中国首条8英寸硅基氮化镓Micro LED IDM量产线正式投产

中国首条8英寸硅基氮化镓Micro LED IDM量产线正式投产

西湖烟山科技(杭州)有限公司近日宣布,其位于浙江德清的8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)Micro LED IDM量产线正式投入运行,这是全球首条从外延到模组全链条垂直整合的8英寸硅基氮化镓Micro LED生产项目。

与当前主流的蓝宝石或碳化硅衬底路线不同,该产线采用大尺寸硅衬底生长氮化镓材料,不仅大幅降低了衬底成本,还兼容现有硅基半导体工艺设备,能够提升晶圆利用率、缩短生产周期。8英寸晶圆平台相较于6英寸方案,单晶圆芯片产出数量提高约1.8倍,有助于推动Micro LED在AR/VR、大屏显示和车载透明显示等场景的规模化应用。

产线完全遵循IDM模式,垂直覆盖了MOCVD外延、Micro LED芯片设计、微米级像素加工、CMOS驱动背板集成及巨量转移和封装测试等关键环节。西湖烟山此前已在中试线完成5微米像素pitch的硅基GaN蓝/绿光微显示器样片开发,此次产线升级量产能力后,月产能预计达到数千片8英寸晶圆,目标直指消费级AR眼镜的高亮度微显示方案。

业内分析认为,8英寸硅基氮化镓Micro LED产线的投产,不仅验证了该技术路线的产业化可行性,也为中国在先进显示领域的自主供应链建设提供了新范式。未来,随着巨量转移良率的进一步突破和成本下探,硅基氮化镓Micro LED有望在高分辨率微显示市场形成对OLED和LCoS方案的强有力补充。

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