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Alpha and Omega Semiconductor Limited

Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS)是一家全球领先的电源半导体设计、开发和供应商。公司成立于2000年,总部位于美国加利福尼亚州的阳光谷。AOS专注于提供广泛的电源半导体产品,涵盖功率MOSFET、IGBT、智能功率模块(IPM)和电源集成电路(IC)等。AOS的产品组合旨在满足高需求应用,包括个人电脑、图形卡、游戏机、平板电视、家用电器和电动工具等。公司通过整合离散元件与集成电路的半导体工艺技术,优化产品性能与成本,致力于开发高效能的电源管理解决方案。AOS在全球多个国家和地区开展业务,包括美国、中国、香港和韩国,现有员工超过2300人。自2010年起,AOS在纳斯达克交易所上市,股票代码为AOSL。

分类 :
全部场效应管(MOSFET)DC-DC电源芯片瞬态抑制二极管(TVS)IGBT管/模块功率电子开关TVS - 二极管套件产品智能功率模块
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
AO3400A 产品实物图片
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自营AO3400A
品牌:AOS
封装:SOT-23-3
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)26.5mΩ@10V,5.7A
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 5.7A 1个N沟道 SOT-23-3L
库存:366457
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.297
3000+0.263
45000+
量大可议价
合计:0.3
AO3402 产品实物图片
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自营AO3402
品牌:AOS
封装:SOT-23-3
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)43mΩ@10V,4A
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4A 1个N沟道 SOT-23
库存:163642
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.283
3000+0.25
45000+
量大可议价
合计:0.28
AO4407C 产品实物图片
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自营AO4407C
品牌:AOS
封装:SO-8
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)14A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)11.5mΩ@10V,14A
描述:场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 14A 1个P沟道 SOP-8
库存:150111
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.48
3000+0.449
45000+
量大可议价
合计:0.48
AO3407A 产品实物图片
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自营AO3407A
品牌:AOS
封装:SOT-23-3
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)48mΩ@10V,4.3A
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4.3A 1个P沟道 SOT-23-3L
库存:106107
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.337
3000+0.315
45000+
量大可议价
合计:0.34
AO3480C 产品实物图片
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自营AO3480C
品牌:AOS
封装:SOT-23
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)26mΩ@10V,6.2A
描述:场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 6.2A 1个N沟道 SOT-23
库存:89847
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.226
3000+0.2
30000+
量大可议价
合计:0.23
AO4459 产品实物图片
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自营AO4459
品牌:AOS
封装:SOIC-8
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)46mΩ@10V,6.5A
描述:场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 6.5A 1个P沟道 SOP-8
库存:64850
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.407
3000+0.38
45000+
量大可议价
合计:0.41
AO3416 产品实物图片
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自营AO3416
品牌:AOS
封装:SOT-23-3L
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)22mΩ@4.5V,6.5A
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 20V 6.5A 1个N沟道 SOT-23-3L
库存:61987
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.337
3000+0.315
45000+
量大可议价
合计:0.34
AON7544 产品实物图片
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自营AON7544
品牌:AOS
封装:DFN3x3-8L
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8.5mΩ@4.5V,20A
描述:场效应管(MOSFET) 23W 30V 30A 1个N沟道 DFN-8(3x3)
库存:59607
批次 : 2年内
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.424
5000+0.4
30000+
量大可议价
合计:0.42
AOZ8231ADI-12 产品实物图片
AOZ8231ADI-12 特价
品牌:AOS
封装:DFN-2(1x0.6)
手册:-
反向截止电压(Vrwm)12V
最大钳位电压26V
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us
击穿电压13V
描述:TVS二极管
库存:57644
批次 : 两年外
最小包 : 10000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.1035
10000+0.0945
合计:0.1
AOZ8231ADI-12 产品实物图片
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品牌:AOS
封装:DFN-2(1x0.6)
手册:-
反向截止电压(Vrwm)12V
最大钳位电压26V
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us
击穿电压13V
描述:TVS二极管
库存:0
批次 : 22+
最小包 : 10000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.115
10000+0.105
100000+
量大可议价
合计:0.12
AOTS21115C 产品实物图片
AOTS21115C 特价
品牌:AOS
封装:TSOP6
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)40mΩ@6.6A,4.5V
描述:场效应管(MOSFET) 2.5W 20V 6.6A 1个P沟道 TSSOP-6
库存:52779
批次 : 两年外
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.3366
3000+0.315
合计:0.34
AOTS21115C 产品实物图片
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品牌:AOS
封装:TSOP6
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)40mΩ@6.6A,4.5V
描述:场效应管(MOSFET) 2.5W 20V 6.6A 1个P沟道 TSSOP-6
库存:0
批次 : 5年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.374
3000+0.35
30000+
量大可议价
合计:0.37
AO3401A 产品实物图片
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自营AO3401A
品牌:AOS
封装:SOT23
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)44mΩ@10V,4.3A
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4A 1个P沟道 SOT-23
库存:52366
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.237
3000+0.21
45000+
量大可议价
合计:0.24
AO3481C 产品实物图片
15领取
自营AO3481C
品牌:AOS
封装:SOT-23
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)45mΩ@10V,4.3A
描述:场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 4.3A 1个P沟道 SOT-23
库存:45940
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.229
3000+0.203
45000+
量大可议价
合计:0.23
AO3404A 产品实物图片
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自营AO3404A
品牌:AOS
封装:SOT23
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)25mΩ@10V,5.8A
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 5.8A 1个N沟道 SOT-23-3L
库存:45275
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.353
3000+0.33
45000+
量大可议价
合计:0.35
AON7246E 产品实物图片
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自营AON7246E
品牌:AOS
封装:DFN3x3-8L
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)13A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)13.2mΩ@13A,10V
描述:场效应管(MOSFET) 24W 60V 13A 1个N沟道 DFN-8-EP(3x3)
库存:30265
批次 : 2年内
最小包 : 5000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.939
5000+0.889
30000+
量大可议价
合计:0.94
AOD2146 产品实物图片
AOD2146 特价
自营AOD2146
品牌:AOS
封装:TO252
手册:-
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存:27005
批次 : 两年外
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.323
2500+1.26
合计:1.32
AOD2146 产品实物图片
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自营AOD2146
品牌:AOS
封装:TO252
手册:-
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存:0
批次 : 21+
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.47
2500+1.4
25000+
量大可议价
合计:1.47
AO4614B 产品实物图片
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自营AO4614B
品牌:AOS
封装:SOIC-8L
手册:-
类型1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)6A;5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)30mΩ@6A,10V
描述:场效应管(MOSFET) 2W 40V 6A;5A 1个N沟道+1个P沟道 SOIC-8
库存:25779
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.844
3000+0.8
18000+
量大可议价
合计:0.84
AO4262E 产品实物图片
15领取
自营AO4262E
品牌:AOS
封装:SO-8
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)16.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6.5mΩ@10V,16.5A
描述:场效应管(MOSFET) 3.1W 60V 16.5A 1个N沟道 SOIC-8
库存:24737
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.3
3000+1.23
18000+
量大可议价
合计:1.3
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