ASML三季度营收116.62亿欧元创纪录，AI需求推动2027至2028年供不应求

要点

ASML 2026年第3季度营收达到创纪录的116.62亿欧元（约117亿欧元），净利润为49.6亿欧元。
在AI相关投资推动下，客户设备需求预期上修，部分客户开始关注2029年乃至2030年的订单。
现有供应计划无法满足2027年和2028年需求，ASML正考虑在2028年追加扩产。

ASML于10月14日发布了2026年第3季度财报。财报显示，该季度营收环比增长25.0%至116.62亿欧元，毛利润环比增长33.1%至67亿欧元，净利润环比增长70.0%至49.6亿欧元，创下公司季度营收历史新高。毛利率从上一季度的54.0%升至57.5%，营业利润率从37.1%升至44.4%。每股净利润从上一季度的7.59欧元增至12.95欧元。

ASML 2026年第3季度财报概要显示，营收为117亿欧元，设备营收为84亿欧元，Installed Base Management（IBM，已装机业务管理）营收为33亿欧元，毛利率为57.5%。

营收与净利润创过去5个季度新高

ASML季度营收从2025年第3季度的75.16亿欧元增至第4季度的97.18亿欧元；2026年第1季度为87.67亿欧元，第2季度为93.26亿欧元，第3季度扩大至116.62亿欧元。

净利润也从2025年第3季度的21.25亿欧元，增至第4季度的28.4亿欧元、2026年第1季度的27.57亿欧元、第2季度的29.18亿欧元，并在第3季度增至49.6亿欧元。

ASML过去5个季度业绩显示，2026年第3季度营收为116.62亿欧元，毛利润为67亿欧元，营业利润为51.73亿欧元，净利润为49.6亿欧元。

第3季度设备营收为84亿欧元，Installed Base Management（IBM）营收为33亿欧元。IBM指已交付设备的服务和现场选项（field options）营收；半导体厂商用于提升生产率的升级需求超出了预期。

ASML总裁兼CEO Christophe Fouquet表示，第3季度营收接近公司预期上限，原因是增产爬坡进展顺利，以及用于提升生产率的升级需求持续。他还表示，毛利率达到57.5%、高于公司预期，也受益于IBM营收超出预期。

半导体光刻设备销量121台

第3季度半导体光刻设备销量为121台，较上一季度的91台增加30台。该销量不含量测与检测设备。光刻设备中，新设备113台，二手设备8台；新设备较上一季度的86台增加27台，二手设备较上一季度的5台增加3台。按波长划分，EUV（极紫外）为17台，ArF浸没式为40台，ArF干式为10台，KrF为35台，i线为19台。

设备营收也从上一季度的66亿欧元增至84亿欧元，出货台数增加拉动了季度营收扩大。按用户基础看，存储器占46%，逻辑占51%。按国家/地区看，台湾以32%居首，其次是韩国31%、中国23%、美国13%，其余亚洲地区为1%；上一季度日本占4%，第3季度未再列出。

ASML设备营收季度比较显示，2026年第3季度设备营收为84亿欧元，较上一季度的66亿欧元有所增加。

AI需求下，部分客户关注2029年、2030年订单

ASML表示，基于对AI相关投资规模和持续时间的看法，客户纷纷上调短期和中期半导体制造设备需求预测，部分客户已开始关注针对2029年乃至2030年的设备订单。

在AI半导体领域，不仅用于AI加速器的先进逻辑芯片需求扩大，以HBM（高带宽存储器）为代表的先进半导体存储器，以及连接各芯片的先进封装需求也在扩大。

在先进逻辑和先进存储器制造中，随着工艺微缩和器件结构复杂化，EUV和DUV（深紫外）曝光次数可能增加。ASML也预计，先进逻辑和存储器工艺中的关键曝光工序将增加，并认为曝光技术将继续在客户技术创新中扮演核心角色。

预计2027年和2028年供不应求

此外，ASML表示，进入2026年后订单势头逐季增强，按照目前计划的2027年和2028年供应能力，无法完全满足客户需求。

该公司在2026年第2季度财报时曾表示，对于传统NA（=0.33）EUV光刻设备和浸没式DUV光刻设备，计划以2026年产能为基准，将2027年产能提高30%。

对于2028年，公司此前也在考虑进一步增产30%，但本次财报显示，公司正在研究如何确保超过此前所提30%增幅的产能。

ASML半导体光刻设备由光源、光学系统、工作台（stage）、量测、控制等大量高精度部件和子系统构成。因此，仅靠ASML自身提升组装能力无法提高产能，必须由整个供应链扩大部件和子系统供应能力。

另外，公司还表示，不仅会提高新设备供应能力，还将继续通过提供提升现有设备生产率的升级方案，帮助客户扩大其保有设备群的晶圆处理能力。

与TSMC推进12英寸光掩模实用化

在业务方面，ASML与TSMC正在推进将高NA EUV用光掩模大型化。高NA EUV光刻设备通过将投影光学系统数值孔径从传统EUV设备的NA=0.33提高到NA=0.55，可形成更细微的电路图案；但单次可曝光区域比传统EUV设备更小，因此制造大型芯片时，可能需要高精度拼接多次形成的图案（stitching）。

ASML与TSMC表示，将当前6英寸光掩模大型化为6×12英寸，相比使用两张掩模的曝光可实现超过40%的生产率提升。不过，12英寸光掩模实用化需要让掩模基板（mask blanks）、描绘、检测、缺陷修复、清洗、保管、搬运等整个光掩模供应链适应新尺寸。

ASML与TSMC正在推进高NA EUV用12英寸光掩模实用化，目标是相比使用两张掩模的曝光实现超过40%的生产率提升。

ASML与TSMC将不仅推进光刻设备，还将推进包括光掩模制造/检测设备、材料、搬运设备、EDA等在内的生态系统建设，以提升高NA EUV生产率和扩大量产规模。