存储巨头竞速：SK海力士目标2029年启用龙仁Y2洁净室，三星加速平泽P5及P5 Fab 2建设

在全球AI芯片热潮的驱动下，存储器大厂纷纷加码产能布局。SK海力士8月7日宣布，公司董事会已通过一项总额约54.3万亿韩元的重大投资案，规划用于DRAM和NAND Flash的产能扩张。其中，35.2万亿韩元将投入位于京畿道龙仁市的半导体产业园区，新建Y2洁净室，目标在2029年竣工并投入使用，以满足数据中心和AI服务器对HBM等高性能存储器的迫切需求。

此外，SK海力士还将投资19.1万亿韩元，用于升级其利川和清州工厂的DRAM与NAND产线，提升先进制程的产能比重。公司预估，随着AI训练和推理应用的普及，未来数年高带宽存储器（HBM）及大容量服务器DRAM的年复合增长率将超过30%。

另一大存储巨头三星电子也不甘示弱。据悉，三星正加速推进平泽园区P5工厂的建设，并启动P5 Fab 2的洁净室工程，旨在扩大HBM3E及后续产品的生产规模。三星早前已宣布在平泽追加投资，此次Fab 2的推进被视为应对SK海力士竞争的关键举措。