氧化锌压敏电阻存在的问题&nbsp;&nbsp; 现有压敏电阻在配方和性能上分为相互不能替代的两大类：&nbsp;&nbsp; 高压型压敏电阻&nbsp;&nbsp; 高压型压敏电阻，其优点是电压梯度高（100～250V/mm）、大电流特性好（V10kA/V1mA&le;1.4）但仅对窄脉宽(2&le;ms)的过压和浪涌有理想的防护能力，能量密度较小，（50～300）J/cm3。&nbsp;&nbsp; 高能型压敏电阻&nbsp;&nbsp; 高能型压敏电阻，其优点是能量密度较大（300J/cm3～750J/cm3），承受长脉宽浪涌能力强，但电压梯度较低（20V/mm～500V/mm），大电流特性差（V10kA/V1mA＞2.0）。&nbsp;&nbsp; 这两种配方的性能差别造成了许多应用上的&ldquo;死区&rdquo;，在10kV电压等级的输配电系统中广泛采用了真空开关，由于它动作速度快、拉弧小，会在操作瞬间造成极高过压和浪涌能量，如果选用高压型压敏电阻加以保护（如避雷器），虽然它电压梯度高、成本较低，但能量容量小，容易损坏；如果选用高能型压敏电阻，虽然它能量容量大，寿命较长，但电压梯度低，成本太高，是前者的5～13倍。&nbsp;&nbsp; 在中小功率变频电源中，过压保护的对象是功率半导体器件，它对压敏电阻的大电流特性和能量容量的要求都很严格，而且要同时做到元件的小型化。高能型压敏电阻在能量容量上可以满足要求，但大电流性能不够理想，小直径元件的残压比较高，往往达不到限压要求；高压型压敏电阻的大电流特性较好，易于小型化，但能量容量不够，达不到吸能要求。中小功率变频电源在这一领域压敏电阻的应用几乎还是空白。
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在中小功率变频电源中，过压保护的对象是功率半导体器件，它对压敏电阻的大电流特性和能量容量的要求都很严格，而且要同时做到元件的小型化。

氧化锌压敏电阻的优缺点分析

IGBT的构造和功率MOSFET的对比如图 1-1 所示。IGBT 是通过在功率MOSFET 的漏极上追加p+层而构成的，从而具有以下种种特征。
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(1) MOSFET的基本结构&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;(2) IGBT的基本结构
图 1-1 功率MOSFET 与IGBT 的构造比较
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1.1 电压控制型元件
IGBT 的理想等效电路，正如图 1-2 所示，是对pnp 双极型晶体管和功率MOSFET 进行达林顿连接后形成的单片型Bi-MOS晶体管。
因此，在门极&mdash;发射极之间外加正电压使功率MOSFET导通时，pnp 晶体管的基极&mdash;集电极间就连接上了低电阻，从而使pnp 晶体管处于导通状态。
此后，使门极&mdash;发射极之间的电压为0V 时，首先功率MOSFET 处于断路状态，pnp 晶体管的基极电流被切断，从而处于断路状态。如上所述，IGBT和功率MOSFET 一样，通过电压信号可以控制开通和关断动作。
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图 1-2 理想的等效电路
1.2 耐高压、大容量
IGBT和功率MOSFET 同样，虽然在门极上外加正电压即可导通，但是由于通过在漏极上追加p+层，在导通状态下从p+层向n 基极注入空穴，从而引发传导性能的转变，因此它与功率MOSFET 相比，可以得到极低的通态电阻。 解说（请参照图 1-1 阅读下面的解说）
下面对通过 IGBT 可以得到低通态电压的原理进行简单说明。
众所周知，功率 MOSFET 是通过在门极上外加正电压，使p 基极层形成沟道，从而进入导通状态的。此时，由于n 发射极（源极）层和n 基极层以沟道为媒介而导通，MOSFET 的漏极&mdash;源极之间形成了单一的半导体（如图 1-1 中的n 型）。它的电特性也就成了单纯的电阻。该电阻越低，通态电压也就变得越低。但是，在MOSFET 进行耐高压化的同时，n 基极层需要加厚，（n 基极层的作用是在阻断状态下，维持漏极&mdash;源极之间所外加的电压。因此，需要维持的电压越高，该层就越厚。）元件的耐压性能越高，漏极&mdash;源极之间的电阻也就增加。正因为如此，高耐压的功率MOSFET 的通态电阻变大，无法使大量的电流顺利通过，因此实现大容量化非常困难。
针对这一点，IGBT 中由于追加了p+层，所以从漏极方面来看，它与n 基极层之间构成了pn 二极管。因为这个二极管的作用，n 基极得到电导率调制，从而使通态电阻减小到几乎可以忽略的值。因此，IGBT 与MOSFET 相比，能更容易地实现大容量化。
正如图 1-2所表示的理想的等效电路那样，IGBT 是pnp 双极型晶体管和功率MOSFET 进行达林顿连接后形成的单片级联型Bi-MOS 晶体管。此外，IGBT 与双极型晶体管的芯片和功率MOSFET 的芯片共同组合成的混合级联型Bi-MOS 晶体管的区别就在于功率MOSFET 部的通态电阻。在IGBT 中功率MOSFET部的通态电阻变得其微小，再考虑到芯片间需要布线这一点，IGBT 比混合级联型Bi-MOS 晶体管优越。

