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Alpha and Omega Semiconductor Limited 品牌logo图

Alpha and Omega Semiconductor Limited

Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS）是一家全球领先的电源半导体设计、开发和供应商。公司成立于2000年，总部位于美国加利福尼亚州的阳光谷。AOS专注于提供广泛的电源半导体产品，涵盖功率MOSFET、IGBT、智能功率模块（IPM）和电源集成电路（IC）等。AOS的产品组合旨在满足高需求应用，包括个人电脑、图形卡、游戏机、平板电视、家用电器和电动工具等。公司通过整合离散元件与集成电路的半导体工艺技术，优化产品性能与成本，致力于开发高效能的电源管理解决方案。AOS在全球多个国家和地区开展业务，包括美国、中国、香港和韩国，现有员工超过2300人。自2010年起，AOS在纳斯达克交易所上市，股票代码为AOSL。

分类 :
全部场效应管(MOSFET)DC-DC电源芯片IGBT管/模块瞬态抑制二极管(TVS)功率电子开关套件产品智能功率模块
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
AO3407A 产品实物图片
自营AO3407A复制
品牌：AOS复制
封装：SOT-23复制
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数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：4.3A复制
导通电阻(RDS(on))：48mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4.3A 1个P沟道复制
库存：211420复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
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AO3415A 产品实物图片
自营AO3415A复制
品牌：AOS复制
封装：SOT-23复制
别名：AO3415AL, AO3415复制
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数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：20V复制
连续漏极电流(Id)：5A复制
导通电阻(RDS(on))：41mΩ@4.5V,4A复制
描述：场效应管(MOSFET) 1.5W 20V 5A 1个P沟道复制
库存：122069复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
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量大可议价
合计￥0.34
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AO3401A 产品实物图片
自营AO3401A复制
品牌：AOS复制
封装：SOT-23复制
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数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：4A复制
导通电阻(RDS(on))：47mΩ@10V；85mΩ@2.5V；60mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4A 1个P沟道复制
库存：96205复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
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量大可议价
合计￥0.24
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AO4354 产品实物图片
自营AO4354复制
品牌：AOS复制
封装：SOIC-8复制
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
导通电阻(RDS(on))：5.3mΩ@4.5V,20A复制
阈值电压(Vgs(th))：2.2V复制
描述：场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 23A 1个N沟道复制
库存：65554复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
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AO3480C 产品实物图片
自营AO3480C复制
品牌：AOS复制
封装：SOT-23复制
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
导通电阻(RDS(on))：26mΩ@10V,6.2A复制
阈值电压(Vgs(th))：1.3V复制
描述：场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 6.2A 1个N沟道复制
库存：50458复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
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合计￥0.28
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AOTS21115C 产品实物图片
自营AOTS21115C复制
品牌：AOS复制
封装：TSSOP-6复制
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数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：20V复制
连续漏极电流(Id)：6.6A复制
导通电阻(RDS(on))：40mΩ@4.5V,6.6A复制
描述：场效应管(MOSFET) 2.5W 20V 6.6A 1个P沟道复制
库存：49731复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
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AO3481C 产品实物图片
自营AO3481C复制
品牌：AOS复制
封装：SOT-23-3复制
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数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：4.3A复制
导通电阻(RDS(on))：45mΩ@10V,4.3A复制
描述：场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 4.3A 1个P沟道复制
库存：41036复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
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AO3422 产品实物图片
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品牌：AOS复制
封装：SOT-23复制
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：55V复制
连续漏极电流(Id)：10A复制
导通电阻(RDS(on))：160mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 1.25W 55V 2.1A 1个N沟道复制
库存：39460复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
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AO4468 产品实物图片
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品牌：AOS复制
封装：SOIC-8复制
复制
数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
导通电阻(RDS(on))：17mΩ@10V,10.5A复制
阈值电压(Vgs(th))：1.2V复制
描述：场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 10.5A 1个N沟道复制
库存：38179复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
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AON6262E 产品实物图片
自营AON6262E复制
品牌：AOS复制
封装：PDFN-8(5.2x5.6)复制
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：40A复制
导通电阻(RDS(on))：6.2mΩ@10V,4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 48W 60V 40A 1个N沟道复制
库存：38032复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+￥1.39
3000+￥1.32
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合计￥1.39
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AO3402 产品实物图片
自营AO3402复制
品牌：AOS复制
封装：SOT-23复制
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：4A复制
导通电阻(RDS(on))：84mΩ@10V,4A复制
描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4A 1个N沟道复制
库存：36939复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+￥0.26
3000+￥0.231
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合计￥0.26
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AO4407C 产品实物图片
自营AO4407C复制
品牌：AOS复制
封装：SOIC-8复制
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数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
导通电阻(RDS(on))：11.5mΩ@10V,14A复制
阈值电压(Vgs(th))：2.3V复制
描述：场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 14A 1个P沟道复制
库存：35310复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
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3000+￥0.45
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合计￥0.48
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AO4485 产品实物图片
自营AO4485复制
品牌：AOS复制
封装：SOIC-8复制
复制
数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：40V复制
连续漏极电流(Id)：10A复制
导通电阻(RDS(on))：15mΩ@10V,10A复制
描述：场效应管(MOSFET) 1.7W 40V 10A 1个P沟道复制
库存：30347复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+￥1.06
3000+￥1
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AOD4184A 产品实物图片
自营AOD4184A复制
品牌：AOS复制
封装：TO-252复制
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：40V复制
连续漏极电流(Id)：13A；50A复制
导通电阻(RDS(on))：7mΩ@10V,20A复制
描述：场效应管(MOSFET) 2.3W；50W 40V 13A；50A 1个N沟道复制
库存：30023复制
最小包 : 2500复制
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RoHS
1+￥1.01
2500+￥0.95
量大可议价
合计￥1.01
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AOD403 产品实物图片
自营AOD403复制
品牌：AOS复制
封装：TO-252复制
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数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
导通电阻(RDS(on))：6.7mΩ@10V复制
阈值电压(Vgs(th))：3.5V@250uA复制
描述：场效应管(MOSFET) 2.5W；90W 30V 15A；70A 1个P沟道复制
库存：29622复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
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2500+￥1.13
量大可议价
合计￥1.2
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