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Alpha and Omega Semiconductor Limited

Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS）是一家全球领先的电源半导体设计、开发和供应商。公司成立于2000年，总部位于美国加利福尼亚州的阳光谷。AOS专注于提供广泛的电源半导体产品，涵盖功率MOSFET、IGBT、智能功率模块（IPM）和电源集成电路（IC）等。AOS的产品组合旨在满足高需求应用，包括个人电脑、图形卡、游戏机、平板电视、家用电器和电动工具等。公司通过整合离散元件与集成电路的半导体工艺技术，优化产品性能与成本，致力于开发高效能的电源管理解决方案。AOS在全球多个国家和地区开展业务，包括美国、中国、香港和韩国，现有员工超过2300人。自2010年起，AOS在纳斯达克交易所上市，股票代码为AOSL。

分类 :

全部场效应管(MOSFET)DC-DC电源芯片瞬态抑制二极管(TVS)IGBT管/模块功率电子开关TVS - 二极管套件产品智能功率模块

型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作

￥15领取

自营AO3400A

品牌：AOS

封装：SOT-23-3

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：5.7A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26.5mΩ@10V,5.7A

描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 5.7A 1个N沟道 SOT-23-3L

库存：366377

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.297

3000+￥0.263

45000+

量大可议价

合计：￥0.3

￥15领取

自营AO3402

品牌：AOS

封装：SOT-23-3

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：4A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：43mΩ@10V,4A

描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4A 1个N沟道 SOT-23

库存：157642

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.283

3000+￥0.25

45000+

量大可议价

合计：￥0.28

￥15领取

自营AO4407C

品牌：AOS

封装：SO-8

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：14A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,14A

描述：场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 14A 1个P沟道 SOP-8

库存：150051

批次 : 2年内

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.48

3000+￥0.449

45000+

量大可议价

合计：￥0.48

￥15领取

自营AO3407A

品牌：AOS

封装：SOT-23-3

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：4.3A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：48mΩ@10V,4.3A

描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4.3A 1个P沟道 SOT-23-3L

库存：106087

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.337

3000+￥0.315

45000+

量大可议价

合计：￥0.34

￥15领取

自营AO3480C

品牌：AOS

封装：SOT-23

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：6.2A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26mΩ@10V,6.2A

描述：场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 6.2A 1个N沟道 SOT-23

库存：89847

批次 : 2年内

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.226

3000+￥0.2

30000+

量大可议价

合计：￥0.23

￥15领取

自营AO4459

品牌：AOS

封装：SOIC-8

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：6.5A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：46mΩ@10V,6.5A

描述：场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 6.5A 1个P沟道 SOP-8

库存：64830

批次 : 2年内

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.407

3000+￥0.38

45000+

量大可议价

合计：￥0.41

￥15领取

自营AO3416

品牌：AOS

封装：SOT-23-3L

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：6.5A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@4.5V,6.5A

描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 20V 6.5A 1个N沟道 SOT-23-3L

库存：61987

批次 : 24+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.337

3000+￥0.315

45000+

量大可议价

合计：￥0.34

￥15领取

自营AON7544

品牌：AOS

封装：DFN3x3-8L

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：30A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@4.5V,20A

描述：场效应管(MOSFET) 23W 30V 30A 1个N沟道 DFN-8(3x3)

库存：59307

批次 : 2年内

最小包 : 5000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.424

5000+￥0.4

30000+

量大可议价

合计：￥0.42

自营AOZ8231ADI-12

品牌：AOS

封装：DFN-2(1x0.6)

手册：-

反向截止电压(Vrwm)：12V

最大钳位电压：26V

峰值脉冲电流(Ipp)：4A@8/20us

击穿电压：13V

描述：TVS二极管

库存：57644

批次 : 两年外

最小包 : 10000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.1035

10000+￥0.0945

合计：￥0.1

￥15领取

自营AOZ8231ADI-12

品牌：AOS

封装：DFN-2(1x0.6)

手册：-

反向截止电压(Vrwm)：12V

最大钳位电压：26V

峰值脉冲电流(Ipp)：4A@8/20us

击穿电压：13V

描述：TVS二极管

库存：0

批次 : 22+

最小包 : 10000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.115

10000+￥0.105

100000+

量大可议价

合计：￥0.12

自营AOTS21115C

品牌：AOS

封装：TSOP6

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：6.6A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@6.6A,4.5V

描述：场效应管(MOSFET) 2.5W 20V 6.6A 1个P沟道 TSSOP-6

库存：52779

批次 : 两年外

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.3366

3000+￥0.315

合计：￥0.34

￥15领取

自营AOTS21115C

品牌：AOS

封装：TSOP6

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：6.6A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@6.6A,4.5V

描述：场效应管(MOSFET) 2.5W 20V 6.6A 1个P沟道 TSSOP-6

库存：0

批次 : 5年内

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.374

3000+￥0.35

30000+

量大可议价

合计：￥0.37

￥15领取

自营AO3481C

品牌：AOS

封装：SOT-23

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：4.3A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@10V,4.3A

描述：场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 4.3A 1个P沟道 SOT-23

库存：45940

批次 : 2年内

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.229

3000+￥0.203

45000+

量大可议价

合计：￥0.23

￥15领取

自营AO3404A

品牌：AOS

封装：SOT23

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：5.8A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,5.8A

描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 5.8A 1个N沟道 SOT-23-3L

库存：45275

批次 : 2年内

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.353

3000+￥0.33

45000+

量大可议价

合计：￥0.35

￥15领取

自营AO3401A

品牌：AOS

封装：SOT23

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：4A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：44mΩ@10V,4.3A

描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4A 1个P沟道 SOT-23

库存：31216

批次 : 2年内

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.237

3000+￥0.21

45000+

量大可议价

合计：￥0.24

￥15领取

自营AON7246E

品牌：AOS

封装：DFN3x3-8L

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：13A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：13.2mΩ@13A,10V

描述：场效应管(MOSFET) 24W 60V 13A 1个N沟道 DFN-8-EP(3x3)

库存：30265

批次 : 2年内

最小包 : 5000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.939

5000+￥0.889

30000+

量大可议价

合计：￥0.94

自营AOD2146

品牌：AOS

封装：TO252

手册：-

描述：绝缘栅场效应管（MOSFET）

库存：27005

批次 : 两年外

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥1.323

2500+￥1.26

合计：￥1.32

￥15领取

自营AOD2146

品牌：AOS

封装：TO252

手册：-

描述：绝缘栅场效应管（MOSFET）

库存：0

批次 : 21+

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥1.47

2500+￥1.4

25000+

量大可议价

合计：￥1.47

￥15领取

自营AO4614B

品牌：AOS

封装：SOIC-8L

手册：-

类型：1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss)：40V

连续漏极电流(Id)：6A；5A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@6A,10V

描述：场效应管(MOSFET) 2W 40V 6A；5A 1个N沟道+1个P沟道 SOIC-8

库存：25779

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.844

3000+￥0.8

18000+

量大可议价

合计：￥0.84

￥15领取

自营AO4262E

品牌：AOS

封装：SO-8

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：16.5A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.5mΩ@10V,16.5A

描述：场效应管(MOSFET) 3.1W 60V 16.5A 1个N沟道 SOIC-8

库存：24737

批次 : 2年内

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥1.3

3000+￥1.23

18000+

量大可议价

合计：￥1.3

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