IGBT的构造和功率MOSFET的对比如图 1-1 所示。IGBT 是通过在功率MOSFET 的漏极上追加p+层而构成的，从而具有以下种种特征。

IGBT元件的构造与特征

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 ​12月29日，功率IC大厂AOS（万代半导体）发出涨价通知函。通知函中表示：&ldquo;自2021年1月1日起，所有产品的价格将提高20%&rdquo;。 
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 万代半导体：Alpha and Omega Semiconductor, Group（简称&ldquo;AOS集团&rdquo;）是一家集半导体设计、晶圆制造、封装测试为一体的企业，主要从事功率半导体器件（含功率MOSFET、IGBT和功率集成电路产品）的产品设计和生产制造。 AOS公司目前在美国俄勒冈有一座8英寸晶圆厂、在上海松江有二座封装工厂，在美国硅谷、台湾、上海均设有研发中心。产品市场涉及笔记本电脑、液晶电视、手机、家电、通讯设备、工业控制、照明应用、汽车电子等领域。 
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从9月份芯片现货市场涨价初露苗头，到由晶圆紧缺引发的&ldquo;多米诺骨牌效应&rdquo;不断传导：材料涨、封装涨、国产芯片涨、汽车芯片短缺，再到近期瑞萨、NXP、ST接连发布涨价函，这次AOS的涨价其实在意料之中。
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结合目前获取的信息，我们认为AOS此轮涨价大概有以下原因： 
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1.生产成本增加
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从AOS的涨价函中可以看出，其涨价的主因在于：生产成本的上升。 
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近年来万代半导体的新产品研发重点放在5G基站电源、数据中心电源、新能源车充电桩、太阳能逆变器需要的产品上，包括大功率Super Junction高压MOSFET、高效率SGT中压MOSFET、POL用的低压MOSFET、Power Stage的技术平台，以及高功率密度的新型封装。 
拿MOSFET来举例。晶圆代工产能不足，MOSFET相关业者受影响最大，不仅遭遇晶圆代工厂涨价还可能面临要不到产能、供货受阻的问题，就算加价投片顺利拿到芯片，也无法适时将成本反映给客户。 
另外，晶圆代工业者指出，较高阶的MOSFET产品，利用制程技术与IC较为相近，因此产能也受到排挤。
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2.品牌涨价效应
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受原材料上涨影响，自11月份以来，国内外IC厂商掀起一阵涨价潮。瑞萨、NXP、ST已经陆续发布涨价函，当下AOS发布涨价函则显得不再突兀。
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3.供需的失衡
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还是用MOSFET来举例，受益于新能源汽车、5G基站、变频家电等下游需求强劲，叠加&ldquo;新基建&rdquo;、第三代半导体等政策全力助推，快充充电头、光伏/风电装机、城际高铁交通对功率器件的需求也正快速扩张，MOSFET产品需求极其旺盛。
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但是由于芯片设计厂商MOSFET产品在抢占产能时的优先级略低于电源管理IC产品，因此造成缺货迹象尤为明显。 
纵观本次芯片涨价行情，从早期的8寸晶圆紧缺调涨，到部分芯片产品上涨，再到封装、硅片原材料的上涨，大有涨价蔓延之势。 
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市场瞬息万变，芯片大厂蠢蠢欲动，无论是现货市场涨幅惊人的芯片现货还是芯片大厂握在手里的涨价函和延期、跳票等通知，都像一颗定时炸弹一样拨动着IC人紧绷的神经。
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值得关注的是，本次涨价影响因素复杂，既有电子淡旺季、疫情后回补、购物季等因素牵制，又有产能受挫、企业并购等因素影响，后续走势仍需持续观察。 
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转载自：*辣笔老芯公众号

