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Alpha and Omega Semiconductor Limited

Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS）是一家全球领先的电源半导体设计、开发和供应商。公司成立于2000年，总部位于美国加利福尼亚州的阳光谷。AOS专注于提供广泛的电源半导体产品，涵盖功率MOSFET、IGBT、智能功率模块（IPM）和电源集成电路（IC）等。AOS的产品组合旨在满足高需求应用，包括个人电脑、图形卡、游戏机、平板电视、家用电器和电动工具等。公司通过整合离散元件与集成电路的半导体工艺技术，优化产品性能与成本，致力于开发高效能的电源管理解决方案。AOS在全球多个国家和地区开展业务，包括美国、中国、香港和韩国，现有员工超过2300人。自2010年起，AOS在纳斯达克交易所上市，股票代码为AOSL。

分类 :

全部场效应管(MOSFET)(489)DC-DC电源芯片(13)瞬态抑制二极管(TVS)(7)IGBT管/模块(5)功率电子开关(2)TVS - 二极管(1)套件产品(1)智能功率模块(1)

型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作

自营AO3401A

品牌：AOS

封装：SOT23

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：4A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：44mΩ@10V,4.3A

描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4A 1个P沟道 SOT-23

库存：565600

批次 : 2年内

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.441

200+￥0.285

1500+￥0.247

3000+￥0.219

45000+

量大可议价

合计：￥0.44

现在下单1小时内发货

自营AO3400A

品牌：AOS

封装：SOT-23-3

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：5.7A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26.5mΩ@10V,5.7A

描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 5.7A 1个N沟道 SOT-23-3L

库存：286441

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.605

200+￥0.39

1500+￥0.339

3000+￥0.299

45000+

量大可议价

合计：￥0.61

现在下单1小时内发货

自营AO3402

品牌：AOS

封装：SOT-23-3

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：4A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：43mΩ@10V,4A

描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4A 1个N沟道 SOT-23

库存：203202

批次 : 2年内

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.544

200+￥0.351

1500+￥0.305

3000+￥0.27

45000+

量大可议价

合计：￥0.54

现在下单1小时内发货

自营AON7544

品牌：AOS

封装：DFN3x3-8L

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：30A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@4.5V,20A

描述：场效应管(MOSFET) 23W 30V 30A 1个N沟道 DFN-8(3x3)

库存：174282

批次 : 2年内

最小包 : 5000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.973

100+￥0.649

1250+￥0.541

2500+￥0.478

30000+

量大可议价

合计：￥0.97

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自营AO3480C

品牌：AOS

封装：SOT-23

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：6.2A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26mΩ@10V,6.2A

描述：场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 6.2A 1个N沟道 SOT-23

库存：87462

批次 : 2年内

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.433

200+￥0.279

1500+￥0.243

45000+

量大可议价

合计：￥0.43

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自营AO3415A

品牌：AOS

封装：SOT-23-3L

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：5A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@1.8V,2A

描述：场效应管(MOSFET) 1.5W 20V 5A 1个P沟道 SOT-23

库存：84947

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.529

200+￥0.365

1500+￥0.332

45000+

量大可议价

合计：￥0.53

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自营AO3407A

品牌：AOS

封装：SOT-23-3

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：4.3A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：48mΩ@10V,4.3A

描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4.3A 1个P沟道 SOT-23-3L

库存：84705

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.559

200+￥0.386

1500+￥0.351

45000+

量大可议价

合计：￥0.56

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自营AO4407A

品牌：AOS

封装：SOIC-8

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：12A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11mΩ@20V,12A

描述：场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 12A 1个P沟道 SOIC-8

库存：68740

批次 : 23+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.964

200+￥0.741

1500+￥0.645

45000+

量大可议价

合计：￥0.96

现在下单1小时内发货

自营AO4407C

品牌：AOS

封装：SO-8

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：14A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,14A

描述：场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 14A 1个P沟道 SOP-8

库存：68086

批次 : 24+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.81

200+￥0.559

1500+￥0.509

45000+

量大可议价

合计：￥0.81

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自营AOZ8231ADI-12

品牌：AOS

封装：DFN-2(1x0.6)

