铠侠CXL内存模块瞄准AI内存瓶颈，延迟降低超90%

9月3日，日本NAND巨头铠侠（Kioxia）举行媒体说明会，详解其CXL内存模块方案。据《EE Times Japan》报道，在AI工作负载对内存的需求持续攀升之际，DRAM的物理容量上限已成为瓶颈；铠侠的CXL内存模块能够扩大可用内存容量，同时将延迟较传统方案降低超过90%。该公司还计划很快开始CXL内存模块送样。

铠侠存储部门内存应用技术负责人Katsuki Matsudera介绍，模拟结果显示，用CXL内存模块替换三分之一的DRAM，性能损失将控制在5%以内；另外，如果保持成本不变，用部分CXL模块替换DRAM，则可让内存容量翻倍，并将性能提升至1.3倍。

CXL如何弥合差距

AI正在驱动对DRAM的强劲需求，但DRAM有限的可扩展能力难以支撑越来越消耗数据的系统。NAND闪存虽然容量大得多，但延迟较高、写入寿命较低，使其不适合直接替代主存中的DRAM。Matsudera指出，实际访问模式大致符合80/20规则——约80%的内存访问命中20%的数据，其余数据很少被访问。铠侠的策略正是利用这一访问模式：将这80%的数据存储在可像DRAM一样被直接访问的闪存上，从而在不牺牲性能的情况下缓解容量限制。

不过，闪存固有的延迟仍是障碍。为了缩小差距，铠侠开发了具备延迟降低功能的专用控制器，再配合XL-FLASH，最终使CXL内存模块比传统方式的延迟降低90%以上。

BiCS Flash路线图更新

除CXL外，铠侠还在说明会上更新了旗舰BiCS Flash路线图。自今年7月起，铠侠已在岩手县北上工厂（Kitakami Plant）量产第10代BiCS FLASH 3D闪存，并开始提供1Tb TLC产品样品。与第8代相比，第10代产品的位密度（bit density）提升59%，读取能效提升40%，写入能效提升30%。

与英伟达CMX合作受关注

另据BigGo Finance报道，铠侠与英伟达（NVIDIA）围绕CMX（Context Memory Storage，上下文内存存储）展开合作。CMX是英伟达今年3月发布的新存储层级，基于BlueField-4数据处理单元构建，用于扩展GPU内存，以支持长上下文的对话式及智能体（agentic）AI推理。

这一合作已初见成果：铠侠在7月推出CM10系列——面向企业级市场的全新SSD，搭载第10代BiCS FLASH TLC，并为支持英伟达CMX架构而设计。与上一代相比，该系列在性能和能效上均有大幅提升。作为铠侠首款PCIe 6.0企业级SSD，CM10系列还支持直接冷板液冷，为下一代AI基础设施的冷却带来更高灵活性与效率。

铠侠SSD业务部技术规划部总经理Makoto Hamada表示，考虑到市场潜力巨大，竞争不可避免；但铠侠仍与英伟达保持密切合作，并定期与核心高管沟通。“我不觉得我们落后了，”他说。Hamada还透露，铠侠正关注AI PC和物理AI（physical AI）领域涌现的存储需求。

三星或成另一关键玩家

SeDaily指出，三星（Samsung）可能成为该市场的另一个关键玩家。据报道，这家韩国存储巨头正加速扩充V9 NAND产能，部分原因是英伟达定于今年下半年推出的新一代存储架构CMX。SeDaily的数据显示，英伟达CMX架构整合576块SSD，总容量达9,600TB；该架构对NAND的需求预计将从今年的3,500万TB跃升至明年超过1亿TB。三星今年NAND产出预计约2.5亿TB，因此正凭借大规模产能，力图在CMX市场中抢下更大份额。