2026年Q2 DRAM市场规模达1547亿美元，长鑫存储IPO后营收跻身全球第四

市场研究机构 TrendForce 发布的数据显示，2026年第二季度 DRAM 市场规模达1547.26亿美元，环比增长59.5%，主要受AI服务器需求驱动的合约价格急涨影响。同期，7月底完成首次公开募股（IPO）的中国存储厂商长鑫存储（CXMT）以146.24亿美元营收排名第四。TrendForce 预测，第三季度 DRAM bit出货量将保持温和增长，合约价格环比涨幅约13%至18%。

从供需来看，智能体（Agent）AI应用需求升温进一步带动各类容量DRAM需求，但供应商库存仍处于历史低位，新增供应主要流向服务器应用，因此当季 DRAM bit出货量仅小幅增长。

三大厂商中，三星电子（Samsung Electronics）位居第一，在三大厂中创下最高的季度环比bit出货量增长，叠加平均销售价格（ASP）上行，营收环比增长63.4%，达到609.8亿美元。SK海力士（SK hynix）排名第二，由于高带宽内存（HBM）在总bit出货量中占比为三大厂中最高，ASP涨幅相对受限，营收环比增长37.9%，至385.9亿美元。美光（Micron Technology）排名第三，在产能约束下优先供应高价服务器DRAM，营收环比增长65.5%，达到360亿美元。

TrendForce 预计，到2027年为止，三大厂将通过加速向先进制程迁移来提升bit供应量；晶圆投片量（wafer starts）则因制程优化、无尘室扩建以及从其他产品线重新分配无尘室空间的余地有限，预期仅小幅增加。

长鑫存储（CXMT）继7月底IPO后进入第四位。该公司主要生产面向智能手机、PC及服务器的DRAM，当季营收环比增长99.3%至146.24亿美元，增速高于前三家。市场传闻称，它正在为中国AI芯片供应商准备HBM3生产，同时也在寻求进入美国市场的机会，未来成长幅度值得关注。

南亚科技（Nanya）、华邦电子（Winbond）和力积电（PSMC）等台湾厂商继续深耕成熟制程产品。由于三大厂转向先进制程并以服务器为中心调整产品组合，来自其他领域的需求令台湾厂商受益。DDR4/DDR3合约价格上涨带动下，南亚科技营收环比增长68.3%至26.12亿美元，华邦电子营收环比增长75.8%至9.98亿美元，力积电营收环比增长167.8%至1.15亿美元。此外，南亚科技还计划通过从美光获得制程技术授权，以进一步扩大供应。

对于第三季度整体展望，TrendForce 预计 bit出货量将缓慢增长，合约价格环比上涨13%至18%。这既反映了部分需求从大容量RDIMM（带寄存器的双列直插内存模组）向低容量产品转移，也显示出PC和智能手机客户承受进一步涨价的空间有限。预计供应量较小的消费级DRAM将成为价格涨幅最大的品类。