手册：-

反向截止电压(Vrwm)：12V

最大钳位电压：26V

峰值脉冲电流(Ipp)：4A@8/20us

击穿电压：13V

描述：TVS二极管

库存：0

批次 : 22+

最小包 : 10000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.209

500+￥0.139

5000+￥0.121

100000+

量大可议价

合计：￥0.21

自营AOZ8231ADI-12

品牌：AOS

封装：DFN-2(1x0.6)

手册：-

反向截止电压(Vrwm)：12V

最大钳位电压：26V

峰值脉冲电流(Ipp)：4A@8/20us

击穿电压：13V

描述：TVS二极管

库存：57934

批次 : 两年外

最小包 : 10000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.1881

500+￥0.1251

5000+￥0.1089

合计：￥0.19

现在下单1小时内发货

自营AO4459

品牌：AOS

封装：SOIC-8

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：6.5A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：46mΩ@10V,6.5A

描述：场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 6.5A 1个P沟道 SOP-8

库存：54065

批次 : 2年内

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.683

200+￥0.471

1500+￥0.428

45000+

量大可议价

合计：￥0.68

现在下单1小时内发货

自营AOTS21115C

品牌：AOS

封装：TSOP6

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：6.6A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@6.6A,4.5V

描述：场效应管(MOSFET) 2.5W 20V 6.6A 1个P沟道 TSSOP-6

库存：52779

批次 : 两年外

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.5688

200+￥0.3915

1500+￥0.3564

合计：￥0.57

现在下单1小时内发货

自营AOTS21115C

品牌：AOS

封装：TSOP6

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：6.6A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@6.6A,4.5V

描述：场效应管(MOSFET) 2.5W 20V 6.6A 1个P沟道 TSSOP-6

库存：0

批次 : 5年内

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.632

200+￥0.435

1500+￥0.396

30000+

量大可议价

合计：￥0.63

自营AOD2610E

品牌：AOS

封装：TO252

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：46A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：13.3mΩ@10V,20A

描述：场效应管(MOSFET) 59.5W 60V 46A 1个N沟道 TO-252-2

库存：44707

批次 : 2年内

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥1.89

100+￥1.45

1250+￥1.27

37500+

量大可议价

合计：￥1.89

现在下单1小时内发货

自营AONR21357

品牌：AOS

封装：DFN3x3-8L

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：34A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12.3mΩ@4.5V,16A

描述：场效应管(MOSFET) 5W；30W 30V 21A；34A 1个P沟道 DFN-8(3x3)

库存：40809

批次 : 2年内

最小包 : 5000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥1.57

100+￥1.25

1250+￥1.12

2500+￥1.06

30000+

量大可议价

合计：￥1.57

现在下单1小时内发货

自营AON7264E

品牌：AOS

封装：DFN3x3-8L

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：28A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：13.3mΩ@4.5V,15A

描述：场效应管(MOSFET) 27.5W 60V 28A 1个N沟道 DFN-8(3x3)

库存：40298

批次 : 2年内

最小包 : 5000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥1.45

100+￥1.11

1250+￥0.925

2500+￥0.841

30000+

量大可议价

合计：￥1.45

现在下单1小时内发货

自营AO3416

品牌：AOS

封装：SOT-23-3L

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：6.5A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@4.5V,6.5A

描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 20V 6.5A 1个N沟道 SOT-23-3L

库存：37985

批次 : 24+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.559

200+￥0.386

1500+￥0.351

45000+

量大可议价

合计：￥0.56

现在下单1小时内发货

自营AO3481C

品牌：AOS

封装：SOT-23

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：4.3A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@10V,4.3A

描述：场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 4.3A 1个P沟道 SOT-23

库存：33511

批次 : 2年内

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.423

200+￥0.273

1500+￥0.237

3000+￥0.21

45000+

量大可议价

合计：￥0.42

现在下单1小时内发货

自营AO3414

品牌：AOS

封装：SOT-23-3

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：3A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：85mΩ@1.8V,2.5A

描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 20V 3A 1个N沟道 SOT-23-3L

库存：33047

批次 : 2年内

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.523

200+￥0.338

1500+￥0.294

45000+

量大可议价

合计：￥0.52

现在下单1小时内发货

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