美光扩产HBM4 12层堆叠产品占比有望提升至50%

在三星电子加速HBM4量产、追赶SK海力士的同时，美光（Micron）也把HBM（高带宽内存）视为新的增长引擎。据韩国媒体ETNews报道，美光正加快HBM扩产，预计月产能最高可增加6万片晶圆，并更加着眼于12层堆叠HBM4（12-Hi HBM4）的供应。在常规DRAM价格持续上涨之外，HBM已成为美光布局的新赛道。

ETNews援引行业消息人士称，美光去年的HBM产能约为4万至5万片/月；另一位熟悉情况的消息人士则预计，到今年年底，美光HBM总产能将达到约10万片/月。

12-Hi HBM4占比有望大幅提升

用于英伟达（NVIDIA）最新Vera Rubin AI加速器的12-Hi HBM4，在美光HBM产出中的比重将显著提高。目前美光的产品组合仍以12-Hi HBM3E为主，但据ETNews估计，12-Hi HBM4今年年初已占其产出的20%至30%，到年底这一比例可能达到50%。

美光的大举扩产还得益于HBM4的产能爬坡速度快于预期。据Wccftech此前报道，美光表示，HBM4的量产爬坡速度为HBM3的两倍，体现了AI需求带来的强力支撑。报道还指出，美光预计将在2027年开始推进下一代HBM4E的产能爬坡，首批样品将基于采用1-gamma工艺节点的DRAM模块。

需要指出的是，尽管美光大幅扩产，韩国竞争对手的规模仍远超其当前水平。ETNews援引的行业估计显示，三星电子与SK海力士各自的HBM月产能约为15万至20万片晶圆，达到美光当前产能的三至四倍。

随着英伟达未来产品采用更多样化的HBM配置，美光的扩产可能变得更加关键。据ZDNet报道，三星电子和SK海力士计划在今年下半年逐步增加向英伟达供应8-Hi HBM4（8层堆叠HBM4），并从12-Hi产品转移。ZDNet分析认为，这一变化反映出英伟达试图通过多种HBM配置，在热管理与供应链稳定性之间取得平衡。