汽车IGBT SiC浪涌静电保护方案器件选型推荐
汽车IGBT SiC浪涌静电保护方案设计图
5V直流MCU供电口浪涌静电保护
从东沃汽车IGBT SiC浪涌静电保护方案设计图可知，用于满足MCU电源供电口浪涌静电保护器件，东沃FAE工程师推荐选用自恢复保险丝和TVS二极管。保护电路中的自恢复保险丝PPTC选型DW-MSM050/24，保持电流0.5A、触发电流1A、耐压值24V、1812封装。TVS选用汽车级TPSMBJ6.5CA，双向、工作电压6.5V、钳位电压11.2V、峰值脉冲电流53.57A、功率600W、SMB封装、符合AEC-Q101认证，稳定高可靠性。
东沃电子DOWOSEMI Part Number | IH | IT | Vmax | Imax | Max.Time-to-trip | Pdmax | Rmin | R1max | Size | |
A | A | V | A | A | S | W | Ω | Ω | ||
DW-MSM050/24 | 0.5 | 1 | 24 | 40 | 8 | 0.15 | 1 | 0.15 | 1 | 1812 |
汽车IGBT SiC驱动接口浪涌静电保护
关断IGBT时由于电感中储存有能量，集电极-发射极间会发生浪涌电压，建议在c、e之间选用TVS二极管进行防护。东沃FAE工程师推荐在c、e之间选用2个双向TVS管TPSMBJ250CA串接（截止总电压500V），峰值脉冲电流1.48A、单颗最大钳位405V、功率600W、SMB封装、符合AEC-Q101认证。除了减少c、e之间的过电压之外，为防止栅极电荷积累、栅源电压出现尖峰损坏IGBT，还需要在g、e之间选用TVS进行保护。东沃FAE工程师推荐汽车级TVS管TPSMBJ16CA，双向、工作电压16V、钳位电压26V、峰值脉冲电流23.08A、功率600W、SMB封装。
东沃电子DOWOSEMI Part Number | Breakdown Voltage VBR @IT | IR | VRWM | IPP | VC | PPP | Polarity | Package | ||
V(Min) | V(Max ) | IT(mA) | μA | V | A | V | W | |||
TPSMBJ6.5CA | 7.22 | 7.98 | 10 | 500 | 6.5 | 53.57 | 11.2 | 600 | Bi | SMB |
TPSMBJ16CA | 17.80 | 19.70 | 1 | 1 | 16 | 23.08 | 26.0 | 600 | Bi | SMB |
TPSMBJ250CA | 279.00 | 309.00 | 1 | 1 | 250 | 1.48 | 405.0 | 600 | Bi | SMB |
以上是东沃汽车IGBT SiC浪涌静电保护方案介绍
