AOS
主营产品
功率MOSFETIGBT智能功率模块电源集成电路瞬态电压抑制器高压门驱动器
应用领域
个人电脑消费电子通信设备工业控制电动汽车可再生能源
类目：
- 场效应管(MOSFET)
- DC-DC电源芯片
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- IGBT管/模块
- 功率电子开关
- 智能功率模块(IPM)
- 结型场效应管(JFET)
封装：
- SOIC-8
- DFN-8(3X3)
- DFN-8(5X6)
- SOT-23
- TO-252
- TSOP-6
- SOT-23-3
- SOT-23-6
- TO-252(DPAK)
- TO-252-2(DPAK)
- TO-220
- PDFN-8(5.8X4.9)
- TO-220F
- DFN-6(2X2)
- DFN-8-EP(3X3)
- SOP-8
- TO-251A
- TSSOP-8
- PDFN-8(5.2X5.6)
- SOT-23-3L
- TO-263(D2PAK)
- DFN-8
- DFN5*6
- SO-8
- DFN3X3-8L
- SOP
- SOT
- SOT-323
- TO-220F-3
- TO-247-4
- DFN(5X6)
- DFN-10(2.5X1.0)
- DFN-6-EP(2X2)
- DFN5X6-8
- DFN5X6-8L EP1
- PDFN-8(5.9X5.2)
- SOP-8-EP
- TDFN-8(2.3X2.9)
- TO-247
- TOLLA
- DFN-10(4X4)
- DFN-12-EP(3X3)
- DFN-3(0.6X1)
- DFN-8(2.5X3)
- DFN-8(3.3X3.3)
- DFN-8(5.6X5.2)
- DFN-8-EP(3.3X3.3)
- DFN-A(3X3)
- DFN1006-2
- DFN2X2A-6L
- DFN2X2B-6L
- DFN5X6D-8L
- ESOP-8
- IPM-5
- N
- QFN-22(4X4)
- QFN-23(4X4)
- QFN-31(5X5)
- SC-70-3
- SC-70-6
- SC-70-6(SOT-323-6)
- SOP8
- SOT-223
- SOT23-6
- TDSON-8-EP(5X6)
- TO-252-4
- TO-252-4L
- TO220
- TO252
- TO263
- TOLL
- TOLL-8L
- TSOP-6-1.5MM
- ADFN-10(1.5X3)
- ADFN-6(1.2X1.8)
- ADFN-6(1.8X3)
- D-PAK(TO-252)
- DFN 3X3 EP
- DFN-10(1X2.5)
- DFN-5
- DFN-6(3.55X1.77)
- DFN-6-EP(4.5X2)
- DFN-8-EP(2X2)
- DFN1.6X1.6A
- DFN1.9X1.6_6
- DFN2X2B
- DFN2X2C-8L
- DFN3*3
- DFN5X6
- DFN5X6-8L
- DFN5X6-8L EP2
- DPAK
- POWERVFQFN-31
- QFN-31L(5X5)
- QFN5X5-31L
- QFN5X5A
- QFN5X5A-31L
- SC-70
- SO-8-EP
- SOIC
- SOIC-8-150MIL
- SOIC-8-EP
- SOT-23-5L
- TO-220FL
- TO-251B
- TO-252,(D-PAK)
- TO-252-2
- TO262F
- TSSOP-6
- UDFN-10(1X2.5)
- UFDFN-3
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描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4A 1个N沟道复制库存：83020复制
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导通电阻(RDS(on))：85mΩ@1.8V复制
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描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 2.6A 1个P沟道复制库存：52919复制
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描述：场效应管(MOSFET) 2.5W 20V 6.6A 1个P沟道复制库存：49509复制
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导通电阻(RDS(on))：9mΩ@10V复制
描述：Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2.5W;复制库存：47291复制
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导通电阻(RDS(on))：13.3mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 27.5W 60V 28A 1个N沟道复制库存：44936复制
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