12月29日，功率IC大厂AOS（万代半导体）发出涨价通知函。通知函中表示：“自2021年1月1日起，所有产品的价格将提高20%”。

原厂涨价函接二连三，希望这是2020年的最后一张！

<h1 style="text-align: center;">0欧姆电阻的作用</h1>
&nbsp;
在电路设计过程中，我们经常要用到0欧姆电阻，对于初学者来说，很难理解它的真正作用，下面我们作详细介绍：
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零欧姆电阻的主要作用有如下：
1、在电路中没有任何功能，只是在PCB上为了调试方便或兼容设计等原因。
 2、可以做跳线用，如&nbsp;果某段线路不用，直接不贴该电阻即可（不影响外观）。
 3、在匹配电路参数不确定的时候，以0欧姆代替，实际调试的时候，确定参数，再以具体数值的元件代替。
 4、想测某部分电路的耗电流的时候，可以去掉0ohm电阻，接上电流表，这样方便测耗电流。
 5、在布线时,如果实在布不过去了,也可以加一个0欧的电阻。
 6、在高频信号下，充当电感或电容。（与外部电路特性有关）电感用，主要是解决EMC问题。如地与地，电源和IC Pin间。
 7、单点接地（指保护接地、工作接地、直流接地在设备上相互分开,各自成为独立系统。）
8、熔丝作用；
 9、单点接地，只要是地，最终都要接到一起，然后入大地。如果不接在一起就是"浮地"，存在压差，容易积累电荷，造成静电。地是参考0电位，所有电压都是参考地得出的，地的标准要一致，故各种地应短接在一起。人们认为大地能够吸收所有电荷，始终维持稳定，是最终的地参考点。虽然有些板子没有接大地，但发电厂是接大地的，板子上的电源最终还是会返回发电厂入地。如果把模拟地和数字地大面积直接相连，会导致互相干扰。不短接又不妥，理由如上有四种方法解决此问题：
（1）用磁珠连接；
（2）用电容连接；
（3）用电感连接；
（4）用0欧姆电阻连接。磁珠的等效电路相当于带阻限波器，只对某个频点的噪声有显著抑制作用，使用时需要预先估计噪点频率，以便选用适当型号。对于频率不确定或无法预知的情况，磁珠不合。
 磁珠的等效电路相当于带阻限波器，只对某个频点的噪声有显著抑制作用，使用时需要预先估计噪点频率，以便选用适当型号。对于频率不确定或无法预知的情况，磁珠不合。电容隔直通交，造成浮地。电感体积大，杂散参数多，不稳定。
 0欧电阻相当于很窄的电流通路，能够有效地限制环路电流，使噪声得到抑制。电阻在所有频带上都有衰减作用(0欧电阻也有阻抗)，这点比磁珠强。
 10、跨接时用于电流回路，当分割电地平面后，造成信号最短回流路径断裂，此时，信号回路不得不绕道，形成很大的环路面积，电场和磁场的影响就变强了，容易干扰/被干扰。在分割区上跨接0欧电阻，可以提供较短的回流路径，减小干扰。
 11、配置电路，一般，产品上不要出现跳线和拨码开关。有时用户会乱动设置，易引起误会，为了减少维护费用，应用0欧电阻代替跳线等焊在板子。空置跳线在高频时相当于天线，用贴片电阻效果好。
 12、其他用途，布线时跨线；调试/测试用；临时取代其他贴片器件；作为温度补偿器件；更多时候是出于EMC对策的需要。另外，0欧姆电阻比过孔的寄生电感小，而且过孔还会影响地平面（因为要挖孔）。
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在电路设计过程中，我们经常要用到0欧姆电阻，对于初学者来说，很难理解它的真正作用，下面我们作详细介绍

0欧姆电阻的作用

电阻的PCB封装常用的有：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列 电阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4
&nbsp;
贴片电阻的封装 0603表示的是封装尺寸 与具体阻值没有关系，但封装尺寸与功率有关通常来说如下：
0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W
&nbsp;
电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是：
0402=1.0mmx0.5mm 0603=1.6mmx0.8mm 0805=2.0mmx1.2mm 1206=3.2mmx1.6mm 1210=3.2mmx2.5mm 1812=4.5mmx3.2mm 2225=5.6mmx6.5mm
&nbsp;
零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念因此不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也可有不同的零件封装。像电阻，有传统的针插式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD）这种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再把SMD元件放上，即可焊接在电路板上了。
&nbsp;
关于零件封装我们在前面说过，除了DEVICE LIB库中的元件外，其它库的元件都已经有了固定的元件封装，这是因为这个库中的元件都有多种形式：以晶体管为例说明一下：
晶体管是我们常用的的元件之一，在DEVICE LIB库中，简简单单的只有NPN与PNP之分，但实际上，如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO&mdash;3，如果它是NPN的2N3054，则有可能是铁壳的TO-66或TO-5，而学用的CS9013，有TO-92A，TO-92B，还有TO-5，TO-46，TO-52等等，千变万化。
&nbsp;
还有一个就是电阻，在DEVICE库中，它也是简单地把它们称为RES1和RES2，不管它是100&Omega;还是470K&Omega;都一样，对电路板而言，它与欧姆数根本不相关，完全是按该电阻的功率数来决定的我们选用的1/4W和甚至1/2W的电阻，都可以用AXIAL0.3元件封装，而功率数大一点的话，可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。现将常用的元件封装整理如下：
电阻类及无极性双端元件AXIAL0.3-AXIAL1.0
无极性电容RAD0.1-RAD0.4
有极性电容RB.2/.4-RB.5/1.0
二极管DIODE0.4及 DIODE0.7
石英晶体振荡器XTAL1
晶体管、FET、UJT TO-xxx(TO-3,TO-5)
可变电阻（POT1、POT2）VR1-VR5
当然，我们也可以打开C:\Client98\PCB98\library\advpcb.lib库来查找所用零件的对应封装。
这些常用的元件封装，大家最好能把它背下来，这些元件封装，大家可以把它拆分成两部分来记如电阻AXIAL0.3可拆成AXIAL和0.3，AXIAL翻译成中文就是轴状的，0.3则是该电阻在印刷电路板上的焊盘间的距离也就是300mil（因为在电机领域里，是以英制单位为主的。同样的，对于无极性的电容，RAD0.1-RAD0.4也是一样；对有极性的电容如电解电容，其封装为RB.2/.4，RB.3/.6等，其中&ldquo;.2&rdquo;为焊盘间距，&ldquo;.4&rdquo;为电容圆筒的外径。
&nbsp;
值得我们注意的是晶体管与可变电阻，它们的包装才是最令人头痛的，同样的包装，其管脚可不一定一样。例如，对于TO-92B之类的包装，通常是1脚为E（发射极），而2脚有可能是B极（基极），也可能是C（集电极）；同样的，3脚有可能是C，也有可能是B，具体是那个，只有拿到了元件才能确定。
&nbsp;
因此，电路软件不敢硬性定义焊盘名称（管脚名称），同样的，场效应管，MOS管也可以用跟晶体管一样的封装，它可以通用于三个引脚的元件。
&nbsp;
Q1-B，在PCB里，加载这种网络表的时候，就会找不到节点（对不上）。在可变电阻上也同样会出现类似的问题；在原理图中，可变电阻的管脚分别为1、W、及2，所产生的网络表，就是1、2和W，在PCB电路板中，焊盘就是1，2，3。
&nbsp;
当电路中有这两种元件时，就要修改PCB与SCH之间的差异最快的方法是在产生网络表后，直接在网络表中，将晶体管管脚改为1，2，3；将可变电阻的改成与电路板元件外形一样的1，2，3即可。

