英伟达要求HBM基础裸片统一用台积电3nm，三星保留2nm备选

据ZDNet此前9月的报道，三星在定制HBM上采取双轨策略，同时借助自有晶圆厂和竞争对手台积电生产基础裸片。《首尔经济日报》的最新报道进一步印证了这一策略，并披露英伟达已要求三星、SK海力士和美光，为其于8月发布的NVHBM采用台积电3nm工艺生产基础裸片。

这一举措使三星与台积电这两家晶圆代工竞争对手走得更近，尽管双方仍在争夺高通、特斯拉等主要客户。据报道，英伟达推动供应商统一生产，旨在确保HBM性能一致并简化产品验证。三星设备解决方案（DS）部门在内部审查后同意了相关要求。

除制造一致性外，台积电的良率优势似乎是另一关键因素。另一篇《首尔经济日报》报道指出，NVHBM的基础裸片设计复杂，需要先进逻辑制程；业内估计台积电3nm良率超过90%，而三星晶圆代工2nm（SF2）工艺良率约为60%。

NVHBM的定制基础裸片集成了传统上位于GPU中的内存控制器，凸显先进逻辑制程的必要性。英伟达称，与标准HBM4E相比，该技术可提供最高30%的额外内存带宽、降低15%的HBM功耗，并使XPU计算裸片面积增加25%。

不过，这一合作并非全新。据《首尔经济日报》报道，三星与台积电四年前首次合作，以确保HBM与台积电GPU封装工艺兼容。双方最新合作则更进一步，首次将关系延伸至HBM制造。

三星仍保留自有晶圆厂作为NVHBM基础裸片备选

尽管如此，三星仍将自有晶圆厂留在方案中。据《首尔经济日报》报道，由于台积电3nm产能面临AI加速器和智能手机芯片的竞争性需求，三星正在验证以2nm工艺生产NVHBM基础裸片，作为台积电产能受限时的潜在替代方案。

事实上，台积电在10月15日的财报电话会上提示3nm产能紧张。该节点占其第三季度晶圆销售额的33%，在所有制程节点中占比最大。据《经济日报》（Economic Daily News）报道，董事长兼CEO魏哲家宣布，除亚利桑那、日本熊本和台湾南部科学园区现有扩建项目外，计划在台南再建一座3nm晶圆厂。新增晶圆厂预计于2028年上半年开始量产。

除NVHBM外，三星仍致力于为标准HBM产品线自行生产基础裸片。据《首尔经济日报》报道，其今年早些时候进入量产的HBM4，以及正在进行量产验证的HBM4E，均采用三星晶圆代工4nm工艺生产基础裸片；其核心裸片则在其华城和平泽园区的1c DRAM产线上制造。

报道还称，三星计划继续为包括AMD在内的其他客户供应的定制HBM维持基础裸片生产的交钥匙模式，同时探索以自有2nm工艺作为NVHBM的替代方案。