三星天安厂封装转向HBM，Exynos 2700改由温阳封装

三星电子据报正在调整其天安（Cheonan）后段封测业务，以应对不断攀升的 HBM（高带宽内存）需求。据《Sisa Journal》援引消息人士称，三星计划逐步停止在天安厂进行 Exynos 移动应用处理器（AP）封装，并将相关设备转用于 HBM 封装。报道称，这一转换预计将从明年开始。

天安厂仍会继续处理现有产品，包括用于部分 Galaxy S26 系列机型的 Exynos 2600，以及 Galaxy Z Flip 8。但报道补充称，该厂没有为未来 Exynos 产品设立专用封装线的计划。

三星长期以来将天安和温阳（Onyang）作为主要半导体后段生产基地。随着 HBM 需求上升，天安在先进封装领域获得更多投资，原本用于 Exynos 晶圆级封装（WLP）的设备如今将被改用于 HBM。韩联社（Yonhap News）8 月下旬报道称，三星正投资 10 万亿韩元（KRW 10T）对天安 HBM 设施进行现代化改造，配套基础设施已在建设中。

这一调整也发生在三星将自有产能优先用于高价值存储产品之际。《The Elec》指出，三星计划将包括 DDR5 模块和 SSD 在内的常规存储模块的大部分新增产量外包，而不是扩大自有产能。据报道，三星已敦促 OSAT（委外封测）合作伙伴扩大生产，并提前其原定新增产能，以满足不断增长的需求。由于现有 AI 芯片后段产线扩产空间有限，三星改为重新分配天安和温阳工厂的空间与设备，用于 HBM 等先进封装。

TrendForce 指出，在 2Q26（2026 年第二季度），三星在三大 DRAM 供应商中录得最强的环比位元出货量增长，这得益于其 HBM4 的早期量产和出货。其 DRAM 营收环比增长 63.4%，达到 609.8 亿美元，以 39.4% 的市场份额排名第一。

Exynos 2700 转向新封装结构

据《Sisa Journal》报道，三星下一代移动 AP——Exynos 2700 的封装将改在温阳厂进行。报道称，三星计划从 Exynos 2700 开始放弃扇出型晶圆级封装（FO-WLP）。虽然 WLP 改善了散热，但工艺复杂度提升和良率挑战推高了封装成本，促使三星探索新结构以改善盈利能力。

随着这一变化，三星据报计划为 Exynos 2700 改用并排（side-by-side，SbS）结构，取代 WLP，将 AP 和 DRAM 并排放置在同一基板上。尽管封装方式改变，铜基 Heat Path Block（HPB）这一热管理结构预计仍将保留；该结构最初随 Exynos 2600 引入。