存储涨势延续：威刚称Q3 DRAM合约价或再涨20-30%，NAND Flash涨35-40%

在人工智能服务器和数据中心建设潮的强力拉动下，存储芯片市场正上演一轮超预期的价格反弹。威刚科技董事长陈立白近日向媒体透露，上游存储原厂已陆续向客户发出涨价通知，第三季度DRAM合约价环比涨幅落在20%至30%区间，而NAND Flash合约价涨幅更为猛烈，将达到35%至40%。

陈立白指出，这波涨势与过去周期波动不同，主要驱动因素来自AI训练和推理带来的大容量高带宽存储器需求，以及企业级固态硬盘（SSD）的强劲拉货。原厂将产能持续向HBM和高端服务器DRAM倾斜，导致标准型DDR4、DDR5以及消费级NAND的供给相对收紧，进一步放大了合约价格的上涨空间。他表示，目前渠道和客户端库存水位普遍健康，部分细分产品甚至出现缺货情形，预计涨价态势至少将贯穿整个第三季度。

市场观察：存储芯片本轮涨价由AI算力需求驱动，区别于传统周期性波动，供需结构变化或使高景气度延续更长时间。