电阻的PCB封装常用的有：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列 电阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4

电阻的封装

接地电阻测试仪的使用方法
接地电阻测试仪是用来测试例如：大楼避雷接地体的接地电阻大小，数值越小，接地防雷放电快，避雷效果好。
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-12-24/f7c22224cada43b1b54972dd3c7aae12-mceu_81925994811608780912954.png" width="426" height="295" />
 1、接地电阻测试仪的使用范围 接地电阻测试仪适用于电力、邮电、铁路、石油、化工、通信、矿山等部门测量各种装置的接地电阻以及测 量低电阻的导体阻值，本表还可测量土壤电阻率及地电压。
 2、接地电阻测试仪的工作原理 接地电阻测试仪的工作原理为由机内DC/AC变换器将直流变为交流的低频恒流，经过辅助接地极C和被测物E 组成回路，被测物上产生交流压降，经辅助接地极P送入交流放大器放大，再经过检测送入表头显示。借助 倍率开关可得到三个不同的量限：0 ～ 2&Omega;、0～20&Omega;、0～200&Omega;
 3、接地电阻测试仪的性能特点 接地电阻测试仪与传统手摇式地阻仪相比，具有以下特点： a、接地电阻测试仪应用了DC/AC变换技术，集三端钮，四端钮测量方式为一体，使用电源可以交、直流两用 b、接地电阻测试仪采用锁相环同步跟踪检波方式，及开关电容滤波器，使抗干扰能力极强。 c、接地电阻测试仪摒弃了传统的人工手摇发电方式，不须人力作功。 d、接地电阻测试仪不需人工调节平衡，一目了然的面板触膜键操作，LCD数字显示使得测量十分方便和讯速 消除了指针式仪表的视觉误差。 e、接地电阻测试仪允许的辅助接地电阻阻值很大，更好的保证了测量精度，分辨率高。 f、接地电阻测试仪除测试接地电阻外，还可测试低压电阻值，土壤电阻率以及交流地电压。
接地电阻测试仪是用来测量电气设备内部的接地电阻的仪器，接地电阻测试仪所反映的是电气设备外壳易触及的金属部件与其保护接地端子之间的电阻值。
 由于接地电阻很小，正常一般只有几十毫欧，因此必须采用四端测量才能得出准确的结果。接地电阻测试仪是在电流较大（25A或10A）的情况下，对接地回路的电阻进行测量的，对接地回路承受大电流指标进行测试，检验用电网供电的电气设备接地保护措施的可靠性与安全性。
 GY2678型接地电阻测试仪采用先进的电路技术进行优化设计，具有较高的准确度和稳定性，测试速度快，使用方便。适用于测量各种电机、电器、仪器仪表以及家用电器的接地电阻值，通过设置限制电阻值和采用定时测试，可以快速、方便的对被测物品进行判别。而且通过断线报警功能（既开路报警），可方便地知道仪器是否工作在正常状态，特别适用于要求较高的实验室和自动检测线上使用
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接地电阻测试仪是用来测试例如：大楼避雷接地体的接地电阻大小，数值越小，接地防雷放电快，避雷效果好。

