HBF引发设备竞赛，韩美半导体瞄准2026年下半年交付首台TC键合机

随着高带宽闪存（HBF）作为专为AI推理设计的下一代存储技术兴起，后端半导体设备商正加速布局相关生产装备。韩美半导体（Hanmi Semiconductor）近期成为焦点，据行业消息，该公司已着手研发热压（TC）键合机，并计划于2026年下半年实现首批交付。这一动向标志着HBF封装技术竞争正式进入设备层面的角逐，韩国及国际设备制造商纷纷将TC键合机等关键设备视为抢占市场先机的重要武器。

HBF凭借其超高带宽和低功耗特性，有望在高性能AI推理场景中挑战现有高带宽内存（HBM）的地位，因此拉动后端制程设备升级需求。除韩美半导体外，多家领先设备企业亦在积极开发适用于HBF的TC键合及配套方案，预计未来两年相关设备订单将快速攀升。