GPS接口浪涌静电保护方案设计图
浪涌静电防护方案设计中，最重要的环节是要了解分析浪涌电流的路径，只有了解浪涌电流路径之后，才能够更好地给浪涌电流搭建一条合理的泄放路径。前段时间，有客户向东沃电子求助：公司的监控无线设备GPS接口在过共模3KA@8/20μs±5T测试时，LDO芯片损坏，无法正常工作，该怎么解决？针对客户这个情况，东沃电子技术设计了GPS接口浪涌静电防护方案图，为客户电路安全保驾护航。
GPS接口浪涌静电保护方案设计图
GPS接口浪涌静电保护方案详解
从东沃GPS接口浪涌静电保护方案设计图可知，东沃电子技术从两个方面进行浪涌静电防护：一个是对内馈直流电源进行浪涌防护，另一个是对射频信号进行防护。一级电源防护，东沃技术推荐选用半导体放电管P0080SC，用于吸收雷击或大浪涌电流。馈电部分防护选用单向瞬态抑制TVS二极管SMBJ6.0A和肖特基二极管B0520W，可有效保护后端LDO芯片免受浪涌的冲击。二级信号接口选用东沃推出的ESD静电保护二极管DW05DLC-B-S，工作电压5V、低钳位电压18.3V、低漏电流1uA。根据IEC 61000-4-2标准，它可用于提供高达±30kV（空气放电）/±30kV（接触放电）的ESD保护，根据IEC 61000-4-5，可承受17A（8/20us）的峰值脉冲电流，对接口芯片能够提供可靠的静电和浪涌保护。ESD二极管DW05DLC-B-S结电容1PF，能够保证射频信号传输的完整性。
GPS接口浪涌静电保护器件参数
（1）半导体放电管P0080SC参数
查看东沃电子“TSS-PxxxxSC Series Datasheet”可知：
|
东沃电子DOWOSEMI Part Number |
IDRM@VDRM |
VS@IS |
VT@ IT |
IH |
CO |
Package |
|||
|
μA |
V |
V |
mA |
V |
A |
mA |
pF |
||
|
P0080SC |
1 |
6 |
15 |
800 |
4 |
2.2 |
30 |
130 |
SMB |
（2）TVS二极管SMBJ6.0A参数
查看东沃电子“TVS-SMBJ Series Datasheet”可知：
|
东沃电子DOWOSEMI Part Number |
Breakdown Voltage VBR @IT |
IR |
VRWM |
IPP |
VC |
PPP |
Polarity |
Package |
||
|
V(Min) |
V(Max ) |
IT(mA) |
μA |
V |
A |
V |
W |
|||
|
SMBJ6.0A |
6.67 |
7.37 |
10 |
800 |
6.0 |
58.25 |
10.3 |
600 |
Uni |
SMB |
（3）肖特基二极管B0520W参数
查看东沃电子“SBD-B0520W Thru B0540W (SOD-123) Datasheet”可知：
|
东沃电子DOWOSEMI Part Number |
VRRM |
VRMS |
VDC |
IF |
IFSM |
VF |
IR |
CJ |
Package |
|
V |
V |
V |
A |
A |
V |
μA |
pF |
||
|
B0520W |
20 |
14 |
20 |
0.5 |
5.5 |
0.385 |
250 |
170 |
SOD-123 |
（4）ESD二极管DW05DLC-B-S参数
查看东沃电子“ESD-DW05DLC-B-S Datasheet”可知：
|
东沃电子DOWOSEMI Part Number |
PPP |
IPP |
VRWM |
VBR |
VC |
IR |
CJ |
Polarity |
Package |
|
W |
A |
V |
V |
V |
μA |
pF |
|||
|
DW05DLC-B-S |
350 |
17 |
5.0 |
6.0 |
18.3 |
1 |
1 |
Bi |
SOD-323 |
以上是东沃GPS接口浪涌静电保护方案设计图
