黄仁勋：中国三到四年内有望研发出先进光刻系统

中国正在加大力度缩小在先进光刻领域的差距，而 AI 行业最具影响力的人物之一也就其追赶速度发表了看法。据 Tom’s Hardware 报道，NVIDIA CEO 黄仁勋认为，中国有望在三到四年内研发出自己的先进光刻系统。在接受 The All-In Podcast 采访时，黄仁勋表示，中国能够在 2030 年前“实现这一目标”，并提到中国在大规模制造方面具备优势。

不过，瑞银（UBS）近期评估给出了更谨慎的前景。据彭博社（Bloomberg）报道，该行估计，中国可能在两到五年内实现浸没式 DUV（深紫外）系统的大规模量产，但未来十年内不太可能开发出 EUV（极紫外）设备。尽管如此，瑞银仍看到进展迹象，指出中国专利活动升温，尤其是在光源和激光子系统领域。该行认为，中国当前能力大致相当于 ASML 在 2004 年左右的水平，而这家荷兰公司在大约 15 年后才开始量产 EUV 系统。

中国加大本土 DUV 光刻投入

近期进展显示，DUV 光刻仍在持续进步。据《金融时报》报道，华为据称正在支持多家本土供应商开发先进芯片制造设备的关键部件，其中包括总部位于上海的 Yuliangsheng；该公司参与联合开发了一台先进的国产 DUV 光刻机。据报道，该公司计划到 2026 年底生产 12 台系统，相关设备正在中芯国际（SMIC）和华为自有生产线上测试。报道补充称，不过该系统的原型机仍依赖外国部件，尤其是投影镜头和光源，中国供应商在这些领域仍落后于海外竞争对手。

EUV 仍是更大的难关

在 EUV 光刻方面，中国的差距仍大得多。路透社 2025 年的一篇报道显示，中国已于当年早些时候在深圳一处高度戒备的设施中完成了一台可运行的 EUV 原型机。该设备有前 ASML 工程师参与建造，据报道几乎占满整座工厂楼层，并能产生 EUV 光，但尚未制造出可用芯片。

重大技术障碍依然存在，尤其是 EUV 系统所需的精密光学部件。路透社指出，中国一直难以复制德国蔡司（Zeiss）供应给 ASML 的光学系统。据报道，北京方面的目标是 2028 年使用该系统生产可用芯片，而接近该项目的人士认为 2030 年是更现实的时间表。