JTAG接口浪涌静电保护方案
JTAG接口是一类下载程序的接口，而且也是一类经常带电拔插的接口。众所周知，带电拔插会不可避免地产生一些浪涌或ESD静电放电，为此，如果不采取一些防护措施，极易因为浪涌ESD静电放电而击穿JTAG相关引脚，甚至损害CPU内部核心器件，从而造成内部电路的永久性损坏。针对JTAG接口浪涌静电问题，东沃电子技术设计了保护方案图并推荐了对应型号的保护器件。
东沃JTAG接口浪涌静电保护方案图（ESD二极管篇）
从方案图中可知，东沃电子技术推荐选用4颗ESD二极管DW03DPF-B-S为其接口保驾护航。东沃DW03DPF-B-S5工作电压3.3V、钳位电压9.4V、低漏电流0.5uA、结电容低至60pF。根据IEC 61000-4-2，可用于提供高达±30kV（空气放电）/±30kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC 61000-4-5，可承受30A（8/20us）的峰值脉冲电流，330W（8/20us）的峰值脉冲功率，对接口芯片提供可靠的静电和浪涌保护。东沃DW03DPF-B-S，双向，采用DFN1006-2L小封装，方便PCB布线。
东沃JTAG接口浪涌静电保护方案图（肖特基二极管篇）
从方案图中可知，东沃电子技术采用钳位二极管对信号接口进行保护。二极管选用了东沃电子推出的肖特基二极管BAT54S，该器件反向截至电压为30V，正向电流0.2A，漏电低至2uA。在芯片3.3V工作电压下，可将信号电平钳位在±4.1V左右，从而更好地保护接口芯片免受静电或浪涌的影响。
JTAG接口浪涌静电保护器件参数
（1）ESD二极管DW03DPF-B-S参数
查看东沃电子“ESD-DW03DPF-B-S Datasheet”产品规格书可知，其参数详情如下：
|
东沃电子DOWOSEMI Part Number |
PPP |
IPP |
VRWM |
VBR |
VC |
IR |
CJ |
Polarity |
Package |
|
W |
A |
V |
V |
V |
μA |
pF |
|||
|
DW03DPF-B-S |
330 |
30 |
3.3 |
4 |
9.4 |
0.5 |
60 |
Bi |
DFN1006-2L |
（2）肖特基二极管BAT54S参数
查看东沃电子“SBD-BAT54~BAT54S (SOT-23) Datasheet”产品规格书可知，其参数详情如下：
|
东沃电子DOWOSEMI Part Number |
VRRM |
VRMS |
VDC |
IF |
IFSM |
VF |
IR |
CJ |
Package |
|
V |
V |
V |
A |
A |
V |
μA |
pF |
||
|
BAT54S |
30 |
21 |
30 |
0.2 |
0.6 |
1 |
2 |
10 |
SOT-23 |
以上是东沃JTAG接口浪涌静电经典保护方案设计图
