三星SK海力士拟2028年将High-NA EUV用于DRAM

随着ASML与台积电、英特尔、三星等领先芯片制造商展开一系列合作，推动从当前6英寸光掩模向适用于高数值孔径（High-NA）EUV系统的更大尺寸12英寸掩模过渡，各大半导体厂商的采用路线图也逐渐明朗。

尤其值得关注的是，2028年可能成为存储芯片制造商的关键节点。据韩国媒体M Today报道，三星和SK海力士均计划在2028年前后将High-NA EUV技术应用于DRAM生产。

High-NA EUV提升DRAM效率，强化HBM优势

据M Today解释，High-NA EUV相比传统EUV采用更高数值孔径（NA）以提升分辨率。ASML现有的NXE系列EUV系统NA为0.33，其最新EXE系列则将NA提升至0.55。

英国《金融时报》指出，该系统的一大关键优势在于可减少多重曝光步骤数量。报道补充称，传统EUV实现2nm级特征需要四次多重曝光步骤，而High-NA EUV理论上可将工艺步骤减半，显著降低制造成本。

值得注意的是，三星的采用计划可能带来更深远的影响。《金融新闻》援引行业消息人士的话称，将High-NA EUV系统应用于先进DRAM生产，有助于三星进一步提升HBM性能并巩固对竞争对手的优势。报道指出，三星在HBM4开发之初便设定了高于国际标准的性能目标，并率先采用其最先进的1c级（10nm级第六代）DRAM工艺。

据韩联社报道，三星一直与ASML在下一代光刻技术方面密切合作，并于2025年3月引入韩国首台High-NA EUV系统。

另一方面，《金融新闻》指出，随着中国存储实力快速提升并据报道已开始小批量生产HBM3E，这一举措可能愈发关键。报道称，尽管面临EUV限制，中国存储野心仍在加速推进，三星和SK海力士推动High-NA EUV的应用，对于在先进DRAM和HBM领域保持显著技术领先至关重要。

SK海力士加大High-NA EUV布局

与此同时，据News1报道，SK海力士与三星一样，计划将High-NA EUV设备引入DRAM工艺，并于2028年开始量产应用。报道还称，该公司正考虑加入由台积电牵头的大型光掩模联盟（Large Size Mask Consortium）。

此举基于SK海力士自2021年在第四代10nm级DRAM中首次采用EUV后，持续扩大EUV在先进DRAM制造中的应用。据《朝鲜商业》报道，该公司目前正快速提升第六代10nm级（1c）DRAM产量，该产品将作为其下一代HBM4E的核心存储芯片，后者目标于2027年量产。

1c DRAM的产能提升已初见成效。《朝鲜商业》援引消息人士称，2026年第二季度1c DRAM约占SK海力士DRAM产量的13%，预计2026年第四季度该比例将升至34%。

招聘线索揭示美光High-NA计划

与此同时，美光在High-NA EUV进展方面相对低调，但据Tom's Hardware报道，该公司已于2025年推出基于其新1γ（1-gamma）工艺的首批EUV型16Gb DDR5产品。

值得注意的是，在2026财年第二季度财报电话会议上，美光表示，预计到2026年年中，1γ将占其DRAM位元出货量的大部分。更重要的是，该公司已透露其下一代EUV战略的微妙线索。美光表示，计划在1δ（1-delta）DRAM节点上使用“最新一代EUV工具”扩大EUV应用，并称这将提升洁净室空间利用率，并随着向1δ及更先进节点推进而优化图案化工艺。

近期一则招聘信息进一步表明，相关准备工作可能已在推进中。美光正在招聘一名基于纽约州奥尔巴尼NY Creates园区的“High NA EUV Track – Equipment Engineer（高数值孔径EUV轨道设备工程师）”岗位。该园区是High NA EUV中心所在地，美光与IBM、应用材料、东京电子通过一项与纽约州达成的100亿美元合作计划，共同建立了该中心。