国产EUV光源原型机亮相工博会，商业化量产仍需三到五年

中国正在推进国产极紫外（EUV）光源技术，但在商业化生产前仍面临重大障碍。据 ijiwei 援引《解放日报》报道，Langdao Silex 在第二十六届中国国际工业博览会上发布了其首款 EUV 光源原型机。现场工作人员称，该系统国产化率为 90%，大部分核心部件为自主研发。其技术路线与国际领先供应商类似，可用于芯片曝光测试。

ICsmart 援引 Langdao Silex 官网规格称，其 FlintNano LPP-OXXO 低功率 EUV 光源基于激光产生等离子体（LPP）技术，具备 1,000W 驱动激光、1–20 kHz 重复频率、高于 2% 的转换效率、100W/mm²sr 亮度，以及超过 15W 的 EUV 输出。系统支持连续运行超过 100 小时，等离子体尺寸为 60 μm，等离子体稳定性为 3% RMS（均方根），能量稳定性为 5%。

ICsmart 报道称，公司的 FlintMicro-LPP 高功率 EUV 光源系列已完成原理验证，而低功率 FlintNano-LPP 系列已进入产品化阶段。

不过，Langdao Silex 技术人员表示，该原型距离大规模商业化量产还需三到五年，仍需进一步工程开发与优化。据 EE Times China 报道，主要挑战在于提高输出功率和改善长期运行稳定性。

中国 EUV 光源进展面临显著功率差距

Langdao Silex 的技术与商用 EUV 要求之间仍存在显著差距。ICsmart 指出，商用光刻系统通常需要能够持续可靠输出数百瓦功率的 EUV 光源。ASML 自 2018 年以来已在量产中使用 250W EUV 光源，并正在向 1,000W 迈进。

Langdao Silex 在工博会上展示的原型证明了其技术路径的可行性，但在准备工业应用之前仍有重大挑战。据 ICsmart 报道，从约 15W 的 EUV 输出提升至商业化量产所需的数百瓦，不仅需要大幅提升功率，还需在等离子体稳定性、光源寿命和系统集成可靠性方面实现重大改进。

挑战不仅限于光源本身。南华早报援引长江证券指出，商用 EUV 光刻系统还需要精密光学、晶圆台（wafer-stage）技术以及复杂系统集成。ASML 的 EUV 设备包含数十万个零部件，来自 800 多家供应商，凸显构建完整系统的复杂性。

Langdao Silex 构建覆盖 EUV 生态的多项能力

据 ICsmart 援引公司官网信息，Langdao Silex 成立于 2024 年，开发用于半导体光刻的高功率 LPP-EUV 光源，其应用延伸至更广泛的 EUV 生态系统，包括光刻胶和光掩模检测设备。

这一进展正值中国加大力度建设本土光刻能力。今年 7 月，路透社援引 The Information 报道称，中国已开始制造国产浸没式深紫外（DUV）光刻机，预计 2026 年向主要国内芯片制造商交付。不过，EUV 技术仍是要求更高的挑战，需要在多个关键子系统上取得进展。