1000M（千兆）以太网口浪涌静电保护方案
1000M（千兆）以太网，又叫吉比特以太网，是一个描述各种以吉比特每秒速率进行以太网帧传输技术的术语，由IEEE 802.3-2005标准定义。该标准允许通过集线器连接的半双工千兆连接，但是在市场上利用交换机的全双工连接所达到的速度才真正符合标准。1000M（千兆）以太网以高效、高速、高性能为特点，已经广泛应用在金融、商业、教育、政府机关及厂矿企业等行业。
1000M（千兆）以太网口因其需要远距离传输且走线环境多为户外及一些复杂的电磁环境，极容易引入各种干扰，导致后端芯片的损坏、系统重启、死机等现象。1000M（千兆）以太网口的电磁兼容性能关系到通讯设备的稳定运行，为此，1000M（千兆）以太网口浪涌静电保护不容忽视。那么，如何保护1000M（千兆）以太网口免受浪涌静电威胁和损坏呢？上一期，分享过100M（百兆）以太网口浪涌静电保护经典方案，接下来，针对1000M（千兆）以太网口浪涌静电问题，东沃电子设计了2个经典保护方案。
1000M（千兆）以太网口浪涌静电保护方案图
1000M（千兆）以太网口浪涌静电保护方案说明
从方案图可知，1000M（千兆）以太网口浪涌静电保护电路图与100M（百兆）以太网口浪涌静电保护电路图类似。第一级防护，东沃电子技术推荐选用陶瓷气体放电管3R90A-TP1，将浪涌电流泄放到大地，或在放电管电极之内的惰性气体电光弧以热量形式消除。陶瓷气体放电管共模差模全保护，适用于充分暴露的直接雷区。第二级防护，选用东沃ESD二极管DW03DLC-B-S或DW2.8-4LVUB-S，方案一选用分立ESD器件DW03DLC-B-S、成本低但占用空间；后者选用集成式ESD器件，成本高但节约空间。针对1000M（千兆）以太网特点设计，ESD二极管DW2.8-4LVUB-S能有效减小安装面积，节约PCB空间，工作电压2.8V、峰值脉冲电流22A、结电容为1.6pF、SO-8封装，符合IEC 61000-4-2 ESD ±15kV（空气）和±8kV（接触）标准。
符合标准：
IEC 61000-4-5 1.2/50 μs& 8/20μs 阻抗（2Ω）差模：6KV 共模：6KV
IEC 61000-4-2 (ESD)：±15kV (air)，±8kV (Contact)
1000M（千兆）以太网口浪涌静电保护方案器件参数
（1）陶瓷气体放电管3R90A-TP1参数
查看东沃电子“GDT-3R90A-TP1 Datasheet”规格书可知：
|
东沃电子 DOWOSEMI Part Number |
Nominal DC spark- over voltage （100V/S） |
Maximum impulse spark-over voltage （1KV/us） |
Impulse discharge current （8/20us， 10 times） |
Impulse discharge current （10/1000us ，300 times） |
AC discharge current （50Hz,Is, 10 times） |
Minimum insulation resistance |
Maximum capacitanc- e（1MHZ） |
Size |
|
V |
V |
KA |
A |
A |
ΜΩ |
pF |
mm |
|
|
3R90A-TP1 |
90±20% |
600 |
5 |
/ |
5 |
1000 |
1.2 |
5x7.6 |
（2）ESD二极管DW03DLC-B-S参数
查看东沃电子“ESD-DW03DLC-B-S Datasheet”规格书可知：
|
东沃电子DOWOSEMI Part Number |
PPP |
IPP |
VRWM |
VBR |
VC |
IR |
CJ |
Polarity |
Package |
|
W |
A |
V |
V |
V |
μA |
pF |
|||
|
DW03DLC-B-S |
350 |
20 |
3.3 |
4 |
19 |
1 |
1 |
Bi |
SOD-323 |
（3）ESD二极管DW2.8-4LVUB-S参数
查看东沃电子“ESD-DW2.8-4LVUB-S Datasheet”规格书可知：
|
东沃电子DOWOSEMI Part Number |
PPP |
IPP |
VRWM |
VBR |
VC |
IR |
CJ |
Polarity |
Package |
|
W |
A |
V |
V |
V |
μA |
pF |
|||
|
DW2.8-4LVUB-S |
550 |
22 |
2.8 |
3 |
25 |
1 |
1.6 |
Uni |
SO-8 |
以上是东沃1000M（千兆）以太网口浪涌静电保护经典方案