接地电阻测试仪的使用方法

缺货涨价的野火，终于正式烧到ST！
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日前，ST突然发布涨价通知，消息一经发出，引起大量的转发。
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通知表示，由于新冠疫情的持续影响，ST的生产成本增长，而需求仍然强劲。因此，自2021年1月1日起调整价格&mdash;&mdash;全线产品涨价。
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<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-12-29/1e2dc12e912941c1a8bfef5d573fc207-mceu_98894794311609228454002.png" />

缺货涨价的野火，终于正式烧到ST！  日前，ST突然发布涨价通知，消息一经发出，引起大量的转发。

正式通知！2021年1月1日起，ST全线产品涨价

接地电阻测试仪使用与注意事项
一、测试方法：
1、将仪表放置水平位置，检查检流计的指针是否在中心线上，否则应用零位调整器将其调整于中心线上。
2、将&ldquo;倍率标度&rdquo;置于最大倍数，慢慢转动发电机的摇把，同时转动&ldquo;测量标度盘&rdquo;使检流计的指针指于中心线上。
3、当检流计的指针接近平衡时，加快发电机摇把的转速，使其达到每分钟120转以上，同时调整&ldquo;测量标度盘&rdquo;，使指针指于中心线上。
4、如&ldquo;测量标度盘&rdquo;的读数小于1时，应将倍率置于较小的倍数，在重新调整&ldquo;测量标度盘&rdquo;以得到正确的读数。
5、在填写此项记录时，应附以电阻测试点的平面图，并应对测试点进行顺序编号。
（接地电阻测试仪'&gt;接地电阻测试仪）
二、注意事项：
1、接地线路要与被保护设备断开，以保证测量结果的准确性。
2、下雨后和土壤吸收水分太多的时候，以及气候、温度、压力等急剧变化时不能测量。
3、被测地极附近不能有杂散电流和已极化的土壤。
4、探测针应远离地下水管、电缆、铁路等较大金属体，其中电流极应远离10m以上，电压极应远离50m以上，如上述金属体与接地网没有连接时，可缩短距离1/2~1/3。
5、注意电流极插入土壤的位置，应使接地棒处于零电位的状态。
6、连接线应使用绝缘良好的导线，以免有漏电现象。
7、测试现场不能有电解物质和腐烂尸体，以免造成错觉。
8、测试宜选择土壤电阻率大的时候进行，如初冬或夏季干燥季节时进行。
9、随时检查仪表的准确性，（每年送计量单位检测认定一次）
10、当检流计灵敏度过高时，可将电位探针电压极插入土壤中浅一些，当检流计灵敏度不够时，可沿探针注水使其湿润。 （1）使用接地电阻测试仪准备工作
&nbsp; 1）熟读接地电阻测量仪的使用说明书，应全面了解仪器的结构、性能及使用方法。
&nbsp; 2）备齐测量时所必须的工具及全部仪器附件，并将仪器和接地探针擦拭干净，特别是接地探针，一定要将其表面影响导电能力的污垢及锈渍清理干净。
&nbsp; 3）将接地干线与接地体的连接点或接地干线上所有接地支线的连接点断开，使接地体脱离任何连接关系成为独立体。
（2）使用接地电阻测试仪测量步骤
&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; 1）将两个接地探针沿接地体辐射方向分别插入距接地体20m、40m的地下，插人深度为400mm，如下图所示。
 接地电阻测试使用图解 接地电阻测试使用图解：a）实际操作 b）等效原理 &nbsp;
&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; 2）将接地电阻测量仪平放于接地体附近，并进行接线，接线方法如下：
&nbsp; ①用最短的专用导线将接地体与接地测量仪的接线端&ldquo;E1&rdquo;（三端钮的测量仪）或与C2、&rdquo;短接后的公共端（四端钮的测量仪）相连。
&nbsp; ②用最长的专用导线将距接地体40m的测量探针（电流探针）与测量仪的接线钮&ldquo;C1&rdquo;相连。
&nbsp; ③用余下的长度居中的专用导线将距接地体⒛m的测量探针（电位探针）与测量仪的接线端&ldquo;P1&rdquo;相连。
&nbsp; 3）将测量仪水平放置后，检查检流计的指针是否指向中心线，否则调节&ldquo;零位调整器&rdquo;使测量仪指针指向中心线。
&nbsp; 4）将&ldquo;倍率标度&rdquo;（或称粗调旋钮）置于最大倍数，并慢慢地转动发电机转柄（指针开始偏移），同时旋动&ldquo;测量标度盘&rdquo;（或称细调旋钮）使检流计指针指向中心线。
&nbsp; 5）当检流计的指针接近于平衡时（指针近于中心线）加快摇动转柄，使其转速达到120r／min以上，同时调整&ldquo;测量标度盘&rdquo;，使指针指向中心线。
&nbsp; 6）若&ldquo;测量标度盘&rdquo;的读数过小（小于1）不易读准确时，说明倍率标度倍数过大。此时应将&ldquo;倍率标度&rdquo;置于较小的倍数，重新调整&ldquo;测量标度盘&rdquo;使指针指向中心线上并读出准确读数。
&nbsp; 7）计算测量结果，即R地＝&ldquo;倍率标度&rdquo;渎数&times;&ldquo;测量标度盘&rdquo;读数。
&nbsp;

