AI需求下三星SK海力士推进中国工厂3D NAND高层化

据路透社等多家海外媒体报道，在AI需求从DRAM扩展至NAND的背景下，Samsung Electronics（三星电子）与SK hynix（SK海力士）正在推进其中国工厂所生产3D NAND（三维闪存）的高层化。

三星西安工厂拟从200层升级至286层

知情人士称，三星计划将西安工厂的3D NAND从200层提升至286层。SK hynix则已获得在其大连工厂（子公司Solidigm的工厂）生产最高240层3D NAND的许可，并可能就300层以上技术的研发寻求美国批准。

中国是这两家韩国企业的主要NAND生产基地。市场研究机构TrendForce的数据显示，中国工厂承担了三星NAND总产量的约30%至35%，以及SK hynix的40%至45%。

两家公司加快升级的背景，除了应对旺盛的AI需求，还包括与中国NAND厂商YMTC（长江存储科技）的竞争加剧。路透社称，YMTC的主力产品为160层和232层，但已少量生产294层产品，并计划开发超过300层的产品。

美国出口管制令外资在华工厂升级复杂化

韩国企业中国工厂的设备升级一直受到美国出口管制阻碍。美国于2022年开始对中国实施半导体制造设备出口管制；此后，将美国制造的半导体制造设备运入中国基地需要获得美国政府许可。美国商务部工业与安全局（BIS）在2025年表示，不打算为外资半导体制造商在华工厂的技术升级和产能扩张发放许可，这使韩国企业在华投资面临艰难取舍。

这种停滞也成为YMTC夺取份额的原因之一。两家韩国公司的高管也公开表示，地缘政治紧张对中国业务造成负面影响。

两家公司承认在设备更新方面正与美国政府密切合作，但未公布详细计划，因此美国当局对升级设备发放了多少出口许可尚不清楚。知情人士称，两家公司希望在中国实现200层以上NAND生产，并使相关技术接近韩国生产标准。

韩国本土加速300层以上产品生产

在韩国，三星已将约60%的V-NAND产能转向V9（286层），并增加对NVIDIA的出货量；同时已开始量产和供应V10 NAND（约400层），还在开发目标约500层的下一代V11。知情人士称，西安工厂的升级正以符合美国规定的方式推进，目标是在2026年12月达到月产5000片，并在2027年12月前提升至月产4万片。

SK hynix则在韩国推进向321层NAND过渡，2026年第二季度该产品似乎已成为其最大NAND生产板块。到2026年底，韩国国内NAND产能的约一半将转向321层产品；公司还在为375层产品的量产做准备。