B360BQ-13-F国产替代

参数对比

参数项 DIODES(美台)
B360BQ-13-F
FUXINSEMI(富芯森美)
SS56B
对比结论
封装规格 SMB (DO-214AA) SMB (DO-214AC) 封装兼容,均为主流SMB封装
最大重复反向电压 VRRM 60 V 60 V 一致
最大正向整流电流 IO/I(AV) 3.0 A 5.0 A SS56B额定电流更高,性能提升
最大正向压降 VF 0.70 V @ 3A
(@ TA=+25°C)
0.70 V @ 5A 相同电流下参数接近,SS56B适配更大电流
最大反向漏电流 IR 0.5 mA @ TA=25°C
20 mA @ TA=100°C
0.5 mA @ TA=25°C
10 mA @ TA=100°C
SS56B高温漏电流更低
浪涌电流能力 IFSM 100 A 150 A SS56B浪涌容忍度更优
结温工作范围 TJ –55 ~ +150°C –55 ~ +150°C 参数一致
储存温度范围 TSTG –55 ~ +150°C –55 ~ +150°C 参数一致
热阻 RθJA 95°C/W 50°C/W SS56B热阻低,散热优势明显
热阻 RθJT 25°C/W 未标明(数据空缺) 仅供参考,待最新资料补充
电容 CT/CJ 200 pF 500 pF SS56B电容更高,需留意高频应用情况
符合标准 AEC-Q101, RoHS, 无卤环保等 RoHS 2.0 均满足汽车/绿色环保应用
产品图片

FUXINSEMI(富芯森美)SS56B

FUXINSEMI(富芯森美)SS56B是一款面向表面贴装应用的肖特基势垒整流器。产品采用SMB(DO-214AC)封装,具备金属硅结、大电流能力及理想的高频效率表现。其最大重复反向电压为60V,正向持续整流电流高达5A,浪涌电流能力可达150A,正向压降为0.70V(@5A),并且其高温(100°C)下漏电流控制出色,适合高效率、高密度电源及反向极性保护等苛刻工况。产品通过RoHS 2.0环保认证,支持自动贴片组装, 满足高可靠性及量产需求。

应用领域

  • 开关电源二级整流(Secondary Rectification in SMPS)
  • 低电压、高频率逆变电路(Low Voltage, High Frequency Inverters)
  • 自由轮回路/续流二极管(Free-Wheeling Diode)
  • 极性保护及防反相电路(Polarity Protection)
  • 循环/续流二极管(Recirculating Diode)
  • 电源输入或输出端浪涌保护(Input/Output Surge Protection)
  • 汽车电子系统(Automotive Electronic Systems)

产品特点

  • 塑封封装,符合UL 94V-0阻燃等级
  • 表面贴装设计,适用于自动化SMT组装工艺
  • 金属硅结结构,具有主载流子导电特性
  • 低功耗、高整流效率
  • 内建应力缓释,满足耐机械冲击封装需求
  • 强大浪涌电流承受能力
  • 端子耐高温焊接(260°C/10秒)
  • 符合RoHS 2.0环保指令

产品优势

相较于DIODES B360BQ-13-F,FUXINSEMI(富芯森美)SS56B在多项核心参数上表现更加卓越。首先,SS56B的最大正向平均整流电流提升至5A(B360BQ仅3A),同时浪涌承受能力提升至150A,更适合高脉冲、高负载环境。其次,高温反向漏电流(@100°C)仅为10mA,对比B360BQ的20mA,耐热性能及高温稳定性更优。此外,热阻显著降低至50°C/W(B360BQ为95°C/W),有助于器件温控与可靠性提升。在封装及环保标准方面,两者兼容,可无缝替换。总体而言,SS56B具有更高的额定电流、更优异的高温稳定性和更低的热阻,适合对整流器性能要求更高的系统升级及国产化替代。

注:以上参数来源于数据手册,实际应用建议以最新规格书为准或联系我们(圣禾堂在线客服)