马斯克警示RAM或成中国下一个冲击领域，长鑫存储披露4F² DRAM规划

中国存储芯片产业正快速进步，引发外界对其可能冲击全球竞争格局的关注。据 UDN News 报道，埃隆·马斯克（Elon Musk）在 X 平台发帖称，RAM（随机存取存储器）可能成为下一个面临中国大规模制造能力激烈竞争的领域，不过更先进的存储技术仍然更难掌握。马斯克指出，一旦中国掌握某项制造技术，其扩大产能的能力往往超过世界其他地区的总和，并以锂电池和太阳能电池板为例。

马斯克还提到，三年前存储仍是一项低利润的大宗商品业务。由于 LPDDR5 和 LPDDR6 遵循通用的行业标准，他认为中国似乎正在迅速掌握相关技术。但报道指出，更新的 HBM 架构、逻辑层下方的 SRAM（静态随机存取存储器）层，以及逻辑层上方的 3D 堆叠 RAM，尤其是散热管理方面的挑战，仍是更困难的技术门槛。

马斯克还以 SpaceX 为例说明例外情况，称其送入轨道的质量大约是其他所有发射服务商总和的一个数量级。即便如此，在非 SpaceX 发射服务商送入轨道的质量中，中国仍占大多数，因此马斯克将 SpaceX 形容为“矩阵中的异类”，据华尔街见闻（Wallstreetcn）报道。

长鑫存储披露 4F² DRAM 规划，中国瞄准 AI 服务器存储

马斯克发表上述言论之际，中国存储制造商长鑫存储（ChangXin Memory Technologies，CXMT）正披露其下一代 DRAM 技术规划。据第一财经（Yicai Global），长鑫存储总裁曹堪宇在 10 月 10 日举行的集成电路与芯粒（Chiplet）大会上介绍了公司的 4F² DRAM 架构，并计划在 2026 年底前推出基于该技术的 DDR5 RDIMM（寄存式双列直插内存模块）。

据《首尔经济日报》（Seoul Economic Daily），相比传统 6F² 结构，4F² 架构可将 DRAM 单元面积缩小约 33%，从而在相同尺寸的芯片上存储更多数据。SK 海力士在 2025 年公布了其 4F² 路线图，而三星据报计划在 2028 年采用该架构量产 10nm 以下的 DRAM，这意味着长鑫存储公布的时间表大约领先两年。

长鑫存储选择首先在 DDR5 RDIMM 而非 LPDDR 上采用 4F²，也释放出其聚焦技术难度更高的服务器存储市场的信号。但《首尔经济日报》指出，韩国产业官员提醒，该技术的应用范围仍不确定，能够演示技术并不代表可以大规模可靠量产。

除技术规划外，长鑫存储在全球 DRAM 市场的地位也在扩大。据 TrendForce，2026 年第二季度长鑫存储在全球 DRAM 营收中排名第四，市场份额从上季度的 7.6% 升至 9.5%，位居三星（39.4%）、SK 海力士（24.9%）和美光（23.3%）之后。