全球首款碳化硅超级结MOSFET发布 击穿电压达1635V

9月7日，Alkaid-Semi Technologies (Shanghai) Co., Ltd.正式发布全球首款碳化硅（SiC）超级结MOSFET，标志着这项前沿技术从实验室迈向商业化量产的关键里程碑。

该突破性产品是Alkaid-Semi与由中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃领衔的团队历时五年联合研究的成果。团队还与晶圆代工厂United Nova Technology Co., Ltd.（UNT）合作开发工艺平台，实现了产学研与制造环节的无缝协同。

据《科创板日报》获得的器件规格数据，这款SiC超级结MOSFET的击穿电压高达1635V。在室温及175°C高温下，其比导通电阻（RDS(on),sp）分别达到1.27mΩ·cm²和1.5mΩ·cm²。热特性方面，该器件在25°C至125°C范围内的导通电阻呈现零温度漂移，在175°C时的温度系数低于1.2倍。

与传统平面型和沟槽型SiC器件通常介于1.8倍至2.2倍的温度系数相比，这一创新显著缓解了高温下的RDS(on)漂移，因而更适合新能源汽车（NEV）、储能系统和高压工业设备的高温工作条件。

传统SiC MOSFET通常随温度升高出现导通电阻明显上升，在高功率、长时间运行中造成额外功率损耗。

通过引入电荷平衡设计，SiC超级结架构缓解了击穿电压与导通电阻之间的权衡，并优化了全温区性能，被视为下一代高压SiC器件的重要技术路线。