测试方法：  1、将仪表放置水平位置，检查检流计的指针是否在中心线上，否则应用零位调整器将其调整于中心线上。

接地电阻测试仪使用与注意事项

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壹&nbsp; 周&nbsp; &ldquo;辣&rdquo;&nbsp; 闻
盘点每周半导体行业大事件和行情走向
概要：
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吃瓜篇
1.内讧、被告、监管，中芯国际祸不单行
2.纬创资讯：印度iPhone工厂骚乱损失至多712万美元，活该！
&nbsp;
行情篇
1.四大因素导致明年Q2被动元件看涨
2.群联NAND控制IC近八年来首度涨价，涨幅达15%至20%
3.明年NAND价格逐季跌，首季度先跌10%以上
4.台积电12寸晶圆代工取消价格折让，变相涨价
5.台媒：传某代工厂加价幅度最高达300美元一片
6.日本原料大厂跳电停工，面板明年Q1续涨！
7.紫光国微18日中午表示明确表示或涨价
吃瓜篇
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01丨内讧、被告、监管，中芯国际祸不单行
12月15日晚间，中芯国际正式官宣，蒋尚义又重新回到中芯国际任职，更劲爆的是，中芯国际联席CEO梁孟松被曝因此事而在董事会上提出了辞职！并表示觉得&ldquo;已经不再被尊重与不被信任&rdquo;
祸不单行的是，就在辞职事件爆发的当日（12月15日），中芯国际又发布公告，指出关注到一份于2020年12月10日（美国时间）在美国法院提交的关于公司部分证券的民事诉状。值得注意的是，该诉讼将中芯国际及部分董事列为被告。
随着事件的发酵，中芯国际的高管人事变动终于引发监管关注。12月16日，上交所下发《监管工作函》，监管对象涉及上市公司、董事、中介机构及其相关人员。
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老辣毒舌：
都说中国没啥特色，你看这不就是纯正的中国特色，搞技术的玩不过搞管理的。
在生死存亡之际，竟然爆出这样的新闻！毕竟连老辣这种上过小学的都知道要提前沟通，董事们在这件事上看着有点不懂事啊！
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<section><img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-12-21/f8c1dfb2c3f74989b528794edc0e60c9-mceu_58316640921608522577466.png" /></section>
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02丨纬创资讯：印度工厂骚乱损失712万美元
据新浪财经报道，台湾纬创资讯周二表示，上周末因数千名工人聚集骚乱，其印度一家iPhone组装厂受破坏造成了至多2亿新台币（约合712万美元）的损失。
此前纬创资讯在印度警方的一份报告中曾表示，估计此次骚乱造成的损失高达6000万美元。不过，该公司在周二的声明中表示，主要生产设施和仓库的损失没有当地媒体报道的那么严重。该公司还表示，正在尽最大努力让这座工厂恢复运转。
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老辣毒舌：
干得漂亮，默默的给印度员工竖个大拇指～
当初纬创在国内的时候风评也是毁誉参半，也许在搬到印度之前他们从没想过，印度的三哥会真的跟他们急眼。
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-12-21/9eb45c3222974a42aedde616c5086f7e-mceu_81965406631608522596944.png" />
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行情篇
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01丨四大因素导致明年Q2被动元件看涨
据台媒中央社报道，被动元件供需吃紧，法人预估国巨标准品MLCC和芯片电阻价格可能在明年第2季各涨5%。
主要有4大因素影响，包括制造商与通路存货天数低于45天的正常水平；农历年前中国大陆劳工短缺情况加剧；部分规格产品交货期延长；PC、笔电与云端需求强劲，5G智能型手机需求成长、汽车需求复苏。
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-12-21/362a83c3c90a4339a41e9d3d545645e7-mceu_96846968641608522624422.png" />
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02丨群联NAND控制IC涨价幅度达15%至20%
17日消息，半导体芯片涨价、缺货风吹向储存型快闪存储器（NAND Flash）控制IC，由于供给吃紧，已有业者暂停承接新单，群联近期正式调升相关产品报价，涨幅高达15%至20%，部分品项甚至更高，为近八年来首度涨价。
