SK海力士被曝为美国客户招募3D堆叠DRAM-on-Logic工程师，主攻端侧AI

据报道，SK海力士正在加快3D堆叠DRAM技术的开发步伐，这是一种专为端侧人工智能应用打造的全新内存架构。通过其位于加利福尼亚州圣何塞的美国子公司，该公司已开始招募“3D-Stacked DRAM-on-Logic”设计工程师，显示出将这一前沿技术推向商业化的明确意图。

根据ZDNet的消息，SK海力士同时与一家未具名的美国客户展开了合作，共同推动3D堆叠DRAM的落地。该技术通过将DRAM模块垂直集成在逻辑芯片上方，能够在极度紧凑的封装内实现前所未有的带宽与能效比，特别适合在智能手机、可穿戴设备及边缘计算节点等资源受限的环境中运行大型AI模型。业界猜测，合作方可能涉及专注于AI加速器的芯片企业或大型系统公司。

尽管SK海力士目前在高带宽内存（HBM）领域占据领先地位，但其对3D堆叠DRAM的投入表明，公司正自上而下全方位布局下一代存储方案，以抓住端侧AI爆发带来的巨大市场机遇。这一招聘与合作动态引发了业内对3D堆叠内存生态成熟度的新一轮关注。