马斯克暗示Terafab或采用FEL-EUV技术，功耗有望低于ASML现有激光等离子体光源

特斯拉与SpaceX创始人埃隆·马斯克为其拟建的超级芯片制造设施"Terafab"勾勒出更为激进的技术路线。据荷兰科技媒体Bits and Chips披露的内部消息，该晶圆厂有望跳过当前极紫外光刻设备主流的激光等离子体（LPP）光源，直接部署自由电子激光（FEL）驱动的EUV系统。马斯克随后在社交媒体X上针对相关讨论留下"FEL, FTW"的评论，被外界视为对这项技术转向的直接背书。

如果FEL方案成功导入量产，将可能打破ASML在高端光刻光源领域的长期垄断。ASML当前出货的EUV扫描光刻机均依赖高功率二氧化碳激光轰击锡滴产生等离子体，从而获得13.5nm极紫外光，整套系统电力消耗巨大，单台设备功耗往往超过1兆瓦。相比之下，自由电子激光通过加速器直接将电子束转化为高亮度EUV辐射，理论上电光转换效率更高，有望大幅削减芯片制造环节的能耗，同时提供更高的输出功率以支撑下一代高数值孔径光刻对光源亮度的苛刻要求。

Terafab是马斯克为自研AI芯片和"星际飞船"专用芯片所设想的一体化制造基地，旨在以颠覆性的速度和成本实现从设计到芯片的闭环。早在2025年，马斯克就曾公开表达过对现有光刻机供应链的不满，认为产能瓶颈和昂贵的价格拖累了人类向多星球文明迈进的步伐。此次对FEL技术的公开示好，进一步印证了Terafab将不会仅仅是传统晶圆厂的复制品，而是一个尝试重塑半导体制造范式的试验场。

业界人士指出，FEL-EUV并非全新概念，学术界和研究机构早已论证其可行性，但工程化难度极高，涉及超导加速器、长波荡器等精密部件的小型化与稳定性挑战。若Terafab能够跨过这些障碍，不仅可能大幅降低单颗芯片的能源账单，还可能催生出更紧凑、更可控的光刻光源架构，对全球半导体设备竞争格局产生深远影响。截至发稿，ASML方面尚未就此予以公开评论。