群联表示，晶圆代工产能现在很吃紧，且封装、测试都陆续调涨价格，加上新台币今年以来升值约6%，因此为反映成本上扬，目前已调整产品报价。业界人士分析，在晶圆代工相当吃紧的状况下，加上汇率因素，预期NAND控制芯片涨幅不仅高达15%至20%，甚至还会比这个幅度还高。
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03丨明年NAND价格逐季跌，首季度先跌10%以上
据台媒工商时报报道，集邦科技旗下半导体研究处指出，由于NAND Flash供应商数量远高于DRAM，加上供给位元成长的幅度居高不下，预计2021年价格仍将逐季下跌。
展望明年第一季，在三星、长江存储、SK海力士与英特尔（Intel）对位元产出皆较为积极的情况下，NAND Flash供过于求态势将更加明显，位元产出的季增幅达6％，预估价格将季跌约10～15％。
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-12-21/a875326d52b840e4a1b7dee22ff82539-mceu_89499058761608522655067.png" />
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04丨台积电12寸晶圆代工取消价格折让，变相涨价
12&nbsp;月&nbsp;17&nbsp;日消息，8&nbsp;英寸晶圆代工产能紧张，交货时间延长，代工商在考虑提高2021&nbsp;年的代工报价。
英文媒体报道中表示，台积电此前在为大客户代工&nbsp;12&nbsp;英寸晶圆时，提供了约&nbsp;3%&nbsp;&nbsp;的折扣，但在2021&nbsp;年，他们将取消这一折扣，价格折扣取消之后就意味着大客户的代工成本，将因此而上升。
如果真如报道的那样取消折扣，这些厂商在台积电的晶圆代工价格，就会上升，进而压缩他们的产品利润空间或者推高产品的价格。
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-12-21/57c0d48216634593bf298a7ea2959cf7-mceu_37197494871608522670084.png" />
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05丨台媒：传某代工厂加价幅度最高达300美元一片
据经济日报报道，业界传出，某老牌晶圆代工厂近期提前将明年第2季的部分8英寸代工产能，以竞标方式分配产能，若客户要求更多产能，也都以竞标方式争取。
据了解，竞标以片为单位，每片晶圆价格因此拉高三至四成。这些拉高的价格，都属晶圆厂利润，将陆续反映在毛利率上。
此外，依照不同利用制程、不同厂区，一片8英寸晶圆代工价格大约从300美元到600多美元不等，在这次竞标中，传出的加价幅度约在100至300美元之间。
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-12-21/c5675820aa294c6ba656cfc81ecef2fe-mceu_17586621481608522692704.png" />
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06丨日本原料大厂停电停工，面板明年Q1续涨！
据联合新闻网报道，日本玻璃基板大厂日本电气硝子（NEG），位在日本高槻市（Takatsuki）的玻璃工厂因意外停电5小时，造成玻璃熔炉受损。
该厂供应8.5代以下的玻璃基板，旗下3座熔炉预计会在第一季陆续修复、恢复生产，整体影响时间恐长达4个月。高槻厂停工，估计一个月玻璃基板供应将减少400万～500万平方米、相当于一座8.5代厂的产能，玻璃基板供给缺口扩大，使得原本就缺货的面板供应链更是雪上加霜。
此次日本电气硝子供货出问题，不仅LGD立刻派人前去了解状况，台湾面板厂也立刻动员要稳固料源。
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07丨供不应求！紫光国微暗示将涨价
12月18日中午，紫光国微在互动平台表示，目前下游代工产能整体偏紧，芯片产品的供应能力受到影响，公司部分产品也不排除有上调价格的可能。
紫光国芯微电子股份有限公司（简称&nbsp;&ldquo;紫光国微&rdquo;）是紫光集团有限公司旗下的半导体行业上市公司，主要产品涵盖功率半导体、智能安全IC、记忆体、FPGA&nbsp;等。
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老辣毒舌：
涨涨涨，都在涨，就只有股票一直在跌！
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- END -
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转载于辣笔老芯公众号*
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盘点每周半导体行业大事件和行情走向

