三星电机联合高通开发有机桥，加速AI先进封装布局

三星电机（Samsung Electro-Mechanics）正通过有机桥（organic bridge）技术加大在AI先进封装领域的布局。据The Elec援引消息人士称，三星电机与高通（Qualcomm）已联合开发用于2.1D封装的有机桥技术超过一年。目前两家公司正在评估内嵌有机桥、用于连接高通芯片的倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板的性能与可靠性。

报道称，三星电机还在与高通之外的多个客户开发采用有机桥的2.1D封装基板。该策略旨在避免依赖与英特尔（Intel）EMIB封装相关的知识产权（IP）。报道补充说，多家主要科技公司正在探索将有机桥作为硅基方案的潜在替代选择。

报道指出，有机桥的作用与英特尔嵌入式多裸片互连桥（EMIB）中使用的硅桥类似，都是在单一封装内连接多个裸片。关键区别在于，有机桥采用印制电路板（PCB）常用的有机材料，而非硅。

值得注意的是，三星电机还在寻求进入英特尔EMIB-T封装基板供应链。据ZDNet援引消息人士称，该公司已为EMIB开发封装基板样品数年，并正随着EMIB-T走向商业化而积极争取供应机会。目前，EMIB-T封装基板据称由四家公司供应：日本揖斐电（Ibiden）与新光电气（Shinko Electric）、台湾欣兴电子（Unimicron）以及奥地利奥特斯（AT&S）。

这一进展正值三星电机加大面向AI芯片的2.1D封装整体布局之际。在2026年9月举行的KPCA Show 2026上，该公司展示了无需硅中介层即可连接半导体芯片的2.1D封装基板技术，利用精细线路和高密度连接来满足AI半导体对高速互连的要求。

三星电机推进有机桥开发

The Elec的报道指出，三星电机正在制造带有腔体的FC-BGA基板，用于嵌入有机桥。公司正考虑有机桥的内部生产与外部采购两种方式，并已在自有试验线上小批量生产以进行评估。

三星电机为其有机桥技术设定了日益密集的互连目标。报道称，这些有机桥具有5至7层重布线层（RDL）线路，目标线宽与间距为1.5–2 μm，通孔尺寸为4–5 μm。公司希望实现每毫米500至1,000个连接的裸片间连接密度。

该开发还可能扩大三星的先进封装选项。三星晶圆代工（Samsung Foundry）预计将评估三星电机基于有机桥的FC-BGA基板的性能与可靠性。报道补充说，该晶圆代工部门还在开发多种先进封装技术，包括使用硅桥的2.3D Cube-E，以及基于有机RDL中介层的2.3D Cube-R。

与此同时，高通据悉正考虑将有机桥用于数据中心的大型多裸片半导体。该公司于2024年10月申请了一项“互连桥”（Interconnect Bridge）技术专利，该技术将单独制造的有机材料桥嵌入封装基板，以连接多个裸片。报道还提到，高通3月还在韩国招募了有机桥开发人员。