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AOS 品牌logo图

AOS

Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS)是一家全球领先的电源半导体设计、开发和供应商。公司成立于2000年,总部位于美国加利福尼亚州的阳光谷。AOS专注于提供广泛的电源半导体产品,涵盖功率MOSFET、IGBT、智能功率模块(IPM)和电源集成电路(IC)等。AOS的产品组合旨在满足高需求应用,包括个人电脑、图形卡、游戏机、平板电视、家用电器和电动工具等。公司通过整合离散元件与集成电路的半导体工艺技术,优化产品性能与成本,致力于开发高效能的电源管理解决方案。AOS在全球多个国家和地区开展业务,包括美国、中国、香港和韩国,现有员工超过2300人。自2010年起,AOS在纳斯达克交易所上市,股票代码为AOSL。

型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
AON7544 产品实物图片
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品牌:AOS复制
封装:DFN-8(3x3)复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)30A复制
导通电阻(RDS(on))5mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 23W 30V 30A 1个N沟道复制
库存:326967复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+0.401
5000+0.379
量大可议价
合计0.4
现在下单最快1小时发货
AO3402 产品实物图片
自营AO3402复制
品牌:AOS复制
封装:SOT-23复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)4A复制
导通电阻(RDS(on))84mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4A 1个N沟道复制
库存:174872复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.278
3000+0.245
量大可议价
合计0.28
现在下单最快1小时发货
AO3480C 产品实物图片
自营AO3480C复制
品牌:AOS复制
封装:SOT-23复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)6.2A复制
导通电阻(RDS(on))26mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 6.2A 1个N沟道复制
库存:97426复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+0.233
3000+0.206
量大可议价
合计0.23
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AO3480C 产品实物图片
自营AO3480C复制
品牌:AOS复制
封装:SOT-23复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)6.2A复制
导通电阻(RDS(on))26mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 6.2A 1个N沟道复制
库存:2复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年外
9.8
1+0.22834
量大可议价
合计0.23
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AOD2610E 产品实物图片
自营AOD2610E复制
品牌:AOS复制
封装:TO-252复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)46A复制
导通电阻(RDS(on))9.5mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 59.5W 60V 46A 1个N沟道复制
库存:88861复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+1.27
2500+1.19
量大可议价
合计1.27
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AO4407C 产品实物图片
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品牌:AOS复制
封装:SOIC-8复制
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)14A复制
导通电阻(RDS(on))11.5mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 14A 1个P沟道复制
库存:88854复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+0.457
3000+0.427
量大可议价
合计0.46
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AO4407C 产品实物图片
自营AO4407C复制
品牌:AOS复制
封装:SOIC-8复制
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)14A复制
导通电阻(RDS(on))11.5mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 14A 1个P沟道复制
库存:5复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年外
9.8
1+0.44786
量大可议价
合计0.45
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AON7262E 产品实物图片
自营AON7262E复制
品牌:AOS复制
封装:DFN-8(3x3)复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)34A复制
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 5W;43W 60V 21A;34A 1个N沟道复制
库存:60253复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+1.64
5000+1.56
量大可议价
合计1.64
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AON7262E 产品实物图片
自营AON7262E复制
品牌:AOS复制
封装:DFN-8(3x3)复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)34A复制
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 5W;43W 60V 21A;34A 1个N沟道复制
库存:2复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8
1+1.6072
量大可议价
合计1.61
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AO3416 产品实物图片
自营AO3416复制
品牌:AOS复制
封装:SOT-23复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)6.5A复制
导通电阻(RDS(on))22mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 20V 6.5A 1个N沟道复制
库存:56110复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.37
3000+0.345
量大可议价
合计0.37
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AO3400A 产品实物图片
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品牌:AOS复制
封装:SOT-23-3L复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)5.7A复制
导通电阻(RDS(on))48mΩ@2.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 5.7A 1个N沟道复制
库存:50839复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.339
3000+0.299
量大可议价
合计0.34
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AOTS21115C 产品实物图片
品牌:AOS复制
封装:TSSOP-6复制
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)6.6A复制
导通电阻(RDS(on))40mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 2.5W 20V 6.6A 1个P沟道复制
库存:49541复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:22+
9.5
1+0.247
3000+0.21945
量大可议价
合计0.25
已优惠-¥0.01
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AOSP36326C 产品实物图片
品牌:AOS复制
封装:SOIC-8复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)12A复制
导通电阻(RDS(on))9mΩ@10V复制
描述:Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2.5W;复制
库存:47927复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+0.594
3000+0.553
量大可议价
合计0.59
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AO3481C 产品实物图片
自营AO3481C复制
品牌:AOS复制
封装:SOT-23-3复制
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)4.3A复制
导通电阻(RDS(on))45mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 4.3A 1个P沟道复制
库存:47259复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+0.275
3000+0.243
量大可议价
合计0.28
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AO3481C 产品实物图片
自营AO3481C复制
品牌:AOS复制
封装:SOT-23-3复制
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)4.3A复制
导通电阻(RDS(on))45mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 4.3A 1个P沟道复制
库存:70复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:五年外
9.5
1+0.26125
量大可议价
合计0.26
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AO3401A 产品实物图片
自营AO3401A复制
品牌:AOS复制
封装:SOT-23复制
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)4A复制
导通电阻(RDS(on))47mΩ@10V;85mΩ@2.5V;60mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4A 1个P沟道复制
库存:34686复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.364
3000+0.34
量大可议价
合计0.36
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AOSP21357 产品实物图片
自营AOSP21357复制
品牌:AOS复制
封装:SO-8复制
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)16A复制
导通电阻(RDS(on))8.5mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 16A 1个P沟道复制
库存:34052复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+1.07
3000+1.02
量大可议价
合计1.07
现在下单最快1小时发货
AOSP21357 产品实物图片
自营AOSP21357复制
品牌:AOS复制
封装:SO-8复制
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)16A复制
导通电阻(RDS(on))8.5mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 16A 1个P沟道复制
库存:221复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8
1+1.0486
量大可议价
合计1.05
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AOD413A 产品实物图片
自营AOD413A复制
品牌:AOS复制
封装:DPAK复制
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)40V复制
连续漏极电流(Id)12A复制
导通电阻(RDS(on))66mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 2.5W;50W 40V 12A 1个P沟道复制
库存:32483复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.798
2500+0.739
量大可议价
合计0.8
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AO4485 产品实物图片
自营AO4485复制
品牌:AOS复制
封装:SOIC-8复制
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)40V复制
连续漏极电流(Id)10A复制
导通电阻(RDS(on))15mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.7W 40V 10A 1个P沟道复制
库存:31458复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+0.974
3000+0.923
量大可议价
合计0.97
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