SK海力士推进DRAM与NAND路线图：目标2034年晶圆产能提升三倍，年底推出375层NAND

存储芯片巨头SK海力士正展现出远超此前规划的产能扩张雄心。继上周对外宣布未来五年将整体产能提升一倍之后，会长崔泰源近日在接受《日经新闻》采访时透露，公司的长期目标是到2034年实现晶圆产出较当前水平增长三倍。这一激进目标涵盖了DRAM和NAND闪存两大产品线，并伴随着尖端制程与层数堆叠技术的快速迭代。

在NAND闪存方面，SK海力士计划于今年年底前推出全球首款超过300层的堆叠产品，具体层数将达到375层。这一技术节点不仅将刷新业界层数纪录，更预计在存储密度和单位成本上带来显著优势，直接瞄准人工智能、数据中心等高密度存储应用场景。与此同时，公司在DRAM领域同样没有放慢脚步，1c纳米级工艺以及后续更先进的1d纳米技术节点均已在路线图中得到确认，以确保在高带宽内存（HBM）等高性能产品上继续保持对三星和铠侠等对手的领先地位。

支撑这轮大规模扩产的背后，是SK海力士对AI驱动存储需求持续爆发的判断。随着大模型训练和推理对HBM及企业级SSD的需求激增，公司近期已连续拿下英伟达等关键客户的下一代产品订单。此次公布的375层NAND和产能三倍扩增计划，不仅是对市场信心的直接映射，也标志着存储行业进入新一轮以技术跃迁和设备投资为核心的全行业竞赛。