中西部地区培养和招募世界级人才的力度。

活动期间还建立了一项招聘合作伙伴关系，以纪念印第安纳州在朝鲜战争期间派遣约14万名士兵的特殊历史渊源。SK集团同意为退役的驻韩美军（USFK）军人提供新的就业和职业发展机会。为此，SK集团将作为招聘企业参与大韩商工会议所（KCCI）和韩美同盟基金会运营的“USFK退伍军人就业平台”，为两国的牢固伙伴关系做出贡献。

SK海力士CEO郭鲁正表示：“今天标志着美国和SK海力士共同开启AI新未来的日子。”他还说：“美国是AI创新的中心，汇集了顶级客户、一流研发能力和合作伙伴，印第安纳工厂将成为交付首批‘美国制造’HBM产品的门户。”他强调：“我们将扩大在美国的投资与合作，共同成长，成为塑造美国AI未来最值得信赖的伙伴。”