消息称SK海力士拟在2030年前将DRAM月产能翻倍至100万片晶圆，加速龙仁工厂扩建

据韩国媒体The Elec报道，SK海力士近期与主要供应商分享了一份雄心勃勃的扩产蓝图，计划到2030至2031年间，将DRAM晶圆月产能从现有水平近乎翻倍，达到每月约100万片（约当12英寸晶圆）。此举旨在应对人工智能（AI）时代爆发式增长的存储需求，尤其是高带宽内存（HBM）和大容量服务器DDR5的强劲订单。

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该扩产计划与SK集团会长崔泰源近期强调的“必须提前布局AI存储产能”的言论高度一致。崔泰源曾在公开场合指出，存储芯片工厂建设周期长，需提前数年规划，以抓住AI带来的结构性机遇。为落实这一战略，SK海力士正在加速其位于韩国龙仁市的半导体产业集群建设。龙仁园区被定位为新一代尖端存储芯片的核心生产基地，原本计划在2027年投产，目前已有部分土建和设备采购流程提前。

消息人士透露，SK海力士已与多家全球领先的半导体设备供应商展开谈判，要求优先保障其龙仁新厂以及可能有部分清州工厂扩建所需的刻蚀、沉积和测试设备交期。设备订单预计将从2026年下半年开始大量释放，为全球半导体设备市场注入增长动力。分析认为，此轮扩产不仅是SK海力士巩固HBM市场主导地位、满足英伟达等大客户订单的关键举措，也是对竞争对手三星电子、美光科技同样积极扩产的直接回应。