英特尔正式动工扩建圣克拉拉园区，布局下一代EUV光掩模产能

英特尔于近期在加利福尼亚州圣克拉拉园区正式破土动工，启动一项聚焦于下一代极紫外光刻掩模制造的扩建计划。此次扩建旨在强化英特尔在先进光掩模领域的自主供应能力，为即将量产的高数值孔径极紫外光刻技术提供关键支撑。

随着英特尔代工服务逐步获得苹果、英伟达等头部客户的导入意向，掩模环节的产能与良率正成为影响其先进制程爬坡速度的核心变量。新设施将引入多套高端掩模制造设备，并采用智能化的工艺控制体系，力求在缺陷控制和精度水平上满足2纳米及以下节点的严苛要求。

该项目的推进也意味着英特尔在制造前段能力上的垂直整合进一步加强，有望缩短从设计到流片的整体周期，为代工客户提供更具确定性的量产路径。