AOS
类目：
- 场效应管(MOSFET)
- DC-DC电源芯片
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- IGBT管/模块
- 智能功率模块(IPM)
- 功率电子开关
封装：
- SOIC-8
- DFN-8(3X3)
- SOT-23
- DFN-8(5X6)
- TO-252
- TO-252-2(DPAK)
- TO-252(DPAK)
- TSOP-6
- SOT-23-6
- SOT-23-3
- TSSOP-8
- SOT-23-3L
- DFN-8-EP(3X3)
- PDFN-8(5.8X4.9)
- DFN5X6-8
- PDFN-8(5.2X5.6)
- SO-8
- DFN-6(2X2)
- DFN(5X6)
- DFN-6-EP(2X2)
- DFN-8(2.5X3)
- DFN2X2B-6L
- SO-8-EP
- SO-8_4.9X3.9MM
- DFN-12-EP(3X3)
- DFN-8(5.6X5.2)
- DFN-8-EP(2X2)
- DFN3X3-8L
- IPM-5
- PDFN-8(5.9X5.2)
- SC-70-6(SOT-323-6)
- SOIC-8-EP
- SOP-8
- SOP-8-EP
- SOT-323
- TDFN-8(2.3X2.9)
- TO-220F-3
- TO-263(D2PAK)
- TSOP-6-1.5MM
- D-PAK
- D-PAK(TO-252)
- DFN-10(1X2.5)
- DFN-10(2.5X1.0)
- DFN-3(0.6X1)
- DFN-3L(0.6X1)
- DFN-6(1X1.6)
- DFN-6-EP(4.5X2)
- DFN-8(3.3X3.3)
- DFN-A(3X3)
- DFN1006-2
- DFN2X2A-6L
- DFN2X2C-8L
- DFN5X6-8L
- DFN5X6D-8L
- DFN8_5.55X5.2MM_EP
- DPAK
- ESOP-8
- POWERVDFN8
- POWERVFQFN-31
- QFN-23(4X4)
- QFN-31(5X5)
- QFN-31L(5X5)
- QFN5X5A-31L
- SC-70-3
- SOP
- SOP-8_150MIL
- SOT-223
- TDSON-8-EP(5X6)
- TO-220
- TO-220F
- TO-247
- TO-252,(D-PAK)
- TO-252-4
- TO-252-4L
- TO-263
- TO252
- TO263
- TOLL-8L
- TSSOP-6
- UDFN-10(1X2.5)
- VDFN8
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
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漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：30A复制
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描述：场效应管(MOSFET) 23W 30V 30A 1个N沟道复制库存：279417复制
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描述：场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 6.2A 1个N沟道复制库存：121451复制
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导通电阻(RDS(on))：26mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 6.2A 1个N沟道复制库存：2复制
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描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4A 1个N沟道复制库存：115220复制
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描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 20V 6.5A 1个N沟道复制库存：115215复制
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描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 20V 3A 1个N沟道复制库存：87953复制
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描述：场效应管(MOSFET) 1.5W 20V 5A 1个P沟道复制库存：83871复制
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漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：4.3A复制
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描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4.3A 1个P沟道复制库存：82985复制
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漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：3.6A复制
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描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 3.6A 1个N沟道复制库存：61744复制
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漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：3.6A复制
导通电阻(RDS(on))：70mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 3.6A 1个N沟道复制库存：143复制
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漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：46A复制
导通电阻(RDS(on))：9.5mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 59.5W 60V 46A 1个N沟道复制库存：58702复制
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漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：46A复制
导通电阻(RDS(on))：9.5mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 59.5W 60V 46A 1个N沟道复制库存：2645复制
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漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：5.7A复制
导通电阻(RDS(on))：48mΩ@2.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 5.7A 1个N沟道复制库存：57697复制
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漏源电压(Vdss)：40V复制
连续漏极电流(Id)：13A；50A复制
导通电阻(RDS(on))：7mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 2.3W；50W 40V 13A；50A 1个N沟道复制库存：56622复制
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漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：14A复制
导通电阻(RDS(on))：11.5mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 14A 1个P沟道复制库存：56414复制
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漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：14A复制
导通电阻(RDS(on))：11.5mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 14A 1个P沟道复制库存：5复制
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漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：5.8A复制
导通电阻(RDS(on))：35mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 5.8A 1个N沟道复制库存：53168复制
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漏源电压(Vdss)：20V复制
连续漏极电流(Id)：6.6A复制
导通电阻(RDS(on))：40mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 2.5W 20V 6.6A 1个P沟道复制库存：49541复制
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漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：12A复制
导通电阻(RDS(on))：9mΩ@10V复制
描述：Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2.5W;复制库存：47917复制
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