2031年xEV产量6960万辆，功率器件市场145亿美元

根据 Yole Group 最新发布的报告《Automotive Powertrain and Electrification 2026 - Focus on Power Electronics》，包括 BEV、HEV、PHEV、FCEV 在内的 xEV（电动汽车）产量到 2031 年预计将达到 6960 万辆，约占全球小型车总产量的 70%。

xEV 功率器件市场有望从 2025 年的 67 亿美元扩大至 2031 年的 145 亿美元，期间年复合增长率（CAGR）为 13.8%。从应用领域看，主逆变器贡献了大部分营收，2025 年功率模块约占整个市场的 84%。

当前市场中，Si IGBT 模块仍占有较大比例，但 SiC MOSFET 正在迅速增长，尤其是用于牵引逆变器的 SiC MOSFET，其增速预计约为 IGBT 的两倍。SiC 的推广主要由中国 BEV 市场驱动，同时全球整车厂也在增加采用 SiC 的车型。不过，随着 SiC 衬底成本下降，其平均销售价格也将走低，因此出货量增长不一定能同步转化为收入增长。GaN HEMT 同样具备较高增长预期，但市场规模仍小于 Si 和 SiC。短期内，GaN 主要面向车载充电器（OBC）和 DC-DC 转换器；而在牵引逆变器中的应用，将取决于高耐压器件的供应能力和可靠性验证。

供应链向垂直整合与多源采购演进

xEV 供应链正经历垂直整合与区域化趋势。尤其中国整车厂倾向于将牵引逆变器和电驱动桥纳入自产，同时把多种电力电子功能集成到单一系统。另一方面，Tier 1 供应商与整车厂也在推进功率半导体的多源采购，新进入者不断出现；既有多源采购所需的标准化，也有通过自研设计实现差异化的做法，二者并行推进。

中国企业通过并购和战略合作加速产业布局，在终端系统、晶圆和转换器制造方面的自主能力持续提升，但功率半导体芯片制造仍存在短板。在中国以外，行业重组与供应过剩促使厂商重新评估 SiC 制造基地。

800V/1000V 架构重塑功率半导体技术

车载电池电压从 400V 提升至 800V、甚至 1000V，正在改变功率半导体的耐压规格、封装方式与热设计。SiC 有望成为 800V/1000V 级 BEV 的主力技术，而 Si IGBT 仍将在注重成本的 HEV、PHEV 和入门级 BEV 中保持优势。功率模块方面，低电感设计、热管理改进、环氧树脂过模封等方向的开发正在推进；市场重心也从单纯追求最高性能，转向在合适成本下实现所需性能。

晶圆尺寸同步走向大型化：Si 向 300mm、SiC 向 200mm、GaN-on-Si 向 300mm 演进，但 SiC 与 GaN 仍需继续改善晶体缺陷和良率。

总体来看，随着 xEV 市场扩大，SiC 推动高性能化、Si IGBT 保持低成本优势、GaN 开拓新应用，未来将根据不同车型、电压平台和价格区间，形成多种技术路线并存与细分应用的格局。