三星目标2030年将High-NA EUV导入1nm制程，台积电持谨慎态度

据韩媒ZDNet报道，三星电子内部已为下一代光刻技术划定清晰节点。三星高级技术专家、资深Master级工程师朴昌敏（ChangMin Park）透露，公司计划将高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）导入到1nm制程，量产时间目标定在2030年左右。这一表态意味着三星在2nm及以下的路线图中，将进一步延长现有0.33数值孔径EUV的使用周期，直到1nm节点才切换至更高分辨率的High-NA平台。

高数值孔径EUV系统将透镜NA从0.33提升至0.55，可支持8nm以下半节距的单次曝光，显著减少多重图形依赖，是延续摩尔定律的关键工具。三星此前已在3nm和2nm上全面部署EUV，但对High-NA的引进时间表却较最初预期有所延后，显示出其在成本、良率和设备成熟度上的权衡。知情人士指出，三星正在华城园区测试ASML交付的EXE:5000 High-NA样机，但大规模量产设备将集中在1nm世代。