壹周辣闻：中芯国际祸不单行！明年NAND首季度将跌价10%以上

在接地装置中有两个重要参数：1、接地电阻值；2、接地网结构。现在看来，虽然接地网的结构和系统等电位很重要，但是低阻的接地装置，是设备正常、安全运行的基础。特别是在防雷接地，要在瞬间将几十KA的雷电流泄流到大地，接地电阻越小散流越快，雷击后高电位保持的时间就短，危险性就小。总之接地电阻越小，效果越好，被保护的对象就越安全。&nbsp;
<img style="display: block; margin-left: auto; margin-right: auto;" src="https://oksht-mall.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/images/2020-12-21/44b7a383f6ed4e9fb69f6283ae50acd7-mceu_94719967111608521614635.png" width="575" height="381" />
对接地电阻测量的准确性是判断接地装置是否合格的重要因素。我们在日常的工作中不管是工程方还是检测机构和承建方，对接地电阻的测量方法都存在着异议，特别是不同方式进行测量时出现的测量值相差很大，更是不知道怎么判断。值得提出的是，在我们有些地方的检测机关中，甚至有很多检测人员不懂得测量原理，使得测量值无法准确。有个检测机构的工程师用4102电子表检测一个地网时，他先在水泥地上倒两处水把电压极、电流极往上一放；再用100M长的6平方多股铜线接到接地极上（线是卷在一起的），测量结果是5欧姆。在我的要求下把100M线展开，电压、电流极不变，测得结果是2欧姆。再把电压、电流极插在分布均匀的土壤里，测得的结果是1.2欧姆。再把100M线改成5M线，测得结果为0.4欧姆。从上面的例子分析来看，我们可以总结如下几个结论：&nbsp;
1、测量线的加长，特别是卷在一起，由于电感大，测量值偏高很大。所以在我们测量高楼接地值的时候，拉长线测量接地值是不准确的。这是因为高层建筑测量时，高层建筑物接地引线与地之间存在着一定的阻值（R地线）另外从高层建筑物上面测量点向地面仪表所引接的测试线，在空中的部分存在线电感。（WL）所以高层建筑接地点测量的阻值为R=R地线+WL+R地。地面测量接地电阻R=R地。
测量数据比地面测量时跳动要严重，这是因为测试线在空中的加长，如同一根天线将空中一些无线电、电磁杂波等信号通过测试线引向仪表，而产生严重干扰，使测量数据跳动，解决的方法是，用一根同轴线作为测试引线，将同轴线和芯线连接在一起，并接在测试点上。将同轴线另一端的屏蔽线接在仪表的C2端上（即电流极），将同轴线的芯线接在仪表P2端上（即电压极），这样能较好地解决测量高层接地电阻由于引线过长造成干扰影响。&nbsp;
 2、102电子表测量接地体，用水渗透接触电压、电流极时，由于接触不好产生的接触电阻大，影响测量真值。只有在没有地方插电压、电流极时才采用这种方法，但是必须是真正水渗透到土壤，电压、电流极必须是和水良好接触。尽量减少接触电阻，减少误差。&nbsp; 地网工频电阻的测试&nbsp;：
 测试基本原理：对地网注入电流，测其电压，计算电阻，R=U/I&nbsp;。
 常用仪器：地阻测试仪、电流电压表（现已经做成大电流专用测试仪，电力系统常用） 测试方法。 d大于2－5倍地网平面对角长度D。&nbsp;
 普通地阻测试仪（摇表、4102等电子表）：小型地网，地阻大于0.5欧，X/d=0.5。&nbsp;
 大电流专用测试仪：大型地网，地阻小于0.5欧，当测试点是地网中心点时，x/d=0.618。
当测试点是地网的边缘点时，x/d=0.5-0.55。&nbsp;
 实际测试时，电压极前后移动d的5％左右共测得3个地阻值，如这3个值相差不大（一般要求10％内，DL大量75/92规定为5％），则这3个值得平均为地网接地工频电阻的真值。如3个结果相差悬殊，则说明d和x的值不对，需要调整。&nbsp;
 测试时还要考虑测试方向的地下结构，是否有大型金属物、管道、下水道等。这些都对测试结果有很大影响。因为影响了x/d值。&nbsp;
最终测试值：如场地许可，多个方向都测试，电流极与电压极成30度测试。只要方法正确，取其中的最小值为地网接地工频电阻的真值。&nbsp;
 在测接地电阻时，有些因素造成接地电阻不准确：&nbsp;
1、（地网）周边土壤构成不一致，地质不一，紧密、干湿程度不一样，具有分散性，地表面杂散电流、特别是架空地线、地下水管、电缆外皮等等，对测试影响特别大。解决的方法是，取不同的点进行测量，取平均值。 2、测试线方向不对，距离不够长，解决的方法是，找准测试方向和距离。 3、辅助接地极电阻过大。解决的方法是，在地桩处泼水或使用降阻剂降低电流极的接地电阻。&nbsp; 4、测试夹与接地测量点接触电阻过大。解决的方法是，将接触点用锉刀或砂纸磨光，用测试线夹子充分夹好磨光触点。&nbsp; 5、干扰影响。解决的方法，调整放线方向，尽量避开干扰大的方向，使仪表读数减少跳动。&nbsp; 6、仪表使用问题。电池电量不足，解决的方法是，更换电池。仪表精确度下降，解决的方法是，重新校准为零。&nbsp;
 接地电阻的测试值的准确性，是我们判断接地是否良好的重要因素之一。测值一旦不准确要不就要浪费人力物力（测值偏大），要不就会给接地设备带来安全隐患（测值偏小）。所以在我们工作中一定要正确使用测量工具，科学制定测量方法和科学得出准确数据。
&nbsp;

在接地装置中有两个重要参数：1、接地电阻值；2、接地网结构。现在看来，虽然接地网的结构和系统等电位很重要

氧化锌压敏电阻的优缺点分析

IGBT元件的构造与特征

原厂涨价函接二连三，希望这是2020年的最后一张！

0欧姆电阻的作用

电阻的封装

接地电阻测试仪的使用方法

正式通知！2021年1月1日起，ST全线产品涨价

接地电阻测试仪使用与注意事项

壹周辣闻：中芯国际祸不单行！明年NAND首季度将跌价10%以上

如何测量接地电阻

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