长鑫存储三季度毛利率89.53% 营收增738.51% 推进LTA与4F² DRAM

在韩国存储巨头交出创纪录业绩后，中国长鑫存储（CXMT）也公布了亮眼业绩及关键业务进展。据21世纪经济报道，长鑫存储第三季度毛利率环比提升1.94个百分点至89.53%。相比之下，美光（Micron）截至2026年9月3日止季度的毛利率为87%，三星2026年第三季度合并毛利率为69.3%。

另据澎湃新闻报道，2026年前九个月，长鑫存储营收同比增长738.51%至2690.2亿元人民币，净利润由上年同期亏损转为1320.4亿元人民币。

但在业绩高增长之外，长鑫存储下一步走向何方？公司财报电话会释放出三大关键信息：长期供应协议（LTA）、4F²进展以及LPDDR6扩围计划。

LTA谈判推进，定价与海外对手相当

三星已与10家客户签订长期供应协议（LTA），SK海力士则与14家客户签约，长鑫存储也在加大力度。据21世纪经济报道，长鑫存储与多家主要客户的LTA谈判进展顺利，目标是锁定中长期需求。

据科创板日报报道，长鑫存储强调其产品定价总体与海外竞争对手相当。同时，公司预计2026年第四季度毛利率将保持稳定。

长鑫存储的定价说法与韩国Aju News 8月报道相呼应。该报道指出，长鑫存储部分产品定价已与韩国竞争对手相当，并提到苹果（Apple）据称正在测试长鑫存储的存储芯片，用于iPhone和MacBook。

不过，韩联社补充称，消费电子仍占全球存储需求的30%–40%，买家对涨价的抵触可能在接下来几个季度拖慢长鑫存储的盈利增长。

4F² DRAM通过关键验证

另据澎湃新闻报道，长鑫存储宣布，其基于4F²垂直沟道DRAM架构的第六代工艺平台已完成工程样品验证。报道称，这一里程碑表明，关键性能指标已在实际晶圆上达成，使该技术更接近量产。

该进展也让长鑫存储更接近其目标：在2026年底前完成面向服务器的4F² DDR5 RDIMM送样。澎湃新闻称，长鑫存储此前曾在学术论坛上讨论4F²进展，但最新进展是其首次公开确认第六代平台采用该架构。

不过，存储厂商的技术路线并不相同。澎湃新闻报道，美光已将4F²排除在路线图之外；SK海力士同时推进4F²垂直栅极（VG）技术和3D DRAM；三星也在竞逐，曾在ISSCC 2026上展示10nm级4F²研究，其CTO在10月重申将继续推进相关开发。

LPDDR6下一波扩围瞄准服务器与汽车

在向以小米为首的智能手机厂商出货LPDDR6的同时，长鑫存储正将目光投向汽车和服务器应用。

据Economy Tribune报道，在服务器级潜在应用中，第一种可能是CPU系统内存。英伟达（NVIDIA）已为其Vera CPU采用LPDDR5X，AMD也计划在下一代EPYC处理器中支持基于LPDDR5X的SOCAMM2。不过该报道指出，尽管中国已开发出搭载LPDDR的PC处理器，但在包括华为在内的主要本土服务器CPU厂商中，采用情况仍未得到确认。

报道称，第二种潜在应用可能是AI推理GPU的存储。今年早些时候，中国GPU开发商Sunrise公布了其Qiwang S3推理GPU的设计，该产品使用LPDDR6而非HBM，旨在提升存储容量、能效和成本竞争力。

总体来看，长鑫存储2026年第三季度的强劲业绩主要建立在供应紧张和价格上涨之上。下一项考验是，公司能否通过新产品发布、LTA落地转化以及应对消费需求可能走弱，来维持这一势头。